本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种肖特基二极管。
背景技术：
肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快速反向恢复时间，在功率整流器件中得到了广泛的应用。
尽管应用广发，但仍然存在一些缺点，例如漏电流大、抗静电性能差等。
市面上难有兼具漏电流低和抗静电性能好的肖特基二极管，因此，亟待进行相应改进和设计。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于针对现有技术中的不足，而提供一种漏电流低且抗静电性能优良的肖特基二极管。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种肖特基二极管，包括由下向上依次层叠的负极金属层、轻掺杂层、重掺杂层以及正极金属层，所述正极金属层的下端面中央部向下突出形成梯形部，所述梯形部抵住重掺杂层上端面中央部，所述重掺杂层设有抗冲弧，所述抗冲弧抵住正极金属层下端面。
优选的，所述正极金属层的下端面两侧与重掺杂层上端面两侧还夹有钛钨合金层。钛钨合金层的设置能进一步加强抗静电性能。
优选的，所述轻掺杂层的掺杂浓度为1.5×1019/cm3，厚度为3-5um。
优选的，所述正极金属层和负极金属层均为Ni或Ti，厚度为1-1.5um。
优选的，所述抗冲弧呈半圆状。
本实用新型的有益效果：
本实用新型的一种肖特基二极管，具有以下优点：
(1)通过将正极金属层设计成T型，即具有向下突出的梯形部，而梯形部的直角效应可增强局部电场强度，降低了漏电流；
(2)通过设计梯形部和抗冲弧，使得本实新的二极管在受到静电冲击时，梯形部和抗冲弧能同时承受冲击，增加了受冲击的区域面积，能降低冲击时的电流密度，进而具有更好的防静电性能；
(3)通过设计轻掺杂层和重掺杂层，由于重掺杂层的掺杂浓度大于轻掺杂层的掺杂浓度，因而提升了二极管表面的离子浓度，利于多数载子注入，从而提升本实新二极管的抗静电能力。
附图说明
图1为本实用新型一种肖特基二极管的实施例的结构示意图。
附图标记：
1-负极金属层、2-轻掺杂层、3-重掺杂层、4-钛钨合金层、5-正极金属层、6-梯形部、7-抗冲弧。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
如图1所示，本实施例的一种肖特基二极管，由下向上依次层叠有负极金属层1、轻掺杂层2、重掺杂层3、钛钨合金层4以及正极金属层5，所述钛钨合金层4位于正极金属层5下端面两侧与重掺杂层3上端面两侧之间。所述负极金属层1和正极金属层5均为Ni，厚度为1-1.5um。所述轻掺杂层2的掺杂浓度为1.5×1019/cm3，厚度为3-5um。所述正极金属层5的下端面中央部向下突出形成梯形部6，所述梯形部6抵住重掺杂层3上端面中央部，所述重掺杂层3设有抗冲弧7，所述抗冲弧7抵住正极金属层5下端面。所述抗冲弧7呈半圆状。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。