本发明涉及光伏材料技术领域，尤其是一种rie黑硅的制作方法。
背景技术：
如今光伏行业提效趋势日渐明显，常规多晶在现有工艺基础上很难进行有效的效率提升，因此研发出新工艺用以提升效率迫在眉睫。
技术实现要素：
为了克服现有的常规多晶无法有效提高效率的不足，本发明提供了一种rie黑硅的制作方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种rie黑硅的制作方法，使用如下配方对硅片进行处理，所有配比均为体积比：
boe:h2o2:h2o=1:2:5，与硅片反应的温度为40℃，与硅片反应的时间为200秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hcl:乙醇:h2o=1:1:18，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hf，5%，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括对硅片表面使用rie法（reactiveionetching，反应离子刻蚀）进行腐蚀。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括温度为900-1000℃，进行10min预热，通氮气300ml/min，氧气100ml/min；然后进入扩散阶段，使用三氯氧磷作为扩散源，进行20min，硅片背靠背放置。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括使用刻蚀设备对硅片进行刻边处理。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括利用pecvd（plasmaenhancedchemicalvapordeposition等离子体增强化学气相沉积法）制备出正面氮化硅膜来对硅片进行镀膜处理，pecvd设备功率设为7kw，脉宽比4:52，镀膜时间约为13分钟。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括对硅片进行印刷，一道印刷使用银铝浆，二道浆料使用铝浆，三道浆料使用银浆。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括将硅片依次从1区传送到9区进行烧结，硅片经过1区时烧结温度为290℃，硅片经过2区时烧结温度为310℃，硅片经过3区时烧结温度为330℃，硅片经过4区时烧结温度为480℃，硅片经过5区时烧结温度为500℃，硅片经过6区时烧结温度为550℃，硅片经过7区时烧结温度为640℃，硅片经过8区时烧结温度为840℃，硅片经过9区时烧结温度为960℃。
本发明的有益效果是，本发明使用常规多晶硅片为片源，对硅片表面进行处理，增加对光子的吸收，提高转换效率。同时对反应溶液易于集中处理，便于大规模生产。
具体实施方式
一种rie黑硅的制作方法，使用如下配方对硅片进行处理，所有配比均为体积比：
boe:h2o2:h2o=1:2:5，与硅片反应的温度为40℃，与硅片反应的时间为200秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hcl:乙醇:h2o=1:1:18，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hf，5%，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒。
对硅片表面使用rie法（reactiveionetching，反应离子刻蚀）进行腐蚀。温度为900-1000℃，进行10min预热，通氮气300ml/min，氧气100ml/min；然后进入扩散阶段，使用三氯氧磷作为扩散源，进行20min，硅片背靠背放置。使用刻蚀设备对硅片进行刻边处理，利用pecvd（plasmaenhancedchemicalvapordeposition等离子体增强化学气相沉积法）制备出正面氮化硅膜来对硅片进行镀膜处理，pecvd设备功率设为7kw，脉宽比4:52，镀膜时间约为13分钟。对硅片进行印刷，一道印刷使用银铝浆，二道浆料使用铝浆，三道浆料使用银浆。将硅片依次从1区传送到9区进行烧结，硅片经过1区时烧结温度为290℃，硅片经过2区时烧结温度为310℃，硅片经过3区时烧结温度为330℃，硅片经过4区时烧结温度为480℃，硅片经过5区时烧结温度为500℃，硅片经过6区时烧结温度为550℃，硅片经过7区时烧结温度为640℃，硅片经过8区时烧结温度为840℃，硅片经过9区时烧结温度为960℃。
首先将原硅片去掉损伤层，使用schmid在线制绒设备，用rie法对硅片表面进行腐蚀，制备出纳米绒面，然后使用如下配方对硅片进行处理，所有配比均为体积比：
boe:h2o2:h2o=1:2:5，与硅片反应的温度为40℃，与硅片反应的时间为200秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hcl:乙醇:h2o=1:1:18，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
hf，5%，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒，
h2o，与硅片反应的温度为室温，与硅片反应的时间为180秒。
由于纳米绒面相比微米绒面扩散较多，会造成扩散后方阻偏低，所以需要在常规扩散工艺基础上进行优化，缩短扩散时间，将扩散时间由10分钟缩短为9分钟，以达到与常规工艺接近方阻值，详细过程如下：温度控制在900-1000℃，先进行10min预热，通氮气300ml/min，氧气100ml/min；紧接着进入扩散阶段，使用三氯氧磷作为扩散源，进行约20min。硅片背靠背放置，可降低另一侧的掺杂浓度。再使用schmid刻蚀设备进行刻边处理，防止电池短路漏电。接着在硅片正面进行镀膜工艺时由于硅片反射率较低，使用产线常规工艺氮化硅减反膜厚度会有所降低，所以需要进行优化，增加镀膜时间1分钟，以达到减反膜标准厚度。正面氮化硅膜主要起到减反射与钝化两个作用，所以在镀膜过程要同时关注这两个方向。功率设为7kw，脉宽比4:52，镀膜时间约为13分钟。制备出的氮化硅膜厚度控制在80-85nm，折射率2.0。然后使用常规工艺进行印刷：一道印刷使用银铝浆，二道浆料使用铝浆，三道浆料使用银浆，从而形成良好欧姆接触，最大程度输出电流。自后使用常规工艺烧结，将硅片依次从1区传送到9区进行烧结，硅片经过1区时烧结温度为290℃，硅片经过2区时烧结温度为310℃，硅片经过3区时烧结温度为330℃，硅片经过4区时烧结温度为480℃，硅片经过5区时烧结温度为500℃，硅片经过6区时烧结温度为550℃，硅片经过7区时烧结温度为640℃，硅片经过8区时烧结温度为840℃，硅片经过9区时烧结温度为960℃。
本发明使用常规多晶硅片为片源，对硅片表面进行处理，增加对光子的吸收，提高转换效率。同时对反应溶液易于集中处理，便于大规模生产。