一种显示基板制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板制备方法。
【背景技术】
[0002]石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度的二维材料，厚度仅有0.335nm，是目前世上最薄却也是最坚硬的纳米材料。它几乎是完全透明的，吸光率仅为2.3%，且导热系数高达5300W/m.Κ。石墨烯的电子导电性良好，常温下其电子迀移率高于15000cm2/V.s，而电阻率仅为10_6Ω.cm,是一种高透光率、高导电性、高柔韧性，高机械强度，高导热性的优异的透明导电薄膜。现有技术中，显示基板中采用石墨烯作为触控电极以及触控传感器已成为显示技术发展的重要研宄方向。
[0003]目前，显示基板制备过程中通过构图工艺形成石墨烯触控传感器的图案时多采用光刻胶技术，在石墨烯层上直接涂覆光刻胶，然后通过曝光显影、刻蚀、剥离等工艺形成石墨烯图形。
[0004]光刻胶等直接接触石墨烯层时会造成石墨烯的脱落和污染，从而导致石墨烯的导电性能变差，最终导致显示基板的产品性能较低。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种显示基板制备方法，该显示基板制备方法中对形成石墨烯图形时对石墨烯的导电性等性能影响较小，进而能够提高得到的显示基板的产品质量。
[0006]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0007]一种显示基板制备方法，包括:
[0008]在金属催化基底上形成石墨稀层；
[0009]通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩膜图形；
[0010]以金属催化基底形成的掩膜图形作为掩模对石墨烯层进行刻蚀以形成石墨烯图形；
[0011]去除残余金属催化基底。
[0012]上述显示基板制备方法中在形成石墨烯图形时光刻胶等不与石墨烯接触，而是利用石墨烯生成时的金属催化基底作为掩模对石墨烯层进行构图，进而能够防止光刻胶与石墨烯层的直接接触，进而减小了石墨烯层在构图时受到的污染，提高石墨烯层构图之后的导电性，进而提尚显不基板的广品质量。
[0013]优选地，所述在金属催化基底上形成石墨烯层，具体包括:
[0014]采用化学气相沉积法在金属催化基底上生长形成石墨烯层。
[0015]优选地，所述通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩模图形，具体包括:
[0016]在金属催化基底背离石墨烯层一侧的表面涂覆光刻胶；
[0017]固化所述光刻胶；
[0018]对光刻胶进行曝光显影；
[0019]对曝光显影后的光刻胶进行硬固化；
[0020]采用湿法刻蚀工艺对金属催化基底进行刻蚀，形成掩模图形。
[0021]优选地，所述以金属催化基底形成的掩膜图形作为掩模对石墨烯层进行刻蚀以形成石墨烯图形，具体包括:
[0022]以金属催化基底形成的掩膜图形作为掩模，采用等离子体干刻工艺对石墨烯层进行构图，形成石墨烯图形。
[0023]优选地，所述去除残余金属催化基底，具体包括:
[0024]剥离金属催化基底上残余的光刻胶；
[0025]采用湿法刻蚀工艺去除残余金属催化基底。
[0026]优选地，在所述在金属催化基底上形成石墨烯层之后、且在所述通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩膜图形之前，还包括:
[0027]在石墨烯层背离金属催化基底的一侧表面形成基材。
[0028]优选地，所述在石墨烯层背离金属催化基底的一侧表面形成基材，具体包括:
[0029]在石墨烯层背离金属催化基底的一侧涂覆PI溶液并热固化形成所述基材。
[0030]优选地，所述基材的厚度小于等于20 μ m。
[0031]优选地，在所述在石墨烯层背离金属催化基底的一侧表面形成基材之后、且在所述通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩膜图形之前，还包括:
[0032]在基材背离石墨烯层的一侧表面形成基材保护涂层，且所述基材保护涂层的折射率小于等于基材的折射率。
[0033]优选地，所述基材保护层的厚度大于等于Inm且小于等于lOOnm。
[0034]优选地，所述去除残余金属催化基底之后，还包括:
[0035]在石墨烯层背离基材的一侧表面涂覆光学保护层以对石墨烯层进行封装保护。
[0036]优选地，所述光学保护层的厚度大于等于Inm且小于等于lOOnm。
[0037]优选地，所述石墨稀层的厚度小于等于2nm。
【附图说明】
[0038]图1为本发明提供的显示基板制备方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0039]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040]请参考图1，本发明实施例提供的显示基板制备方法，包括:
[0041]步骤S101，在金属催化基底上形成石墨稀层；
[0042]步骤S102，通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩膜图形；
[0043]步骤S103，以金属催化基底形成的掩膜图形作为掩模对石墨烯层进行刻蚀以形成石墨稀图形；
[0044]步骤S104，去除残余金属催化基底。
[0045]上述显示基板制备方法中，通过步骤SlOl在金属催化基底上形成石墨烯层，然后通过步骤S102对上述金属催化基底进行构图，最终形成掩模图形；然后通过步骤S103以形成掩膜图形的金属催化基底作为掩模对石墨烯层进行刻蚀以形成石墨烯图形，因此，在步骤S103中是利用石墨烯层生成时的金属催化基底作为掩模对石墨烯层进行构图，光刻胶不会与石墨烯层直接接触，进而减小了石墨烯层在构图时受到的污染，提高石墨烯层构图之后的导电性，进而提尚显不基板的广品质量。
[0046]具体地，上述步骤SlOl中，在金属催化基底上形成石墨稀层时，可以具体通过采用化学气相沉积法在金属催化基底上生长形成石墨烯层。
[0047]一种优选实施方式中，上述步骤S102中，通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩模图形，可以具体包括:
[0048]在金属催化基底背离石墨烯层一侧的表面涂覆光刻胶；
[0049]固化光刻胶；
[0050]对光刻胶进行曝光显影；
[0051]对曝光显影后的光刻胶进行硬固化；
[0052]采用湿法刻蚀工艺对金属催化基底进行刻蚀，形成掩模图形。
[0053]因此，对金属催化基底进行构图后，形成掩膜图形的金属基底背离石墨烯层的一侧保留的光刻胶可以与金属基底配合共同用于对石墨烯层构图时的掩模结构，光刻胶、显影液、剥离液等不与石墨烯层接触，不会污染石墨烯层。
[0054]一种优选实施方式中，上述步骤S103中，