时，如图4b所示，在每个切割线CL和所述绝缘体B交叉的点CP处在衬底的下表面中形成用于防止毛刺的具有预定深度的凹槽110，并且所述凹槽110以所述绝缘体B暴露在每个所述的用于防止毛刺的凹槽110的内部的方式形成。
[0032]也就是说，光学器件衬底包括沿长度方向延伸的导电板A，其中导电板A的侧表面相互结合并且绝缘体B插入其间，并且绝缘体A分别形成在导电板A的侧表面上。进一步地，当沿长度方向和垂直方向切割光学器件衬底时，在切割线CL与绝缘体B交叉的每个点处在光学器件衬底的下表面中形成用于防止毛刺的具有预定深度的凹槽110。凹槽110以绝缘体B暴露于凹槽110的内部的方式形成。
[0033]优选地，如图4b和6所示，凹槽(配合)110的直径大于绝缘体B的宽度，并且如图5的侧视图(横截面图)所示，用于防止毛刺的凹槽110应当形成，以使得暴露于所述衬底100的下表面上的所述绝缘体B的至少一部分容纳在用于防止毛刺的所述凹槽110的内部。
[0034]如图5所示在用于防止毛刺的这样的凹槽110的内部，液体绝缘材料130沉积和固化，或者如图5的左侧的底视图中所示额外地沉积光敏阻焊剂(PSR)，从而大大减少由毛刺引起的电气短路的可能性。
[0035]以这样的方式，对于绝缘体B形成在其中的用于光学器件100的衬底，当如图6所示，在切割线CL和所述绝缘体B交叉的每个点CP处在衬底的下表面中形成用于防止毛刺的具有预定深度的凹槽110时；即使在切割用于光学器件100的所述衬底过程中生成了毛刺，用于防止毛刺的所述凹槽110阻挡了毛刺贯穿到相邻导电区(板)中；因此，它基本有效地消除了电气短路的可能性。进一步地，当用于防止毛刺的凹槽110的内部沉积有绝缘材料130时，效果可以加倍。此外，当液体绝缘材料130填充到凹槽110中时，光敏阻焊剂(PSR)可以如图5所示沉积在比所述凹槽110的直径更大的区域上，以防止与精度有关的故障，并且凹槽110也可以如图6所示形成为从衬底的一端开始到衬底的另一端的延伸的形状，使得凹槽横越沿长度方向形成的多个绝缘体。
[0036]与此同时，如图7所示，在如上述形成用于防止毛刺的凹槽110之后，如果必要，可以额外地形成从衬底的上表面向下延伸到预定深度的腔D(在步骤S300中)。取决于制造过程，所述凹槽110和腔D可以同时形成，或者凹槽110可以形成在腔D形成之后。腔以绝缘体B暴露于腔D的下表面的方式形成，并且具有向下收缩的锥形。
[0037]作为参考，在形成用于防止毛刺的凹槽110的步骤S200中，凹槽110可以形成在已经沉积阻焊剂的光学器件的上表面和下表面上。在凹槽110形成之前以这种方式在光学器件衬底100的上表面和下表面上沉积阻焊剂(优选地，白色阻焊剂)的原因在于增强光的反射能力。
[0038]如上所述，在图7中示出了在切割用于光学器件的衬底之后的芯片衬底，在用于光学器件的衬底中，形成有用于防止毛刺的凹槽110和腔D。
[0039]图7是根据本发明的示例性实施例的从用于光学器件的衬底切割芯片衬底的透视图。
[0040]参考图7，根据本发明的示例性实施例，芯片衬底包括:对应于衬底(用于光学器件的)100的导电板，用于使导电板绝缘的绝缘体B，用于防止毛刺的凹槽110和液体绝缘材料130，光敏阻焊剂(PSR)和腔D。在这样的芯片衬底中，光学器件芯片安装在腔D的内部。一旦完成电镀，在腔D的内部安装光学芯片，然后进行引线接合以连接芯片到由绝缘体B分离的任何一个导电板。在这种情况下，光学芯片的剩余电极电连接到另一个没有光学芯片与之结合的导电板。
[0041]此外，在根据本发明的示例性实施例的用于光学器件的衬底之下，如图5所示，进一步包括保护部分，其中在衬底下方绝缘体B的暴露区域上沉积有阻焊剂，以防止当沉积用于焊接所制造的芯片衬底的焊膏时由于焊膏浸润到绝缘体中导致的性能退化，从而避免焊膏在其上沉积。
[0042]以上的描述仅是本发明的技术宗旨的示例性说明，并且在本发明的范围内而不背离本发明的基本特征时，对于本领域技术人员来说各种修改、变更以及替换是有可能的。因此，本发明的保护范围必须根据附加的权利要求进行解释，并且它必须以这样的方式进行解释，即本发明的权利范围包括所有在与本发明等价范围内的技术宗旨。
【主权项】
1.一种用于光学器件的衬底，所述光学器件包括光学器件衬底，所述光学器件衬底具有沿长度方向伸长的多个导电板，其中所述导电板的侧表面相互结合且绝缘体插入其间，所述绝缘体分别形成在所述侧表面上， 其中当沿长度方向和垂直方向切割所述光学器件衬底时，在所述光学器件衬底的下表面中在切割线与绝缘体中的一个交叉的每个点处形成用于防止毛刺的具有预定深度的凹槽，所述凹槽以所述绝缘体中的一个暴露于所述凹槽的内部的方式形成。
2.根据权利要求1所述的用于光学器件的衬底，其中液体绝缘材料在所述凹槽内部沉积并固化。
3.根据权利要求2所述的用于光学器件的衬底，其中光敏阻焊剂(PSR)沉积在所述绝缘体的暴露于光学器件衬底的下表面的区域上和所述液体绝缘材料的暴露于光学器件衬底的下表面的区域上。
4.根据权利要求1所述的用于光学器件的衬底，其中所述凹槽形成为使得所述绝缘体的暴露于光学器件衬底的下表面的至少一部分容纳在所述凹槽内部。
5.根据权利要求1所述的用于光学器件的衬底，其中所述凹槽的直径比每个绝缘体的宽度更大。
6.根据权利要求1-5中任何一项所述的用于光学器件的衬底，其中阻焊剂沉积在所述光学器件衬底的上表面和下表面上，以增加光反射率。
7.根据权利要求1-5中任何一项所述的用于光学器件的衬底,其中在所述光学器件衬底中以下述方式形成从所述光学器件衬底的上表面向下到达预定深度的腔:所述绝缘体暴露于所述腔的底面。
8.根据权利要求7所述的用于光学器件的衬底，进一步包括在所述腔内部安装在所述光学器件衬底上的光学器件芯片。
【专利摘要】一种用于光学器件的衬底，包括光学器件衬底，该光学器件衬底包括沿长度方向延伸的多个导电板，其中导电板的侧表面相互结合且绝缘体插入其间，绝缘体分别形成在该侧表面上。当沿长度方向和垂直方向切割光学器件衬底时，在光学器件衬底的下表面中在切割线与绝缘体中的一个交叉的每个点处形成用于防止毛刺的具有预定深度的凹槽，所述凹槽以所述绝缘体中的一个暴露于所述凹槽的内部的方式形成。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-62
【公开号】CN104659184
【申请号】CN201410670009
【发明人】安范模, 南基明, 俞京秀
【申请人】普因特工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月20日
【公告号】US20150138659