技术特征：
技术总结
本发明公开一种耐高温永磁体预稳定处理方法，基于预稳定处理为局部退磁形成保护层的研究发现，尤其适用于永磁体处于半闭路或闭路的服役环境，其要点是：将永磁体的磁极吸附导磁体置于热处理炉中，在高于永磁体最高使用温度30℃～50℃的真空环境中保温2小时或以上，然后随炉自然冷却到室温。本发明可以减小甚至避免传统预稳定处理方法产生的较大磁通不可逆损失，同时确保永磁体的热稳定性和时间稳定性及高磁性能。
技术研发人员：蒋成保;张天丽;夏伟
受保护的技术使用者：北京航空航天大学
技术研发日：2018.02.07
技术公布日：2018.08.17