技术总结
本发明公开了一种晶圆研磨方法，在具有有机绝缘层以及金属层的晶圆正面覆盖保护蓝膜，然后使用硬质材料将保护蓝膜的表面磨平；再对晶圆进行背面减薄后去除正面保护蓝膜。本发明在对具有不平整表面的蓝膜的晶圆背面进行常规减薄作业之前，先使用硬质材料将蓝膜表面凸凹部分切削平整，然后再进行常规的减薄作业，可以有效改善减薄后的硅片厚度的均匀性，并极大降低晶圆的破片率。
技术研发人员：郁新举;刘玮荪
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.01.11
技术公布日：2018.07.10