技术总结
本实用新型公开了一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3），薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层，介质基片（1）内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线（4）的金属化过孔（5）。本实用新型能够在大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，并降低金属化过孔的等效电感对高频信号的影响，使负载芯片既能够应用与高频环境，也能够应用于低频环境。
技术研发人员：许欢;谭春明
受保护的技术使用者：成都泰格微电子研究所有限责任公司
文档号码：201720120433
技术研发日：2017.02.09
技术公布日：2017.08.29