透明导电膜及其制造方法与流程

文档序号:16237223发布日期:2018-12-11 22:43阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供的透明导电膜,包含可透光的基板、两个p型半导体层,以及一个银金属层。所述p型半导体层上下间隔相对,并且位于该基板上,每一p型半导体层的材料为掺杂锂的氧化镍(以下简写为L‑NiO)。该银金属层位于该p型半导体层之间,该银金属层的厚度为5nm‑25nm。每一个p型半导体层对于可见光的透光度大于或等于90%,该透明导电膜对于可见光的透光度为65%‑85%,该透明导电膜的电阻率为10‑2Ωcm‑10‑4Ωcm。

技术研发人员:王细娥;王鹏飞;李莉
受保护的技术使用者:无锡众创未来科技应用有限公司
技术研发日:2018.06.22
技术公布日:2018.12.11
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