导体层，而且第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层位于同一层中。这样，步骤S2可以包括:通过构图工艺和掺杂工艺同时形成第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。
[0050]进一步地，第一掺杂半导体层包括:P型半导体和N型半导体，第二掺杂半导体层包括中间掺杂部分和位于中间掺杂部分两侧且掺杂类型与中间掺杂部分相反的侧掺杂部分，通过构图工艺和掺杂工艺同时形成第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层可以包括:
[0051]在衬底基板上形成半导体材料层，利用第一构图工艺形成半导体层，其中薄膜晶体管区域和至少一个太阳能电池单元区域的半导体层彼此不连接；
[0052]示例性地，在本发明的实施例中，半导体层可以为多晶硅层或单晶硅层，当半导体层为多晶硅层时，在衬底基板上形成半导体材料层可以包括:在衬底基板上沉积非晶硅层；以及利用结晶化方法，例如，准分子激光退火(ELA, Excimer-Laser Annealing)或固相结晶化(SPC, Solid Phase Crystallizat1n)等方法，使非晶娃层结晶形成多晶娃层。
[0053]在完成以上步骤后获得的衬底基板上利用第一掩模板向薄膜晶体管区域的半导体层掺杂P型/N型杂质而形成中间掺杂部分，同时向太阳能电池单元区域的半导体层掺杂P型/N型的杂质而形成P型/N型半导体；
[0054]在完成以上步骤之后的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层；
[0055]利用第二构图工艺图案化所述栅极金属层而在薄膜晶体管区域形成包括栅极、栅线的图形；
[0056]利用第二掩模板向薄膜晶体管区域的半导体层且在中间掺杂部分的两侧掺杂N型/P型的杂质而形成侧掺杂部分，同时向太阳能电池单元区域的半导体层的未进行掺杂的部分掺杂N型/P型的杂质而形成N型/P型半导体。
[0057]示例性地，根据本发明实施例的衬底基板可以是柔性基板，例如，各种塑料膜，如聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚醚砜(polyether sulfone, PES)、聚碳酸醋(Polycarbonate, PC)或聚酰亚胺(PI)及其衍生物等制成的基板。或者，衬底基板100可以刚性基板，例如，玻璃基板、不锈钢基板等。
[0058]在衬底基板是柔性基板的情况下，步骤SI包括:准备玻璃基板；以及在玻璃基板上涂敷柔性衬底材料，例如，聚酰亚胺材料而形成柔性衬底。而且，在步骤S2之后，根据本发明实施例的阵列基板的制造方法还包括:将柔性衬底以及形成在其上的薄膜晶体管和至少一个太阳能电池单元从玻璃基板剥离。
[0059]进一步地，根据本发明实施例的制造方法，在步骤SI之后且在步骤S2之前，还包括:在衬底基板上形成缓冲层。
[0060]下面结合图7(a)_(j)对根据本发明实施例的阵列基板的示例性制造方法进行描述，这里以顶栅型薄膜晶体管为例且连续地示出了太阳能电池单元所在区域和薄膜晶体管所在区域，但二者的中间区域也可能有其他元件，为了简洁，而没有示出。
[0061]步骤Sll，准备衬底基板100，衬底基板100包括显示区域102和围绕显示区域102的周边区域101 ；
[0062]步骤S12，在衬底基板100上沉积半导体材料层110，如图7(a)所示，然后，利用第一构图工艺形成半导体层120，其中薄膜晶体管区域Al的半导体层120-1和太阳能电池单元区域A2的半导体层120-2彼此不连接，如图7(b)所示；
[0063]步骤S13，在完成步骤S12之后获得的衬底基板100上利用第一掩模板向薄膜晶体管区域Al的半导体层120-1掺杂P型/N型杂质而形成中间掺杂部分132，同时向太阳能电池单元区域A2的半导体层120-2掺杂相同类型的P型/N型的杂质而形成P型/N型半导体122，如图7(c)所示；
[0064]步骤S14，在完成步骤S13之后的衬底基板100上依次沉积栅极绝缘层14和栅极金属层150，如图7(d)所示；
[0065]步骤S15，利用第二构图工艺图案化栅极金属层150而在所述薄膜晶体管区域形成包括栅极15、栅线(未示出)的图形，如图7(e)所示；
[0066]步骤S16，利用第二掩模板向薄膜晶体管区域A2的半导体层120_2且在中间掺杂部分132的两侧掺杂N型/P型的杂质而形成侧掺杂部分131，同时向太阳能电池单元区域Al的半导体层120-1的未进行掺杂的部分掺杂N型/P型的杂质而形成N型/P型半导体121，如图7 (f)所示，这里侧掺杂部分131作为薄膜晶体管源极区域和漏极区域。示例性地，在形成侧掺杂部分时，也可以以栅极15作为掺杂掩模。
[0067]步骤S17，在完成步骤S16之后的衬底基板上沉积层间绝缘层16，然后利用第三构图工艺在层间绝缘层以及栅极绝缘层中对应于源极区域和所述漏极区域形成两个过孔171，图7(g)所示；
[0068]步骤S18，在层间绝缘层16上形成源漏电极金属层170，然后利用第四构图工艺形成连接到源极区域和漏极区域131的源电极和漏电极17，如图7(h)所示。
[0069]进一步地，还可以在薄膜晶体管区域形成连接到源电极或漏电极的像素电极，相应地，可以在太阳能电池单元区域形成分别连接到P型半导体和N型半导体的电极。
[0070]示例性地，在上述步骤S18之后，还包括以下步骤:
[0071]步骤S19，在完成步骤S18之后的衬底基板上沉积平坦化层18，且在平坦化层中利用第五构图工艺在源电极或漏电极上方形成过孔191以暴露源电极或漏电极17，且在太阳能电池单元区域Al的平坦化层18、层间绝缘层16和栅极绝缘层15中形成对应于P型半导体和N型半导体的过孔201和202，如图7⑴所示；
[0072]步骤20，在完成步骤19之后的衬底基板100上沉积金属层190，利用第六构图工艺图案化金属层190，从而形成电连接到像素电极19以及电极20，如图7 (j)所示。
[0073]以上仅是以顶栅型薄膜晶体管为例，对于底栅型薄膜晶体管，其制造方法类似，只是各层的形成顺序略有差异，但是构图工艺和层形成工艺都类似这里不进行赘述。
[0074]需要注意的是，本发明实施例所指的构图工艺包括通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
[0075]第三实施例
[0076]本发明的第三实施例提供一种有机发光显示装置，包括:显示面板，包括根据第一实施例的阵列基板以及与阵列基板对置的相对基板。
[0077]进一步地，该有机发光显示装置还可以包括储能单元，其被构造为存储至少一个太阳能电池单元产生的电能。
[0078]示例性地，该储能单元的分别通过布线连接到太阳能电池单元的两个电极。
[0079]示例性地，太阳能电池单元也可以直接为栅极驱动器和/或源漏极驱动器提供电能，这样，其两个电极不需要连接到阵列基板外部的储能单元，而只需要内部布线进行连接即可。
[0080]示例性地，当该阵列基板具有柔性衬底基板时，该有机发光显示装置可以实现厚度薄、重量轻、可弯折甚至可卷曲的柔性显示，使其能够应用于手表、服装、背包等穿戴产品中。而且能够实现集成有太阳能电池的有机电致发光显示装置。
[0081]根据本发明实施例的阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置，在该阵列基板中，至少一个太阳能电池单元与薄膜晶体管位于衬底基板的同一侧且形成在多个像素区域和周边区域至少之一中，由于太阳能电池设置在阵列基板中，所以太阳能电池单元可以采用光刻工艺形成，进一步地，太阳能电池与薄膜晶体管形成在衬底基板的同一侧，这样，其可以与薄膜晶体管采用相同的工艺形成，从而可以在不增加工艺流程和制作材料的前提下，通过利用光刻工艺精细化的特点，将太阳能电池单元制作在薄膜晶体管阵列基板中，由此能够降低制作成本、提高良率且使得产品易于实现。而且，采用该阵列基板的有机发光二极管显示装置能够将有机发光显示装置与太阳能电池整合到一起，尤其是，当该阵列基板采用柔性衬底基板时，还能够与柔性显示整合到一起，从而实现了自供电、自发光、可弯折的显示装置。<