技术特征：
技术总结
一种紫外LED芯片制作方法，包括：依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层；在n‑AlGaN层上制作n型欧姆接触金属；去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；在p‑GaN层或p‑AlGaN层上制作p型欧姆接触层；在p型欧姆接触层上制作金属阻挡层；在n‑AlGaN层上光刻出欧姆接触部分，生长n型欧姆接触层；通过后续加工工艺制得紫外LED芯片。本发明能够明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产良率。
技术研发人员：曾昭烩;刘晓燕;陈志涛;刘久澄;龚政;任远;潘章旭;李叶林
受保护的技术使用者：广东省半导体产业技术研究院
技术研发日：2017.11.30
技术公布日：2018.05.08