1.一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，包括步骤：
形成介孔二氧化硅；
通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层；
将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜；
通过化学气相沉积技术在介孔二氧化硅薄膜的孔道内通入碳源前驱体，在催化层的催化下发生反应形成碳纳米管薄膜；以及
去除碳纳米管薄膜中的介孔二氧化硅和催化层，形成透明的碳纳米管导电薄膜。
2.如权利要求1所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述形成介孔二氧化硅的步骤包括子步骤：
将三嵌段共聚物溶于去离子水中，形成第一混合溶液；
在第一混合溶液中加入盐酸或硫酸溶液，形成第二混合溶液，所述第二混合溶液的ph值在3到6范围内；
在第二混合溶液中加入正硅酸已酯，反应后形成第三混合溶液；
将第三混合溶液置于反应容器中充分反应形成第四混合溶液；以及
将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态的介孔二氧化硅。
3.如权利要求2所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态的介孔二氧化硅的步骤中，包括子步骤：
将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态且孔径在2到10纳米之间的介孔二氧化硅。
4.如权利要求1所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层的步骤包括子步骤：
将介孔二氧化硅置于原子层沉积反应室中，然后通入催化层气相前驱体；
用惰性气体进行吹扫；
通入还原气体；
用惰性气体进行吹扫；以及
重复上述的步骤在介孔二氧化硅的孔道内沉积催化层。
5.如权利要求4所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述催化层气相前驱体为气相的二茂镍，所述催化层为金属镍催化层。
6.如权利要求1所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜的步骤包括子步骤：
将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅加入到有机醇溶液中，得到第五混合溶液；
在第五混合溶液中加入粘接剂，使第五混合溶液变成粘稠状；以及
将变成粘稠状的第五混合溶液分散均匀，然后在压片机上压制成介孔二氧化硅薄膜。
7.如权利要求1所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述通过化学气相沉积技术在介孔二氧化硅薄膜的孔道内通入碳源前驱体，在催化层的催化下发生反应形成碳纳米管薄膜的步骤包括子步骤：
将介孔二氧化硅薄膜放入化学气相沉积腔室中，然后通入氩气和氢气的混合气体，并加热处理；以及
向化学气相沉积腔室中通入碳源前驱体，冷却后得到包含单壁碳纳米管的碳纳米管薄膜。
8.如权利要求1所述的一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述去除碳纳米管薄膜中的介孔二氧化硅和催化层，形成透明的碳纳米管导电薄膜的步骤包括子步骤：
将碳纳米管薄膜进行加热退火处理；
将经过加热退火处理后的碳纳米管薄膜置于氢氟酸或氢氧化钠溶液中，得到去除介孔二氧化硅的碳纳米管薄膜；以及
将去除介孔二氧化硅的碳纳米管薄膜置于氯化铝溶液或氯化铁溶液中，得到去除催化层且透明的碳纳米管导电薄膜。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述碳纳米管导电薄膜的制作方法所制作出的碳纳米管导电薄膜。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板，以及驱动所述显示面板的驱动电路。