半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵的制作方法

本实用新型涉及半导体激光器领域，具体而言，涉及一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵。

背景技术：

对于半导体激光器形成的半导体激光器叠阵，在半导体激光器的热沉绝缘等情况下，需要电极连接件对半导体激光器之间进行电性连接。而现有技术中，每个半导体激光器中用于多个半导体激光器彼此之间连接的电极连接件端部较长，导致电路的电阻较大，造成不必要的损失，严重影响半导体激光器的可靠性。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，将半导体激光器制冷结构中的电极连接件的第一连接部在热沉上所述正极导电层的非对端，使电极连接件的端部较短，从而减小电阻，以改善现有技术中的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种半导体激光器制冷结构，包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘，所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述电极连接件还包括第三端部以及第二连接部，所述第三端部设置于正极导电层，所述第三端部以及所述第一端部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部以及所述第二连接部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部连接所述第一端部以及所述第二端部的一端，所述第二连接部连接所述第三端部以及所述第二端部的另一端。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述电极连接件的数量大于或等于1。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述第一端部与所述第二端部相错设置；或者，所述第一端部以及所述第三端部均与所述第二端部相错设置。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述第二端部设置于所述第二表面与负极导电层对应的区域。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述正极导电层与所述负极导电层设置在同一层，所述正极导电层与所述负极导电层之间保持间距，所述正极导电层与所述负极导电层之间为空或者采用绝缘介质阻隔，所述热沉与所述正极导电层以及负极导电层之间设置有第一绝缘层；或者，所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述正极导电层靠近所述热沉，所述热沉与正极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层。第二绝缘层使正极导电层与负极导电层可以层叠设置，且彼此绝缘，第一绝缘层使正极导电层与热沉彼此绝缘或者，所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述负极导电层靠近所述热沉，所述热沉与负极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层。第二绝缘层使负极导电层与正极导电层可以层叠设置，且彼此绝缘，第一绝缘层使负极导电层与热沉彼此绝缘。

优选的，上述半导体激光器制冷结构中，所述热沉的第一表面包括第一部分以及第二部分，所述第一部分设置所述正极导电层以及负极导电层，所述第二部分设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层的高度高于设置于所述热沉的其他器件的高度。当一个半导体激光器与另一个半导体激光器层叠设置时，高度高于其他器件的第四绝缘层使半导体激光器的其他器件与相层叠的激光器之间保持距离，不被压到。

一种半导体激光器，包括激光芯片以及上述半导体激光器制冷结构，所述激光芯片设置于所述半导体激光器制冷结构的正极导电层，所述激光芯片的正极与所述正极导电层电连接，所述激光芯片的负极与所述半导体激光器制冷结构的负极导电层电连接。

一种半导体激光器叠阵，包括多个上述的半导体激光器，多个半导体激光器沿激光芯片在热沉的第一表面以及第二表面的连线方向上依次层叠，并通过电极连接件电性连接。

一种电极连接件，应用于上述的半导体激光器制冷结构，或者上述的半导体激光器，或者上述的半导体激光器叠阵，所述电极连接件包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部以及所述第二端部的延伸方向一致，且与所述第一连接部的延伸方向垂直。

本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，在热沉的第一表面彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接。电极连接件包括第一连接部以及相对的第一端部、第二端部，其中，第一连接部在热沉上所述正极导电层的非对端，使第一端部以及第二端部较短，使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短，从而电极连接件的电阻相对较小，提高了半导体激光器的可靠性。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的第一种视角结构示意图；

图2示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的第二种视角结构示意图；

图3示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的第三种视角结构示意图；

图4示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的第四种视角结构示意图；

图5示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的第五种视角结构示意图；

图6示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的电极连接件的一种结构示意图；

图7示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的另一种结构示意图的一种视角图；

图8示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的另一种结构示意图另一种视角图；

图9示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构的电极连接件的另一种结构示意图；

图10示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器的一种结构示意图；

图11示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器叠阵3的一种结构示意图。

图标：半导体激光器制冷结构100，热沉110，热沉110的第一表面111，热沉110的第二表面112，正极导电层120，负极导电层130，电极连接件140，第一绝缘层150，第三绝缘层152，第二绝缘层154，第四绝缘层156，电极连接件140的第一连接部142，第一端部146，第二端部148，第三端部146b，第二连接部142b，半导体激光器200，激光芯片210，半导体激光器叠阵300。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1示出了本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构100，请参见图1，该半导体激光器制冷结构100包括热沉110、正极导电层120、负极导电层130以及电极连接件140。

其中，如图1所示，所述热沉包括相对设置的第一表面111与第二表面112、以及连接所述第一表面和第二表面的侧面。其中，所述第一表面111和第二表面112可以为长方形，具有相对较长的边以及相对较短的边，其中，较长的边和较短的边彼此相邻。当然，热沉的第一表面与第二表面也可以是其他形状，如正方形，若第一表面与第二表面是正方形，较长边和较短边分别为相邻的两条边。正极导电层120以及负极导电层130设置于所述热沉110的第一表面111且彼此绝缘，并且，正极导电层以及负极导电层分别与热沉绝缘，电极连接件140从正极导电层120延伸至所述热沉110的第二表面112。

具体的，在本实用新型实施例中，热沉110的散热方式为液体制冷型。若热沉110为液体制冷型，热沉110可以是液体制冷器，内部具有液体制冷回路。其中，该热沉110可以由绝缘、高导热材料制成，如陶瓷、金刚石、铜金刚石复合材料等。该热沉110也可以由非绝缘材料制成，并在热沉110的第一表面111设置第一绝缘层150，该第一绝缘层150位于第一表面111与正极导电层120以及负极导电层130之间，使热沉110与正极导电层120以及负极导电层130之间绝缘，如图1所示。进一步的，在热沉110的第二表面112也可以设置第三绝缘层152，使热沉110的第二表面112与外部绝缘，在利用本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构形成的半导体激光器层叠为叠阵时，使半导体激光器的热沉可以与相邻的半导体激光器绝缘。

其中，若热沉110由绝缘材料制成，则可以直接在热沉的第一表面设置正极导电层以及负极导电层，热沉与正极导电层与负极导电层处于绝缘状态，而不需要设置第一绝缘层150以及第三绝缘层152。当然，若热沉110由绝缘材料制成，热沉110的第一表面111也可以设置位于热沉110与正极导电层120以及负极导电层130之间的第一绝缘层150，热沉110的第二表面112也可以设置第三绝缘层152。

在本实用新型实施例中，热沉110、第一绝缘层150、第三绝缘层152可以为一体成型结构，或热沉110、第一绝缘层150、第三绝缘层152以及正极导电层120、负极导电层130可以为一体成型结构。

另外，在本实用新型实施例中，所述正极导电层120用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层130用于与设置于所述正极导电层120的激光芯片的负极电连接。

具体的，正极导电层120以及负极导电层130可以设置在同一层，且为两个彼此间隔且独立的导电区域，正极导电层120以及负极导电层130之间具有一定间距，如图2所示。其中，正极导电层120与负极导电层130的形成可以是，在热沉110的第一表面111设置有导电层，将导电层分割为彼此间隔的两个区域，分别形成正极导电层120以及负极导电层130。进一步的，彼此间隔的正极导电层120与负极导电层130之间可以为空，或者采用绝缘介质阻隔，使正极导电层120以及负极导电层130之间保持绝缘。

另外，也可以是，如图3所示，正极导电层120与负极导电层130之间层叠设置，负极导电层130与所述正极导电层120设置在不同层，且正极导电层120与负极导电层130之间设置有第二绝缘层154，使正极导电层120与负极导电层130之间绝缘。

其中，层叠设置的正极导电层120与负极导电层130中，可以是正极导电层120位于靠近热沉110的一侧，第一绝缘层150设置于所述热沉110与正极导电层120之间，如图3所示。优选的，此结构中，层叠设置的正极导电层120的面积大于负极导电层130的面积，正极导电层120位于负极导电层130与热沉110之间，使在正极导电层120与负极导电层130未层叠的区域可以用于设置激光芯片，负极导电层130远离正极导电层的一面可以用于与激光芯片的负极连接。

另外，在本实用新型实施例中，设置于在不同层的负极导电层130与所述正极导电层120中，也可以是，负极导电层130靠近所述热沉110，热沉与负极导电层之间设置有第一绝缘层，负极导电层130与所述正极导电层120之间设置有第二绝缘层。此结构下，优选负极导电层的面积大于正极导电层的面积。

在本实用新型实施例中，负极导电层130可以为铜片，或者在负极导电层130设置铜片用于与激光芯片的负极电连接。

进一步的，在本实用新型实施例中，热沉110的第一表面111可以包括第一部分以及第二部分，如图1及图3所示，第一部分可以为热沉110的第一表面111的较长边延伸方向的一端，正极导电层120以及负极导电层130设置于第一部分，并且，在第二部分设置第四绝缘层156，所述第四绝缘层156的高度略高于设置于所述热沉110的其他器件的高度，且使当在正极导电层120设置激光芯片以及激光芯片负极与负极导电层130之间的电连接线时，第四绝缘层156的高度仍然可以略高于包括激光芯片以及电连接线的其他器件的高度。可以理解的，第四绝缘层156的高度指第四绝缘层156远离热沉110的表面与热沉110之间的距离。另外，当在热沉110的第一表面111设置第一绝缘层150，该第四绝缘层156可以为第一绝缘层150对应第一表面111的第二部分的绝缘层部分。

如图1所示，本实用新型实施例中，电极连接件140包括第一端部146、第二端部148以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部142。

具体的，请参见图1，所述第一端部146设置于正极导电层120，具体可以是设置于正极导电层120远离热沉110的表面，所述第二端部148设置于所述热沉110的远离所述第一表面111的第二表面112，该第二端部与热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端，当该半导体激光器制冷结构设置激光芯片形成半导体激光器时，使第一连接部不在激光芯片的对端。其中，热沉上所述正极导电层的非对端为，不是在热沉上正极导电层的对端，例如，热沉包括彼此相对的一端以及另一端，其中一端设置正极导电层，则第一连接部未设置于该另一端。另外，当热沉的第二表面112设置有第三绝缘层152，则可以是将电极连接件140的第二端部148设置于第三绝缘层152远离第一表面111的一面，使第二端部148与热沉110之间绝缘。

进一步的，如图1所示，第一端部与所述第二端部相错设置，使由本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构制成的多个半导体层叠为叠阵时，第二端部与相邻的半导体激光器的负极导电层接触，且与相邻的半导体激光器的正极导电层之间绝缘。

进一步的，可以将第二端部设置于第二表面与负极导电层对应的区域，实现多个半导体激光器层叠设置时，半导体激光器的第二端部与相邻的半导体激光器的负极导电层接触，且与相邻的半导体激光器的正极导电层之间绝缘。

其中，如图2及图4、图5所示，以热沉为矩形立方体为例，可以是，所述第一端部146以及第二端部148的延伸方向与所述第一表面111的较短边的延伸方向一致，第一端部146以及第二端部148的具体长度在本实用新型实施例中并不作为限制，且第一端部146以及第二端部148彼此之间的长度大小也不做限定。在本实用新型实施例中，可以在保持电极连接件140稳定设置于热沉110的基础上，使第一端部146尽可能较短，例如，第一端部146的长度比热沉110第一表面111较短边的一半短。

另外，如图1所示，所述第一连接部142与所述第一表面111以及第二表面112之间的热沉110的侧面相对且彼此绝缘，具体可以是，热沉为绝缘材料使热沉与第一连接部彼此绝缘；或者是热沉与第一连接部之间具有间隙，使第一连接部与热沉绝缘；又或者是热沉与第一连接部之间设置有绝缘层，使热沉与第一连接部之间彼此绝缘。第一端部146与第一连接部142之间的连接线位于热沉110第一表面111的较长边，第二端部148与第一连接部142之间的连接线位于热沉110第二表面112的较长边。如图6所示，第一端部146、第一连接部142以及第二端部148之间可以形成C型结构，该C型结构的开口方向朝向热沉110第一表面111的较短边的延伸方向，且其开口方向朝向的热沉的一端为热沉上正极导电层的非对端，可以是如图5所示的设置正极导电层一端的相邻端。如图2中直线箭头方向所示，较短边的延伸方向以及较短边的方向为从第一表面的一条较长边向另一条较长边的方向。

在本实用新型实施例中，电极连接件140的数量可以大于或等于1。优选的，可以为2个，其中，当为如图6所示的两个C型结构的电极连接件140时，该两个C型结构的电极连接件140彼此相对，即两个电极连接件140的第一连接部142在热沉110第一表面或第二表面的较短边的延伸方向上彼此平行。

进一步的，在本实用新型实施例中，如图7，所述电极连接件140还包括第三端部146b以及第二连接部142b。其中，第三端部146b设置于正极导电层，所述第一端部146以及所述第三端部146b在第二端部的延伸方向上相对设置，所述第三端部与所述第二端部相错设置。当第二端部在第一表面的较短边方向上延伸，请参见图7，所述第一端部146以及所述第三端部146b在所述第一表面111的较短边方向上相对设置。

进一步的，如图7所示，第一端部146以及所述第三端部146b分别设置于热沉的相对的两端，该相对的两端为较长边所在的两端，且第一端部146与第三端部146b均在第一表面111的较短边方向上延伸，且相对延伸。其中，第一端部146从其所在的第一表面111的较长边向第三端部所在位置延伸，第三端部146b从其所在第一表面的较长边向第一端部146所在位置延伸。第一端部146与第三端部146b均设置于正极导电层120。

如图8及图9所示，所述第一连接部142以及所述第二连接部142b在第二端部的延伸方向上相对设置，当第二端部在第一表面111的较短边方向上延伸，该第一连接部142以及所述第二连接部142b在所述第一表面111的较短边方向上相对设置，分别与第一表面111两条较长边对应的两个侧面相对设置，且与侧面保持绝缘。所述第二端部148在所述第一表面111的较短边方向上延伸，从第二表面112的一条较长边所在位置延伸至第二表面112另一条较长边所在位置。其中，可以是第二端部可以在第二表面与负极导电层所在位置相对应的区域内，以任意方式从二表面112的一条较长边所在位置延伸至第二表面112另一条较长边所在位置。在一种具体的实施方式中，如图8所示，第二端部的形状可以与负极导电层的形状相同，或者略小于负极导电层，且第二端部设置于热沉的第二表面与负极导电层所在位置相对应的区域。

并且，所述第二端部148的两端分别与第一连接部142以及所述第二连接部142b连接。其中，第一端部146以及第二端部148的一端通过第一连接部142连接，第三端部146b以及第二端部148的另一端通过第二连接部142b连接，形成如图8及图9所示的U型结构的电极连接件140，使电极连接件140可以稳定地设置于热沉110，如图8所示，该U型结构的电极连接件140的开口方向朝向热沉110的第一表面111，优选为第二表面112与第一表面111的最短连接线所在方向。

在本实用新型实施例中，电极连接件140使用该半导体激光器制冷结构100制成半导体激光器在形成叠阵时，通过电极连接件140的第一端部146与正极导电层120的电性连接，使第二端部148与正极导电层120电性连接，当一个半导体激光器的第二端部148与另一个半导体激光器的负极区域接触时，该一个半导体激光器的正极导电层120与另一个半导体激光器的负极导电层130通过该电极连接件140实现电连接。因此，在本实用新型实施例中，电极连接件140在满足该一个半导体激光器的正极导电层120与另一个半导体激光器的负极导电层130实现电连接的基础上，其具体结构并不作为限定。

第二实施例

本实用新型实施例提供了一种半导体激光器200，包括激光芯片210以及第一实施例所述的半导体激光器制冷结构100。其中，如图4及图10所示，所述激光芯片210设置于所述半导体激光器制冷结构100的正极导电层120，所述激光芯片210的正极与所述正极导电层120电连接，可以是通过焊料将激光芯片210的正极键合于正极导电层120，且激光芯片210在正极导电层120设置的位置为正极导电层120未与电极连接件140的第一端部146接触的区域。

另外，所述激光芯片210的负极与所述半导体激光器制冷结构100的负极导电层130电连接。具体的，如图4及图10所示，激光芯片210与负极导电层130可以通过导电金属线进行电连接，如金线，并且，请参见图10，连接线的最高高度低于半导体激光器制冷结构100的第四绝缘层156的高度。当然，在本实用新型实施例中，激光芯片210的负极与半导体激光器制冷结构100的负极导电层130之间的具体连接方式并不作为限定，也可以通过其他方式使激光芯片210的负极电性连接于负极导电层130。

在制作本实用新型实施例提供的半导体激光器200时，可以通过焊料将激光芯片210的正极键合于设置于热沉110的正极导电层120，再通过导电金属线将激光芯片210的负极电性连接于设置于热沉110的负极导电层130。

第三实施例

本实用新型实施例提供了一种半导体激光器叠阵300，包括上述实施例提供的多个半导体激光器200。其中，多个半导体激光器200沿激光芯片210在热沉110的第一表面111以及第二表面112的连线方向上依次层叠，如图11所示，并通过电极连接件140电性连接。

具体的，层叠设置的多个半导体激光器200中，相邻的两个半导体激光器200之间，第一半导体激光器200中电极连接件140的第一端部146与正极导电层120的电性连接，由于第二端部148通过第一连接部142与第一端部146连通，通过第二连接部142b与第三端部146b连通，设置于热沉110第二表面112的第二端部148与正极导电层120电性连接。当两个相邻的半导体激光器200层叠设置时，第一半导体激光器200的第二端部148与相邻的第二半导体激光器200的负极导电层接触，且避开负极导电层连接激光芯片210的金属连接线，且与相邻的第二半导体激光器200的正极导电层之间保持绝缘，该第一半导体激光器200的正极导电层120与第二半导体激光器200的负极导电层130通过该电极连接件140实现电连接。可以理解的，图11仅示出了两个半导体激光器200相互叠加的情况，在本实用新型实施例中，半导体激光器叠阵300中可以包括多个半导体激光器200，其具体个数在本实用新型实施例中并不限制。

在半导体激光器叠阵300中多个半导体激光器200相互叠加时，设置于热沉110表面的绝缘层可以实现半导体激光器200的热沉110之间的绝缘。

其中，当在半导体激光器200的热沉110的第一表面111设置有第四绝缘层156时，高度略高于设置于所述热沉110的其他器件的高度的第四绝缘层156使半导体激光器200中激光芯片210与负极导电层130之间的导电金属线不至于被其他器件压到，并且，第四绝缘层156的高度仅略高，使相邻的两个半导体激光器200中，其中一个的电极连接件140的第二端部148可以与另一个半导体激光器200的负极导电层130接触而实现电连接。

第四实施例

本实施例提供了一种电极连接件，应用于上述实施例中的半导体激光器制冷结构，或者半导体激光器，或者半导体激光器叠阵。其中，如图6及图9所示，所述电极连接件包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部以及所述第二端部的延伸方向一致，且与所述第一连接部的延伸方向垂直。

该电极连接件的具体结构可以参照上述实施例，在本实施例中不再赘述。

综上所述，本实用新型实施例提供的半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵中，设置于热沉110的电极连接件140的连接部在热沉上所述正极导电层的非对端，使第一端部146以及第二端部148更短，使电极连接件140的长度更短，且在叠阵中，相邻的半导体之间通过电极连接件140电性连接，则电连接路径更短，减小了电机连接件的电阻，进而降低了电路损耗，工艺简单，在降低成本的同时，提高了半导体激光器200的可靠性。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。