。
[0039]在本实施例中，可选的，所述去除所述掩模氮化物层204采用的药液为热磷酸。
[0040]现有技术是在衬底上形成第一隔离区205和第二隔离区206之后，直接去除掩模氮化物层204，然后再刻蚀第一隔离区205和第二隔离区206以达预订位置。与现有技术相t匕，本实施例改变了去除掩模氮化物层204的步骤，在对第一隔离区205进行两次刻蚀和对第二隔离区206进行一次刻蚀之后，在去除掩模氮化物层204，这样能够减小刻蚀对浮栅多晶硅层203的高度的影响，既保证了浮栅多晶硅层203的高度，又没有增加第一隔离区205和第二隔离区206的填充难度。
[0041]步骤106，刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区分别达第三预定位置和第四预定位置。
[0042]图2f是本发明实施例提供的制造快闪存储器的方法在本步骤中对应的结构图。参照图2f，刻蚀所述第一隔离区205和第二隔离区206分别达第三预定位置和第四预定位置。
[0043]本步骤是在图2e的基础上对所述第一隔离区205和第二隔离区206进行刻蚀，刻蚀的目标位置分别为第三预定位置和第四预定位置，其中，所述第三预定位置介于所述浮栅多晶硅层的上下表面之间，且低于所述第二预定位置，所述第四预定位置与所述浮栅多晶硅层的上表面持平。
[0044]在本实施例中，可选的，所述刻蚀所述第一隔离区205和第二隔离区206分别达第三预定位置和第四预定位置采用的方法为湿法刻蚀。所述湿法刻蚀的采用的药液为添加臭氧气体的稀释的氢氟酸。所述湿法刻蚀的处理时间为40至80秒。
[0045]与现有技术相比，采用湿法刻蚀能可以低刻蚀对浮栅多晶硅层203高度的影响，能够在保证所述第一隔离区205和第二隔离区206的高度的同时，保证浮栅多晶硅层203的高度不被降低。
[0046]在上述步骤之后，所述第一隔离区和第二隔离区达到目标高度，进一步的，可以在上述结构上面继续形成介质层和栅极多晶硅层。
[0047]上述方案的有益之处在于通过对所述第一隔离区和第二隔离区进行多次刻蚀，既精确控制了所述第一隔离区和第二隔离区的高度，又保证了浮栅多晶硅层的高度，且没有增加器件的制作难度。因此技术的推广便捷、成本低。
[0048]本实施例提供的制造快闪存储器的方法，通过对第一隔离区和第二隔离区进行多次刻蚀来精密的控制隔离区的高度，能够减小单元间的干扰现象，并且通过调整去除掩模氮化物层的步骤和工艺，能够保证浮栅多晶硅层高度，进而提高产品良率和快闪存储器的性能。
[0049]注意，上述内容仅为本发明的较佳实施例。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其它等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种制造快闪存储器的方法，所述快闪存储器包括单元区域和围绕所述单元区域的周边区域，其特征在于，包括: 在衬底上形成隧道氧化物层、浮栅多晶硅层和掩模氮化物层组成的叠层结构； 在所述单元区域和周边区域中分别形成第一隔离区和第二隔离区； 刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区达第一预定位置，其中，所述第一预定位置高于所述浮栅多晶硅层的上表面； 刻蚀所述第一隔离区达第二预定位置，其中，所述第二预定位置介于所述浮栅多晶硅层的上下表面之间； 去除所述掩模氮化物层； 刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区分别达第三预定位置和第四预定位置，其中，所述第三预定位置介于所述浮栅多晶硅层的上下表面之间，且低于所述第二预定位置，所述第四预定位置与所述浮栅多晶硅层的上表面持平。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述单元区域和周边区域中分别形成第一隔离区和第二隔离区，包括: 在所述单元区域和周边区域中分别形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽和第二沟槽贯穿所述叠层结构并延伸进衬底中； 在所述第一沟槽和第二沟槽中填充绝缘材料以分别形成第一隔离区和第二隔离区，其中，由隔离区隔开的衬底为有源区。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于: 形成所述第一沟槽和第二沟槽的工艺为自对准工艺； 在所述填充绝缘材料之后，采用化学机械研磨工艺对所述绝缘材料进行平坦化处理，以使所述第一隔离区和第二隔离区的高度相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区达第一预定位置采用的方法为干法刻蚀。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一隔离区达第二预定位置，包括: 遮蔽所述周边区域，利用干法刻蚀去除所述第一沟槽中的部分绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述掩模氮化物层采用的药液为热磷酸。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区分别达第三预定位置和第四预定位置采用的方法为湿法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的采用的药液为添加臭氧气体的稀释的氢氟酸。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的处理时间为40至80秒。
【专利摘要】本发明公开了一种制造快闪存储器的方法，所述快闪存储器包括单元区域和围绕所述单元区域的周边区域，所述方法包括：在衬底上形成隧道氧化物层、浮栅多晶硅层和掩模氮化物层组成的叠层结构；在所述单元区域和周边区域中分别形成第一隔离区和第二隔离区；刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区达第一预定位置；刻蚀所述第一隔离区达第二预定位置；去除所述掩模氮化物层；刻蚀所述第一隔离区和第二隔离区分别达第三预定位置和第四预定位置。本发明能够提高快闪存储器的性能。
【IPC分类】H01L21-8247
【公开号】CN104733396
【申请号】CN201310722826
【发明人】于法波
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月24日