一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种能够在光照负偏压(NBIS)的情况下防止阈值电压(Vth)发生漂移的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称IXD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。
[0003]液晶显示器通常包括相对设置的液晶显示面板及背光模块，背光模块提供显示光源给液晶显示面板。液晶显示面板通常包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光片基板及夹设于这两个基板之间的液晶层，其籍由分别施加电压至这两个基板，控制液晶层中的液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从而达到显示的目的。
[0004]薄膜晶体管阵列基板包括在基板上阵列形成的若干薄膜晶体管(TFT)。由于与传统的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管相比，非晶氧化铟镓锌(a-1GZO)薄膜晶体管具有较高电子迀移率、低温制备能力、优秀的大面积制备均一性、良好的可见光透明度、较高的开/关比和低阈值电压(Vth)等优势，近年来a-1GZO TFT逐渐成为有源矩阵显示器中的优选开关元件。然而，由于在光照负偏压(NBIS)的情况下，a-1GZO TFT的阈值电压容易发生漂移，所以目前很难使得a-1GZO TFT实现规模化的量产。
【发明内容】
[0005]为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种能够在光照负偏压的情况下防止阈值电压发生漂移的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
[0006]根据本发明的一方面，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括:在基板上的薄膜晶体管的底栅极；在所述基板上且覆盖所述底栅极的底栅极绝缘层；在所述底栅极绝缘层上的半导体氧化物层；在所述底栅极绝缘层上且覆盖所述半导体氧化物层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层包括第一通孔，通过所述第一通孔露出所述半导体氧化物层的部分；在所述刻蚀阻挡层上的所述薄膜晶体管的漏极和源极，所述漏极通过所述第一通孔接触所述半导体氧化物层；在所述刻蚀阻挡层上且覆盖所述漏极和所述源极的绝缘保护层；在所述绝缘保护层、所述刻蚀阻挡层以及所述底栅极绝缘层中的第二通孔，通过所述第二通孔露出所述底栅极的部分；在所述绝缘保护层上的顶栅极，所述顶栅极通过所述第二通孔接触所述底栅极。
[0007]进一步地，所述半导体氧化物层包括非晶氧化铟镓锌。
[0008]进一步地，所述底栅极包括至少一种金属材料。
[0009]进一步地，所述顶栅极与像素电极采用的材料相同。
[0010]进一步地，所述像素电极包括氧化铟锡。
[0011]根据本发明的另一方面，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括:在基板上形成薄膜晶体管的底栅极；在所述基板上形成覆盖所述底栅极的底栅极绝缘层；在所述底栅极绝缘层上形成半导体氧化物层；在所述底栅极绝缘层上形成覆盖所述半导体氧化物层的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层中形成第一通孔，以使所述第一通孔露出所述半导体氧化物层的部分；在所述刻蚀阻挡层上形成所述薄膜晶体管的漏极和源极，以使所述漏极通过所述第一通孔接触所述半导体氧化物层；在所述刻蚀阻挡层上形成覆盖所述漏极和所述源极的绝缘保护层；在所述绝缘保护层、所述刻蚀阻挡层以及所述底栅极绝缘层中形成第二通孔，以使所述第二通孔露出所述底栅极的部分；在所述绝缘保护层上形成顶栅极，以使所述顶栅极通过所述第二通孔接触所述底栅极。
[0012]进一步地，利用非晶氧化铟镓锌材料形成所述半导体氧化物层。
[0013]进一步地，利用至少一种金属材料形成所述底栅极。
[0014]进一步地，利用透明导电材料同时形成所述顶栅极和像素电极。
[0015]进一步地，利用氧化铟锡材料同时形成所述顶栅极和所述像素电极。
[0016]本发明的有益效果:在光照负偏压的情况下，形成在基板上的薄膜晶体管可防止其阈值电压发生漂移，从而提高薄膜晶体管的可靠性，进而提升液晶显示面板的显示品质。
【附图说明】
[0017]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0018]图1不出了根据本发明的实施例的液晶显不面板的侧视不意图；
[0019]图2示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的剖视示意图；
[0020]图3示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。
【具体实施方式】
[0021]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。也将理解的是，在一层或元件被称为形成在另一层或基板“上”时，它可以直接形成在该另一层或基板上，或者也可以存在中间层。
[0022]图1示出了根据本发明的实施例的液晶显示面板的侧视示意图。
[0023]参照图1，根据本发明的实施例的液晶显示面板包括彩色滤光片基板100、薄膜晶体管阵列基板200以及夹设在彩色滤光片基板100和薄膜晶体管阵列基板200之间的液晶层 300。
[0024]液晶层300中包括若干液晶分子。与薄膜晶体管阵列基板200相对设置的彩色滤光片基板100也称CF (Color Filter)基板，其通常包括基板(诸如透明玻璃基板、PET基板)以及设置在基板上的黑色矩阵图案、彩色滤光层(诸如红(R)、绿(G)和蓝(B)滤光片图案)以及配向层等。鉴于根据本发明的实施例的彩色滤光片基板100与现有的液晶显示面板中的彩色滤光片基板大致相同，因此其具体结构可参照相关的现有技术文献中的描述，在此就不再赘述。
[0025]图2示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的剖视示意图。图3示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。
[0026]参照图2，根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板200也称TFT (Thin FilmTransistor)基板，其包括基板210、底栅极220、底栅极绝缘层230、半导体氧化物层240、刻蚀阻挡层250、源极260a和漏极260b、绝缘保护层270、顶栅极280a。
[0027]基板210可例如是透明的玻璃基板或PET基板，但本发明不限制于此。
[0028]在本实施例中，底栅极220被图案化地形成在基板210上，其中，在基板210上图案化地形成底栅极220的同时，在基板210上也图案化地形成用于接收扫描信号的扫描线292。这里，底栅极220和扫描线292都是利用至少一种金属材料而形成，例如，铝、钼、铜等的一种或多种。优选地，底栅极220包括的金属材料与扫描线包括的金属材料相同，这样，可方便二者同时形成。
[0029]底栅极绝缘层230形成在基板210上，并且底栅极绝缘层230覆盖底栅极220。这里，底栅极绝缘层230可包括氮化硅(SiNx)/二氧化硅(S12)或Si02或SiNx/硅氧氮(S1N)/S12，但本发明并不限制于此。
[0030]半导体氧化物层240被图案化地形成在底栅极绝缘层230。这里，半导体氧化物层240可包括非晶氧化铟镓锌