用来进行静电放电保护的方法与装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及静电放电（Electrostatic Discharge, ESD)，特别是涉及一种用来进 行静电放电保护的方法以及相关的装置。
【背景技术】
[0002] 依据相关技术，陆续提出了一些新的半导体制造工艺。然而，某些问题就产生了。 例如：栅极的氧化层的厚度可能减少，使得芯片变得很容易被静电放电损坏。又例如：在一 特定的制造工艺中，氧化层崩溃电压（Oxide Breakdown Voltage)可能很接近结面崩溃电 压（Junction Breakdown Voltage),故传统的静电放电保护架构变得很难使用。因此，需要 一种新颖的方法以在不产生副作用的状况下加强静电放电保护的效能，尤其是使静电放电 保护架构具备较低的触发电压与维持电压（Holding Voltage)，以保护先进技术中的超薄 的氧化层。
【发明内容】
[0003] 因此，本发明的一目的在于提供一种用来进行静电放电（Electrostatic Discharge，ESD)保护的方法以及相关的装置，以解决上述问题。
[0004] 本发明的另一目的在于提供一种用来进行静电放电保护的方法以及相关的装置， 以提升静电放电保护的效能并节省相关成本。
[0005] 本发明的至少一较佳实施例中提供一种用来进行静电放电保护的方法，该方法 应用于一电子装置，该方法包含有下列步骤：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, M0SFET)所形成的一触发源，来 触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体 场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作 为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶 体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电 运作，以对该电子装置进行静电放电保护。
[0006] 本发明于提供上述方法的同时，亦对应地提供一种用来进行静电放电保护的装 置，其中该装置包含一电子装置的至少一部分。该装置包含有：多个金属氧化物半导体场 效应晶体管所形成的一触发源；以及一静电放电装置，耦接至该触发源。尤其是，该多个金 属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼 此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别 被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接。另 夕卜，该多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的该触发源用来触发一放电运作。此外， 该静电放电装置用来因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放 电保护。
[0007] 本发明的好处之一是，相较于相关技术，本发明的方法与相关装置可提升静电放 电保护的反应速度。因此，本发明提供较相关技术更佳的效能。
[0008] 本发明的另一好处是，相较于相关技术，本发明的方法与相关装置可减少芯片面 积。因此，本发明提供可节省相关成本。
【附图说明】
[0009] 图1为依据本发明一第一实施例的一种用来进行静电放电（Electrostatic Discharge,ESD)保护的装置的示意图。
[0010] 图2绘示本发明的一实施例中关于图1所示的装置于一电子装置中的位置安排。
[0011] 图3为依据本发明一实施例的一种用来进行静电放电保护的方法的流程图。
[0012] 图4绘示图3所示的方法于一实施例中所涉及的控制方案。
[0013] 图5绘示本发明的一实施例中关于图4所示的装置于该电子装置中的位置安排。
[0014] 图6绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。
[0015] 图7绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。
[0016] 图8绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。
[0017] 附图符号说明
[0018] 100, 100-1，100-2, 100-3 用来进行静电放电保护的装置 110 触发源 110-1，110-2, ...，110-N 金属氧化物半导体场效应晶体管 120 静电放电装置 200 用来进行静电放电保护的方法 210,220 步骤 810 电子装置中的内部电路 GND 接地线 Mp,Mn, N1,N2,N3,N4, N1(1),N2(1),N3(1),N4(1), Nl(2),N2(2),N3(2),N4(2), N1(3),N2(3),N3(3),N4(3), P1,P2,P3 金属氧化物半导体场效应晶体管 R 电阻器 VCC 电源线
【具体实施方式】
[0019] 请参考图1，其绘示依据本发明一第一实施例的一种用来进行静电放电 (ElectrostaticDischarge,ESD)保护的装置100的示意图，其中该装置包含一电子装置 的至少一部分(例如：一部分或全部)。装置100包含：多个金属氧化物半导体场效应晶体管 (MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，以下简称为「M0SFET」）110-1、 110-2、…、与110-N所形成的一触发源110 ;以及一静电放电装置120,耦接至触发源110。 尤其是，该多个]?05?￡1'110-1、110-2、...、与1104中的任一]\?)5?￡1'110-11的栅极与漏极 彼此电气连接，使该M0SFET110-n被用来作为一个二端子元件诸如二极管（Diode)，其中索 引n可代表落入区间[1，N]的范围内的任一整数。如此，该多个M0SFET110-U110-2、…、 与110-N中的每一M0SFET均为一个接成二极管形式的金属氧化物半导体场效应晶体管 (Diode-ConnectedM0SFET)。依据本实施例，该多个M0SFET110-l、110-2、…、与 110-N所 形成的触发源110用来触发一放电运作，而静电放电装置120用来因应触发源110的触发 来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。
[0020] 如图1所示，分别被用来作为二端子元件的该多个M0SFET110-U110-2、…、与 110-N是以串联的方式连接，而静电放电装置120和触发源110是以并联的方式连接。尤其 是，静电放电装置120的两端子分别电气连接至该电子装置中的两特定端子，且触发源110 的两端子(亦即，触发源110的这一串的M0SFET110-U110-2、…、与110-N的整体的两对外 端子，诸如触发源110的上方端子与下方端子)分别电气连接至该电子装置中的该两特定端 子，其中上述该放电运作可包含该两特定端子之间的放电。例如：该两特定端子可为该电子 装置的一芯片的封装（Package)的多个对外端子中的任两个端子，诸如一输入端子与一接 地端子。这只是为了说明的目的而已，并非对本发明的限制。依据本实施例的一变化例，该 两特定端子可为该电子装置的该芯片上的多个对外端子(其分别对应于该封装的该多个对 外端子)中的任两个端子。依据本实施例的另一变化例，该两特定端子可为该电子装置的该 芯片上的多个内部端子中的任两个端子。依据本实施例的某些变化例，只要不影响本发明 的实施，该两特定端子可为该电子装置的上列各种端子所形成的集合(亦即，该封装的该多 个对外端子、该芯片上的该多个对外端子、以及该芯片上的该多个内部端子所形成的集合） 当中的任两个端子。
[0021] 实作上