本发明涉及半导体光源封装及半导体芯片制造领域。
背景技术:
半导体光源,如发光二极管led光源等,具有启动时间短、亮度高、能耗低、体积小、寿命长、安全性高等优点,正在逐步取代传统卤钨灯、氙灯等能耗高、寿命短的光源,获得了广泛的应用。
普通大功率led模组的基板,传热性和绝缘性是矛盾的,如为了实现良好的导热,led基板一般设计成共阳极的导电结构;而为了实现良好的绝缘性,又不得不牺牲热传导性。本发明就是设计一种复合高导热绝缘金属基板,解决上述问题。
技术实现要素:
附图说明
图1为传统半导体基板结构示意图
图2为本发明一种复合高导热绝缘金属基板结构示意图
主要元件标记说明:
1、第一金属层
2、第一绝缘层
3、第二金属层
4、第二绝缘层
5、电路层
6、钻孔
具体实施方式:
下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案进行具体的说明。
如图1展示了传统半导体基板结构示意图,其中第一金属层1上层为第二绝缘层4,第二绝缘层4设置有开口,使电路层5的阳极与第一金属层1形成通路,构成以第一金属层1为阳极的共阳极结构。该传统结构的特点是第一金属层1的材料为高导热性的铜、铝,或合金材料,具有良好的导热性,从而能够满足大功率半导体光源的散热问题,但是以第一金属层1为阳极的共阳极结构,造成该基板绝缘性能差,容易造成漏电、短路等,安装使用不方便。
如图2展示了本发明一种复合高导热绝缘金属基板结构示意图,包括第一金属层1,设置在第一金属层1下层的第一绝缘层2,设置在第一绝缘层2下层的第二金属层3,设置在所述第一金属层上层的第二绝缘层4,设置在第二绝缘层4上层的电路层5,以及钻孔6。其中,本发明基板的设置,主要创新点在于在原来的金属基板的基础上,在底面加上至少一层绝缘层和一层金属层,使得上下两层铜基板绝缘,即基板既通过第一金属层1形成了共阳极结构,又通过第一绝缘层2与外界实现了电绝缘。所述第一金属层厚度为0.8-1mm,所述第二金属层厚度为0.8-1mm,从而保证了良好的导热性,而所述绝缘层厚度控制在0.1mm以内,兼具良好的导热性和电绝缘性。所述第一金属层1下方的绝缘层与金属层,数量可以根据需要增加,至少各为一层。所述金属基板上的钻孔深度至少到达第二金属层,从而保证电绝缘性。
以上实施方案只为说明本发明技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明新型的内容并加以实施,并不能以此限制本发明新型的保护范围,凡根据本发明新型精神实质所做的等小变化或修饰均涵盖在本发明新型的保护范围内。