触，使第二金属层32的断开位置通过ITO导电薄膜35连接导通。如此，通过在第二金属层22与第一金属层21重叠区域使用过孔材料导电性不一致，利用不同材料间电容差异分散与导走TFT显示器件上的ESD，从而降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。
[0025]图6是本发明实施例的TFT显示器件的制作方法的流程示意图。如图6所示，TFT显示器件的制作方法包括:
[0026]步骤SlO:在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜。
[0027]步骤Sll:在第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜。
[0028]步骤S12:在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。
[0029]其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。具体地，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。在第二金属层与第一金属层重叠区域，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。当然在本发明的其他实施例中，也可以在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和第二金属层皆断开，第一金属层和第二金属层的断开位置分别通过不同或相同的ITO导电薄膜连接导通。如此，通过将TFT显示器件上显示区外围线宽较大的金属走线更改成由ITO薄膜组成的走线，并通过过孔桥接方式连通金属走线的两端，减少线宽较大金属走线与线宽较小金属走线上下跨线产生ESD。另外，在第二金属层与第一金属层重叠区域使用导电性不一致的过孔材料，如分别为金属和ITO导电薄膜，可以利用不同材料间电容差异分散与导走TFT显示器件上的ESD，从而降低ESD对TFT显示器件的击伤，提尚广品良率，提升广品竞争力。
[0030]在本发明实施例中，第一氮化硅薄膜23和第二氮化硅薄膜26可以采用相同的氮化硅薄膜，如SiNx薄膜。在本发明的其他实施例中，也可以采用不同的氮化硅薄膜。
[0031]综上所述，本发明的TFT显示器件通过在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属上层沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。
[0032]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种TFT显示器件，其特征在于，所述TFT显示器件包括: 第一金属层，在所述第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜； 第二金属层，沉积在所述第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜； 过孔，在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用所述过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通。
2.根据权利要求1所述的TFT显示器件，其特征在于，所述过孔穿过所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，与所述第一金属层和/或所述第二金属层接触。
3.根据权利要求2所述的TFT显示器件，其特征在于，所述ITO 导电薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上。
4.根据权利要求1所述的TFT显示器件，其特征在于，所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
5.根据权利要求1所述的TFT显示器件，其特征在于，所述第二金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与第二金属层接触，使所述第二金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
6.一种TFT显示器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜； 在所述第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜； 在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述过孔穿过所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，与所述第一金属层和/或所述第二金属层接触。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述ITO导电薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与第二金属层接触，使所述第二金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
【专利摘要】本发明公开了一种TFT显示器件及其制作方法，TFT显示器件包括：第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。通过上述方式，本发明能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。
【IPC分类】H01L21-77, H01L27-02, H01L27-12
【公开号】CN104867924
【申请号】CN201510227667
【发明人】谢克成, 洪日
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月6日