上的活性面，而另一个被设置为具有向下的活性面。
[0060]图2至图11示出了根据示例性实施例的在用于制造电子模块100的方法期间得到的多个结构的横截面图。
[0061]参考图1中的电子模块100的描述，已经论述了电介质层104'、112'。当在制造方法期间形成的和此外进一步描述的附着层104、112硬化时，能够得到电介质层104'、112'。
[0062]为了得到在图2中示出的结构200，提供作为第一基底102的膜层堆200。可选地，(例如通过钻孔或者腐蚀或者通过激光处理、例如紫外线激光处理)在第一基底102的主表面中能够形成多个袋孔202 (作为预结构，其之后作为用于形成开口的基础，例如平面开口或者导通孔，例如能够用于背面的接触的电子芯片106)和/或至少一个定向标记204(在此以注册孔(Registrierlochs)的形式)。定向标记204能够作为定向辅助在安置电子芯片106 (参见图4)时，在安装电介质结构120 (参见图6)时，在形成导通孔时(参见图8)和/或在导电结构的平面印刷腐蚀时使用，以位置精确地实施各个步骤。多个袋孔202用作用于电子芯片106的背侧的连接端。
[0063]图2示出了细节图280，其对应于第一基底102的第一主表面上的顶视图。还示出了组件安装区域260，其对应于第一基底102的第一主表面的大部分，仅仅除了环形的边缘区域250和在中央区域中的定向标记270。在图2中示出的结构200对应于第一基底102的组件安装区域260的小的中央的部分截面，其例如能够具有40cm长和20cm宽的尺寸。组件安装区域260对应于第一基底102的那个区域，其在处理和隔离后，例如参考图11的进一步描述，形成用于单个待制造的电子模块100的基础。该组件安装区域260，例如参考图3的进一步描述，完全地或者全面地被粘结材料覆盖。同样地适用于下面的进一步描述的第二基底I1 (参见图6)，其组件安装区域260同样地被粘结材料完全地或者全面地覆盖。
[0064]根据图2的另一个细节图290示出了，第一基底102在仔细观察的情况下能够形成为由三个组件构成的层堆。一个临时的载体102c是具有例如70 μ m的厚度的铜结构(替换地由铝或者镍制造)。一个例如仅仅几纳米厚的分离层102b将临时的载体102c从功能层102a分离，该功能层例如能够是9 μ m厚的铜层。临时的载体102c简化了再芯片安装中的薄的第一载体102的处理。分离层102b的设置允许临时的载体102c从功能层102a的脱离(参见图7至图8的过程)。这是可能的，多个袋孔202和多个定向标记204仅仅通过功能层102a穿透地延伸，而不通过临时的载体102c。
[0065]为了由结构200得到在图3中示出的结构300，例如通过压或者沉淀或者层压(即通过高压力的按压而连接)将第一附着层104全面地施加在第一基底102上，以完全和全面地覆盖其组件安装区域260。尤其地，多个袋孔202通过第一附着层104的粘结材料(例如由树脂构成)被覆盖。可选地，第一附着层104的材料现在能够被预干燥或者以另一种方式预处理，使得其仍然保持期望量的黏性。例如，第一附着层104的厚度(正如第二附着层112的厚度，其在之后的方法步骤中施加)能够被调节在5 μ m和100 μ m，尤其是在20 μ m和30 μπι的范围内。
[0066]这是可选的和可能的，第一附着层由两个部分层构成(参见图1中的附图标记122、124)，其中，第一部分层能够在第二部分层被施加之前被首先预处理(例如能够被预干燥)。
[0067]为了由结构300得到在图4中示出的结构400，具有各自的第一主面108的多个电子芯片106被放在第一附着层104上，并且因此被粘结固定和安装在第一基底102处。电子芯片106在黏的或者还湿润的第一附着层104上的安装能够通过贴片机(Pick&Place-Maschine)以高的速度进行。在该步骤期间，电子芯片106相对于第一附着层104和第一基底102的定向通过使用定向标记204来实现。
[0068]为了从结构400得到在图5中示出的结构500，第一附着层104的材料被至少部分地干燥和/或至少部分地硬化，以清除在附着材料中可能含有的溶剂，这优化了已安装的电子芯片106的处理并且强化了附着。
[0069]为了从结构500得到在图6中示出的结构600，被构造作为膜堆的第二基底110在其组件安装区域260 (参见图2中的相应的细节图280)被首先设置为完全具有由粘结材料构成的第二附着层112。
[0070]根据图6的细节图650，在仔细观察的情况下第二基底110能够形成由三个组件构成的层堆。一个临时的载体IlOc是具有例如
[0071]70 μπι的厚度的铜结构(替换地由铝或者镍制造)。一个例如仅仅几纳米厚的分离层IlOb将临时的载体IlOc从功能层IlOa分离，该功能层例如能够是9 ym厚的铜层。临时的载体IlOc简化了在键合过程中的薄的第二载体110的处理。分离层IlOb的设置允许临时的载体IlOc从功能层IlOa的脱离(参见图7至图8的过程)。
[0072]尽管在图中未示出，这是可选得可能的，在由第二基底110和第二附着层112构成的结构与由第一基底102和第一附着层100构成的结构连同在其上施加的电子芯片106固定之前，在由第二基底110和第二附着层112构成的结构中固定一个或多个电子芯片106。
[0073]根据图5的结构500于是与由第二附着层112覆盖的第二基底110连接，其中，位于其中的空穴通过电介质结构120填充。该电介质结构120能够以单体或者结构化或过孔的层的形式设置，并且例如由预浸料构成。
[0074]在该连接过程，电子芯片106的第二主表面114与第二附着层112的不同的部分同时地连接，如在图7中示出的结构700所示。由于额外的电绝缘的层以在相应的基底102、110上多个附着层104、112的形式被压紧，有利地例如仅正好一个作为电介质结构120的结构化的预浸料层是足够的，以将两个基底104、110连同其装备相互层压。该层压能够通过真空印刷电路板层压来实现。该预浸料层也能够通过结构化的核心层来替代。虽然在图中未示出，这也是可能的，在基底102、110的相互安装之前，将其他的电子芯片106安装在第二基底110上。
[0075]为了从结构700得到在图8中示出的结构800，临时的载体102c、IlOc首先从结构700中脱离或者取下。接着通过腐蚀和/或激光过孔生成用于形成多个微导通孔的多个过孔118，其通过基底102、110和附着层104、112传透地延伸。替换地是可能的，在基底102、110的固定位置的多个过孔118是预先制造的。也能够根据需要执行净化过程。
[0076]为了从结构800得到在图9中示出的结构900，在结构800的两个相对的主表面上沉淀导电的材料，以在多个过孔118中形成多个电触点116，并且再次提高基底102、112的厚度。首先，薄的胚层通过使用无电流的铜沉淀过程前侧地和后侧地形成，并且之后能够以电化学过程或直接的金属沉淀过程继续。
[0077]为了从结构900得到在图10中示出的结构1000，根据图9中的步骤来加厚的基底102、110例如通过平面印刷和腐蚀步骤被结构化，从而单个电子芯片106的单个焊盘以期望的方式保持部分地彼此电耦合或者另一部分地彼此电解耦。替换该开发-腐蚀-剥离步骤，也能够使用结构化的沉淀过程。
[0078]尽管在图中未示出，这是可能的，在结构1000的上侧和/或下侧形成其他层和/或安装其他组件。这是进一步可能的，施加电焊结构，实施修整步骤等。
[0079]为了从结构1000得到在图11中示出的电子模块100，结构1000在分离线1002处例如通过腐蚀、激光处理或者锯断来分离，由此电子模块100被分离。
[0080]附着层104、112(参见图3至图11)至电介质层1f、112^ (参见图1)的转换尤其通过硬化、在制造方法期间的一个或多个不同的时间点实现(例如根据图5、图7、图8和/或图11的阶段，或者其他阶段)。
[0081]替换参考图9至图11所描述的步骤，这是替换得可能的，添加其他的接触制造过程，例如由传统的电路板技术已知的。
[0082]根据图2至图11的描述示出，用于制造根据示例性实施例的电子模块100的步骤的大部分是批量地执行的，即对于许多电子模块100以共同的并行的制造方法。然而这也是可能的，在分离后才执行上面描述的步骤中的单个，例如构造电焊结构(参见图1中的附图标记134) O
[0083]本领域技术人员会意识到，所描