被所述活性自由基逐渐刻蚀，但紧邻所述密封圈14，且位于所述密封圈14之面向所述真空腔室13 —侧的顶部圆盘11未被刻蚀。同时，所述腔体侧壁12之表面具有耐腐蚀涂层，以阻止所述活性自由基对其腐蚀。非限制性地，所述腔体侧壁12之耐腐蚀涂层包括但不限于Al2O3涂层、Y 203涂层、Y 3A15012涂层、B 4C涂层、Zr02/Y203涂层、YSZ涂层等。
[0028]为更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合【具体实施方式】对本发明等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置的工作原理进行阐述。在【具体实施方式】中，各功能器件之具体尺寸、形状、大小等仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。
[0029]请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为本发明等离子体刻蚀设备之腔体密封面的刻蚀原理示意图。所述等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置1，包括:顶部圆盘11，所述顶部圆盘11为石英材质制备，并构成所述等离子体刻蚀设备之腔体顶部，且在所述顶部圆盘11上设置测温孔111 ;腔体侧壁12，所述腔体侧壁12与所述顶部圆盘11形成密封面10，并进一步与腔体底板(未图示)围闭形成真空腔室13 ;密封圈14，所述密封圈14设置在所述顶部圆盘11与所述腔体侧壁12之间；以及弹性薄片15，所述弹性薄片15设置在所述顶部圆盘11与所述腔体侧壁12之间，并与所述密封圈14间隔设置，且位于所述密封圈14之面向所述真空腔室13的一侧。进一步地，本发明等离子体刻蚀设备的顶部圆盘11之异于所述腔体侧壁12 —侧设置射频系统(未图示)。
[0030]显然地，在所述活性自由基对半导体器件(未图示)进行刻蚀的同时，紧邻所述弹性薄片15，且位于所述弹性薄片15之面向所述真空腔室13 —侧的顶部圆盘11亦会被所述活性自由基逐渐刻蚀，但紧邻所述密封圈14，且位于所述密封圈14之面向所述真空腔室13一侧的顶部圆盘11未被刻蚀。所述腔体侧壁12之表面具有耐腐蚀涂层，以阻止所述活性自由基对其进行腐蚀。所述弹性薄片15具有耐腐蚀涂层，以阻止所述活性自由基对其进行腐蚀。非限制性地，所述腔体侧壁12和所述弹性薄片15之耐腐蚀涂层包括但不限于Al2O3涂层、Y2O3涂层、Y #15012涂层、B 4C涂层、Zr02/Y203涂层、YSZ涂层的其中之一。
[0031]为了更好的实施本发明之技术方案，优选地，设置在所述顶部圆盘11和所述腔体侧壁12之间的弹性薄片15可进行更换使用。即，按需更换使用所述弹性薄片15，直至所述顶部圆盘11之面向所述真空腔室一侧被刻蚀至所述测温孔111底端时更换所述顶部圆盘11。经过生产实践统计分析，所述等离子体刻蚀设备之顶部圆盘11的使用寿命增加至少60%。
[0032]明显地，本发明等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置I通过在所述顶部圆盘11和所述腔体侧壁12之间设置密封圈14，且在所述顶部圆盘11与所述腔体侧壁12之间，并位于所述密封圈14之面向所述真空腔室13的一侧间隔设置所述弹性薄片15，不仅有效避免紧邻所述密封圈14处的顶部圆盘被刻蚀，维持密封特性，而且延缓顶部圆盘11的更换时间，提升其使用寿命，降低生产成本。
[0033]综上所述，本发明等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置通过在所述顶部圆盘和所述腔体侧壁之间设置密封圈，且在所述顶部圆盘与所述腔体侧壁之间，并位于所述密封圈之面向所述真空腔室的一侧间隔设置所述弹性薄片，不仅有效避免紧邻所述密封圈处的顶部圆盘被刻蚀，维持密封特性，而且延缓顶部圆盘的更换时间，提升其使用寿命，降低生产成本。
[0034]本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。
【主权项】
1.一种等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，包括: 顶部圆盘，为石英材质制备，并构成所述等离子体刻蚀设备之腔体顶部； 腔体侧壁，与所述顶部圆盘形成密封面，且进一步与腔体底板围闭形成真空腔室； 密封圈，设置在所述顶部圆盘与所述腔体侧壁之间；以及， 弹性薄片，设置在所述顶部圆盘与所述腔体侧壁之间，并与所述密封圈间隔设置，且位于所述密封圈之面向所述真空腔室的一侧。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘上设置测温孔。
3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘之异于所述腔体侧壁一侧设置射频系统。
4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述弹性薄片具有耐腐蚀涂层，且所述耐腐蚀涂层为Al2O3涂层、Y 203涂层、Y ^Vl5O12涂层、B 4C涂层、Zr02/Y203涂层、YSZ涂层的其中之一。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述腔体侧壁具有耐腐蚀涂层，且所述耐腐蚀涂层为Al2O3涂层、Y 203涂层、Y 3A15012涂层、B 4C涂层、Zr02/Y203涂层、YSZ涂层的其中之一。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述真空腔室进行等离子体刻蚀工艺所采用的反应气体为CF4/02、NF3、C12、CH4/Ar的其中之一。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述真空腔室进行等离子体刻蚀工艺所产生的活性自由基为Cl基和F基。
8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述顶部圆盘和所述腔体侧壁之间的弹性薄片进行更换使用。
9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述弹性薄片更换使用，直至所述顶部圆盘之面向所述真空腔室一侧被刻蚀至所述测温孔底端时更换所述顶部圆盘。
10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备之顶部圆盘的使用寿命增加至少60%。
【专利摘要】一种等离子体刻蚀设备之腔体密封面保护装置，包括：顶部圆盘，为石英材质制备，并构成等离子体刻蚀设备之腔体顶部；腔体侧壁，与顶部圆盘形成密封面；密封圈，设置在顶部圆盘与腔体侧壁之间；弹性薄片，设置在顶部圆盘与腔体侧壁之间，并与密封圈间隔设置，且位于密封圈之面向真空腔室的一侧。本发明通过在顶部圆盘和腔体侧壁之间设置密封圈，且在顶部圆盘与腔体侧壁之间，并位于密封圈之面向真空腔室的一侧间隔设置弹性薄片，不仅有效避免紧邻所述密封圈处的顶部圆盘被刻蚀，维持密封特性，而且延缓顶部圆盘的更换时间，提升其使用寿命，降低生产成本。
【IPC分类】H01L21-67, H01J37-32
【公开号】CN104766778
【申请号】CN201510149622
【发明人】潘无忌, 彭国发, 刘东升, 吕煜坤, 张旭升, 朱骏
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月31日