1.一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3），薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层，介质基片（1）内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线（4）的金属化过孔（5）。
2.根据权利要求1所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线（4）上还设置有多个与金属化过孔（5）配合的小孔（6），第二金属带线（4）上的小孔（6）与所述金属化过孔（5）连通。
3.根据权利要求2所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线（4）上的小孔（6）与所述金属化过孔（5）个数相同且一一对应。
4.根据权利要求3所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线（4）上的小孔（6）与所述金属化过孔（5）直径相等。
5.根据权利要求1所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述金属化过孔（5）的个数为3。
6.根据权利要求1所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述的大功率负载芯片还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线（2）连接。
7.根据权利要求1所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述第一金属带线（2）与薄膜电阻层（3）之间存在第一交叠区域（7），且第一金属带线（2）与薄膜电阻层（3）通过第一交叠区域（7）实现电连接。
8.根据权利要求1所述的一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，其特征在于：所述第二金属带线（4）与薄膜电阻层（3）之间存在第二交叠区域（8），且第二金属带线（2）与薄膜电阻层（3）通过第一交叠区域（8）实现电连接。