技术总结
本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，具体公开一种开关型功率半导体器件。所述器件包括硅层，所述硅层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面分为有源区域和结终端区域，所述有源区域周围为所述结终端区域围绕；所述第二表面分为与所述有源区域正对应的第一离子掺杂区域和与所述结终端区域正对应的掺杂离子体浓度低于所述第一离子掺杂区域的第二离子掺杂区域，所述第一离子掺杂区域的周围为所述第二离子掺杂区域围绕，还包括结合于所述第二表面的金属层。本实用新型可以降低器件结终端区域的自由载流子浓度和电流密度，减少碰撞电离和动态雪崩击穿，减少边缘元胞由于电流集中产生的latch‑up损坏，从而提高器件的整体安全工作区。
技术研发人员：黄国华;蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟;乔世成
受保护的技术使用者：宗仁科技（平潭）有限公司
文档号码：201720174796
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2017.09.29