新的半导体制造工艺下所生产 的芯片的内部元件，其中该多个M0SFET110-U110-2、…、与110-N的数量N可依需要来决 定。此外，来自这一串的M0SFET110-U110-2、…、与110-N的该通道电流可减缓电压变化， 尤其是可减缓快速瞬时静电放电脉冲所引发的过冲（Overshoot)电压，诸如元件充电模式 (ChargedDeviceModel,CDM)静电放电的脉冲。因此，本发明提供较相关技术更佳的效能。
[0041] 图8绘示图3所示的方法200于另一实施例中所涉及的控制方案，其中该电子装 置中的内部电路810可包含该电子装置的某些内部元件(例如：上述的该输入级，其包含该 NMOSFETMN以及该PM0SFETMP;又例如：上述该芯片中的一输出级)。图8所示的这些组M 0SFET{{N1 (1)，N2 (1)，N3 (1)，N4 (1)}，{N1 (2)，N2 (2)，N3 (2)，N4 (2)}，{N1 (3)，N2 (3)，N3 (3)， N4(3)}}分别为图4所示的该组M0SFET{N1，N2，N3，N4}的复制品。依据本实施例，图1所示 的装置100 (例如：装置100-1 ;又例如：装置110-2 ;又例如：装置110-3)可以适用于该电 子装置中的各种位置的静电放电保护。本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复 赘述。
[0042]以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明的权利要求所做的均等变化与修 饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1. 一种用来进行静电放电保护的方法，该方法应用于一电子装置，该方法包含有下列 步骤： 利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，来触发一放电运作，其 中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅 极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元 件，W及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是W串联的 方式连接；W及 利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，W对该电子装置进行 静电放电保护。
2. 如权利要求1所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
3. 如权利要求2所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
4. 如权利要求1所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
5. 如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应晶 体管、一娃控整流器、一场氧化层元件、或一双载流子结面晶体管。
6. 如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置和该触发源是W并联的方式连接。
7. 如权利要求6所述的方法，其中该静电放电装置的两端子分别电气连接至该电子装 置中的两特定端子，且该触发源的两端子分别电气连接至该电子装置中的该两特定端子； W及该放电运作包含该两特定端子之间的放电。
8. 如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应晶 体管，其栅极与源极彼此电气连接；W及该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一 金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层的厚度大于该静电放电装置中的该金属氧化物 半导体场效应晶体管的氧化层的厚度。
9. 如权利要求1所述的方法，其中利用该多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成 的该触发源来触发该放电运作的步骤还包含： 利用该多个金属氧化物半导体场效应晶体管，因应施加于该触发源的电性应力来产生 一通道电流，W触发该放电运作。
10. 如权利要求9所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应 晶体管，其栅极与源极彼此电气连接；W及该通道电流改变该静电放电装置中的该金属氧 化物半导体场效应晶体管的基极电位，使得该静电放电装置中的该金属氧化物半导体场效 应晶体管的一寄生的双载流子结面晶体管被开启，W进行该放电运作。
11. 一种用来进行静电放电保护的装置，该装置包含一电子装置的至少一部分，该装置 包含有： 多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，用来触发一放电运作，其中 该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极 与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件， W及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是W串联的方 式连接；w及 一静电放电装置，禪接至该触发源，用来因应该触发源的触发来进行该放电运作，W对 该电子装置进行静电放电保护。
12. 如权利要求11所述的装置，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少 一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
13. 如权利要求12所述的装置，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少 一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
14. 如权利要求11所述的装置，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少 一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
15. 如权利要求11所述的装置，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应 晶体管、一娃控整流器、一场氧化层元件、或一双载流子结面晶体管。
16. 如权利要求11所述的装置，其中该静电放电装置和该触发源是W并联的方式连 接。
17. 如权利要求16所述的装置，其中该静电放电装置的两端子分别电气连接至该电 子装置中的两特定端子，且该触发源的两端子分别电气连接至该电子装置中的该两特定端 子；W及该放电运作包含该两特定端子之间的放电。
18. 如权利要求11所述的装置，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应 晶体管，其栅极与源极彼此电气连接；W及该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每 一金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层的厚度大于该静电放电装置中的该金属氧化 物半导体场效应晶体管的氧化层的厚度。
19. 如权利要求11所述的装置，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管因应施加 于该触发源的电性应力来产生一通道电流，W触发该放电运作。
20. 如权利要求19所述的装置，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应 晶体管，其栅极与源极彼此电气连接；W及该通道电流改变该静电放电装置中的该金属氧 化物半导体场效应晶体管的基极电位，使得该静电放电装置中的该金属氧化物半导体场效 应晶体管的一寄生的双载流子结面晶体管被开启，W进行该放电运作。
【专利摘要】本发明提供一种用来进行静电放电保护的方法以及相关的装置，该方法应用于一电子装置，该方法包含有：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，来触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。
【IPC分类】H02H9-00, H01L27-02
【公开号】CN104576636
【申请号】CN201310567332
【发明人】张子恒, 蔡富义, 蔡佳谷
【申请人】智原科技股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年11月14日
【公告号】US20150109705