技术特征：
技术总结
本发明提供一种提高存储单元区与控制电路区侧墙厚度差的方法，适用于非易失性闪存，包括：提供一复合结构；于一反应腔中采用第一反应压力在衬底上依次沉积第一SiO2层和层，采用第二反应压力在衬底上沉积第二SiO2层，第一SiO2层、层及第二SiO2层构成覆盖栅极结构侧壁的第一侧墙和覆盖间隔结构侧壁的第二侧墙，第一反应压力大于第二反应压力，第一侧墙中的第二SiO2层厚度小于第二侧墙中的第二SiO2层厚度。本发明的有益效果：能够提高非易失性闪存存储单元区与控制电路区侧墙厚度差，在保证存储单元区性能的前提下，提高控制电路区的高温击穿电压，加大离子注入的调节空间，改善MOS管的性能。
技术研发人员：薛广杰;罗清威;李赟;贺吉伟
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2017.10.18
技术公布日：2018.03.02