技术总结
本发明提供了一种垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：形成纳米线阵列以及环绕纳米线阵列的栅堆叠结构，栅堆叠结构两端具有对应的第一凹口和第二凹口，然后分别在第一凹口和第二凹口中形成高‑k介质侧墙和低‑k介质侧墙，在高‑k介质侧墙与沟道层之间形成重掺杂层，从而通过在源区与沟道层之间插入与源区掺杂类型相反的重掺杂层来提升隧穿几率，利用环栅结构增强栅控能力，源区一侧引入的高‑k介质侧墙能够增大局域电场，垂直方向上堆叠的环栅纳米线能够提高有效隧穿面积，进而显著提升了隧穿场效应晶体管的开启电流；于此同时，在漏区一侧采用低‑k介质侧墙，将有效抑制隧穿场效应晶体管的双向导通特性。
技术研发人员：朱正勇;朱慧珑
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.11.15
技术公布日：2018.06.08