1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：
半导体基底；
多个栅极结构，配置在半导体基底上；
多个第一掺杂区，分别形成在所述多个栅极结构分别围绕的多个第一区域中；以及
第二掺杂区，形成在所述多个栅极结构间的第二区域中，
其中，所述多个栅极结构呈八角形的封闭式环状排列。
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述多个栅极结构包括第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构以及第四栅极结构，所述晶体管结构还包括：
第一桥接结构，形成在所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构间，并用以连接所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构；以及
第二桥接结构，形成在所述第三栅极结构以及所述第四栅极结构间，并用以连接所述第三栅极结构以及所述第四栅极结构。
3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一桥接结构、所述第二桥接结构与所述多个栅极结构的材质相同。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区具有相同的导电型。
5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括：
第三掺杂区，形成在所述多个栅极结构间的所述第二区域中，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区相邻，并与所述第二掺杂区具有相反的导电型。
6.根据权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区设置在井区中，所述第一掺杂区设置在所述井区外，所述第一掺杂区与所述井区间形成漂移区。
7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括：
多个第一连接件，分别设置在所述多个第一掺杂区上，并分别与所述多个第一掺杂区电性连接；以及
第二连接件，设置在所述第二掺杂区上，并与所述第二掺杂区电性连接。
8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二连接件包括多个子连接件，所述多个子连接件分别配置在所述第二掺杂区上，并对称于中心位置。
9.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二连接件呈矩形或十字形。
10.一种功率芯片，其特征在于，包括：
如权利要求1所述的晶体管结构；以及
核心电路，耦接所述晶体管结构。