PS阵列基板。
[0080] 需要说明的是，对于如图1所示的LTPS的阵列基板的结构，还可以通过一步蚀刻 绝缘层与钝化层的方式来降低对源漏极的过度刻蚀，具体实施步骤如图7所示，包括：
[0081 ] 步骤S701、在预制LTPS阵列基板上沉积形成有机膜层。
[0082] 步骤S702、在所述有机膜层上图案化形成公共电极。
[0083] 步骤S703、蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的第二 金属层显露。
[0084] 步骤S704、在形成有所述公共电极的有机膜层上先后形成绝缘层、内嵌触控板以 及钝化层。
[0085] 步骤S705、依次蚀刻所述钝化层与所述绝缘层至所述第一过孔内的第二金属层显 露。
[0086] 步骤S706、在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述第一 过孔内与所述第二金属层接触。
[0087] 相比于现有的LTPS阵列基板的制程，上述步骤减少了在绝缘层对第一过孔的扩 孔工艺，简化了工艺步骤，提高了生产的效率。同时，上述工艺步骤在整体上减少了对源漏 极金属蚀刻的次数，有利于降低对源漏极金属的过度刻蚀，改善基板的性能。
[0088] 另一方面，本申请还提供了一种LTPS阵列基板，包括设置于薄膜晶体管的源极或 漏极所在的金属层与像素电极之间的第一过孔，以及设置于所述第一过孔底部的保护层， 其中所述保护层覆盖在所述源极或漏极所在的金属层上面且与所述像素电极电连接。进一 步地，保护层的材料为导体材料，所述导体材料包括用于形成公共电极的电极材料或用于 形成内嵌触控板的金属材料。该LTPS阵列基板的具体结构可参见图3 (b)、图4 (b)、图5 (b) 以及图6(b)，不再赘述。
[0089]虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采 用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本 发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化， 但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种制作LTPS阵列基板的方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤一、对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过 孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露； 步骤二、在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上； 步骤三、通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层 蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成公共电 极的电极材料时，所述步骤一具体包括， 蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金 属层显露。
3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成公共电 极的电极材料时，所述步骤二具体包括， 在所述有机膜层上涂覆用于形成公共电极的电极材料层，所述电极材料层同时填充于 所述第一过孔内并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触； 图案化所述电极材料层形成公共电极和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述公 共电极与所述保护层绝缘。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触 控板的金属材料时，所述步骤一具体包括， 在所述有机膜层上图案化形成公共电极； 蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金 属层显露。
5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触 控板的金属材料时，所述步骤二具体包括， 在所述公共电极上涂覆一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内 并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触； 图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述 内嵌触控板与所述保护层绝缘。
6. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触 控板的金属材料时，所述步骤二具体包括， 在形成有所述公共电极的有机膜层上沉积一层绝缘层； 蚀刻所述绝缘层形成第二过孔，同时将第一过孔内沉积的绝缘层蚀刻掉，所述第一过 孔使薄膜晶体管的第二金属层显露，所述第二过孔使所述公共电极显露； 在所述绝缘层上涂敷一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内以 及所述第二过孔内，并分别与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层以及所述公共电 极接触； 图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述 内嵌触控板与所述保护层绝缘。
7. 根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述在形成像素电极之前形 成的覆盖所述保护层的多层膜层包括钝化层，所述步骤三具体包括， 蚀刻所述钝化层至所述第一过孔内的保护层显露； 在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述第一过孔内并与所述 保护层接触。
8. -种制作LTPS阵列基板的方法，该方法包括： 在预制LTPS阵列基板上沉积形成有机膜层； 在所述有机膜层上图案化形成公共电极； 蚀刻所述有机膜层形成过孔，所述过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显 露； 在形成有所述公共电极的有机膜层上先后形成绝缘层、内嵌触控板以及钝化层； 依次蚀刻所述钝化层与所述绝缘层至所述过孔内的源极或漏极所在的金属层显露； 在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述过孔内与所述源极或 漏极所在的金属层接触。
9. 一种LTPS阵列基板，包括设置于薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层与像素电 极之间的第一过孔，以及设置于所述第一过孔底部的保护层，其中所述保护层覆盖在所述 源极或漏极所在的金属层上面且与所述像素电极电连接。
10. 根据权利要求9所述的LTPS阵列基板，所述保护层的材料为导体材料，所述导体材 料包括用于形成公共电极的电极材料或用于形成内嵌触控板的金属材料。
【专利摘要】本发明公开了一种LTPS阵列基板及其制作方法，该阵列基板的制作方法包括，对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。该方法可以有效地防止在加工过孔时对源极或漏极的过度刻蚀，简单快键，易于利用现有的生产线进行推广。
【IPC分类】H01L21-84, H01L27-12, H01L27-28
【公开号】CN104867878
【申请号】CN201510271973
【发明人】陈归, 薛景峰
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月26日