一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。
【背景技术】
[0002]OLED由于具有自发光，宽视角，响应快，轻薄，易于用于柔性显示领域等诸多优点而成为目前研宄的热点，是公认的继IXD，PDP之后下一代显示技术的主流。
[0003]氧化物半导体具有较高的迀移率，同时非晶结构与目前a-Si制程兼容性较高，在OLED大尺寸面板的生产中得到了广泛的应用。
[0004]氧化物半导体背板TFT应用较多的结构包括蚀刻阻止(ESL)结构，背沟道蚀刻(BCE)结构，共平面(CP)结构，这些结构各有优缺点，其中ESL结构因为蚀刻阻止层保护氧化物半导体，器件稳定性较好，但是蚀刻阻止结构Array制程中需多一道光罩，且耦合电容较大，不利于良率的提升，及成本的下降。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，能够减小金属层的损坏以及减少制程中的光罩，提高生产良率。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板的制作方法，其特征在于，方法包括:在基板上依次形成第一金属层、绝缘层、第一薄膜层、蚀刻阻止层、第二金属层及无机层；在有无机层上形成光阻层；在无机层及光阻层上形成有机层；在有机层及无机层上挖孔以形成第一通孔，使第二金属层部分裸露出来；在有机层以及裸露的第二金属层上形成第二薄膜层。
[0007]其中，在基板上依次形成第一金属层、绝缘层、第一薄膜层、蚀刻阻止层、第二金属层及无机层的步骤，具体为:在基板上形成第一金属层并图形化，以形成第一金属电极及第二金属电极；在基板及第一金属层上形成绝缘层并图形化，以裸露部分第二金属电极；在绝缘层上形成第一薄膜层并图形化，形成第一薄膜电极及第二薄膜电极，以分别对应第一金属电极及第二金属电极；在薄膜层上形成蚀刻阻止层以及在蚀刻阻止层和裸露的第二金属电极上形成第二金属层，对应形成源/漏电极；在第二金属层上形成无机层。
[0008]其中，在薄膜层上形成蚀刻阻止层以及在蚀刻阻止层和裸露的第二金属电极上形成第二金属层，对应形成源/漏电极的步骤，具体为:在第一薄膜电极及第二薄膜电极上分别形成第一蚀刻阻止层及第二蚀刻阻止层；在第一蚀刻阻止层、第二蚀刻阻止层和裸露的第二金属电极上形成第二金属层并图形化，以在第一薄膜电极及第二薄膜电极上分别形成源/漏电极，从而形成第一岛状半导体及第二岛状半导体；其中，第一岛状半导体的源极或漏极与第二岛状半导体中裸露的第二金属电极连接。
[0009]其中，在有机层以及裸露的第二金属层上形成第二薄膜层的步骤，具体为:在有机层以及裸露的第二金属层上形成第二薄膜层并图形化，以形成第三薄膜电极；其中，第三薄膜电极与第二岛状半导体的源极或漏极通过第一通孔连接。
[0010]其中，在有机层及无机层上挖孔以形成第一通孔，使第二金属层部分裸露出来的步骤，具体为:对有机层进行灰化，并以有机层作为光阻对无机层进行图形化开孔，以形成第一通孔。
[0011]其中，在有无机层上形成光阻层的步骤，具体为:在有无机层上分别形成红、绿、蓝三色光阻。
[0012]其中，第一薄膜层为IGZO材料，第二薄膜层为ITO材料。
[0013]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板，其特征在于，阵列基板包括基板以及依次形成在基板上的第一金属层、绝缘层、第一薄膜层、蚀刻阻止层、第二金属层、无机层、光阻层、有机层以及第二薄膜层；其中，第二金属层包括源/漏电极；无机层及有机层上设有第一通孔，使裸露出来的源极或漏极与第二薄膜层连接。
[0014]其中，第一金属层包括第一金属电极及第二金属电极，第一薄膜层包括分别对应于第一金属电极及第二金属电极的第一薄膜电极及第二薄膜电极；第二金属层包括对应于第一薄膜电极的第一源极/漏极，以及对应于第二薄膜电极的第二源极/漏极；第一源极或第一漏极与第二金属电极连接；第二源极或第二漏极与第二薄膜层通过第一通孔连接。
[0015]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板是如上述的阵列基板。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明在阵列基板的制作过程中，在形成无机层后不立即打孔，而是先在无机层上形成RGB光阻，再在光阻上形成有机层后，再对有机层和无机层打孔以使金属源极/漏极裸露出来，避免了传统的工艺中先打孔再形成RGB时对金属源极/漏极的腐蚀破坏，并且对有机层和无机层同时打孔，避免了先后打孔时对位要求精确的问题，提高了面板的开口率，降低了工艺难度。
【附图说明】
[0017]图1是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式的流程图；
[0018]图2是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤101的结构示意图；
[0019]图3是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤102的结构示意图；
[0020]图4是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤103的结构示意图；
[0021]图5是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤104的结构示意图；
[0022]图6是本发明阵列基板的制作方法第一实施方式中步骤105的结构示意图；
[0023]图7是本发明阵列基板的制作方法第二实施方式的流程图；
[0024]图8是本发明阵列基板的制作方法第二实施方式中步骤701-705的结构示意图；
[0025]图9是本发明阵列基板的制作方法第二实施方式中步骤706-709的结构示意图；
[0026]图10是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]参阅图1，本发明阵列基板的制作方法第一实施方式的流程图，该方法包括:
[0028]步骤101:在基板200上依次形成第一金属层201、绝缘层202、第一薄膜层203、蚀刻阻止层204、第二金属层205及无机层206 ；
[0029]如图2所示，步骤101具体包括:
[0030]在基板200上沉积第一金属层201 ;其中，该基板200—般是玻璃基板，在基板200上沉积第一金属层201的方法一般是溅射沉积或者化学气相沉积；
[0031]在第一金属层201上形成绝缘层202，该绝缘层202 —般也称为栅极绝缘层；
[0032]在绝缘层202上形成第一薄膜层203，对该薄膜层203图形化以使该薄膜层的大小对应于第一金属层201 ;其中，该第一薄膜层203 —般是透明的半导体材料IGZO，也可以是ITO等其他具有类似功能的材料；
[0033]在第一薄膜层203上形成蚀刻阻止层204并图形化，以使图形化后的第一薄膜层203裸露两端部分；
[0034]在蚀刻阻止层204及第一薄膜层203裸露出来的部分沉积第二金属层205，并图形化以分别形成源极和漏极，源极和漏极分别对应于第一薄膜层203的两端；
[0035]在蚀刻阻止层204及第二金属层205上形成无机层206。
[0036]步骤102:在无机层206上形成光阻层207 ；
[0037]如图3所示，步骤102具体包括:在无机层206上分别形成红、绿、蓝三色光阻。
[0038]步骤103:在无机层206及光阻层207上形成有机层208 ;(如图4)
[0039]步骤104:在有机层208及无机层206上挖孔以形成第一通孔210，使第二金属层205部分裸露出来；(如图5)
[0040]步骤105:在有机层208以及裸露的第二金属层205上形成第二薄膜层209。(如图6)
[0041]区别于现有技术，本实施方式在阵列基板的制作过程中，在形成无机层后不立即打孔，而是先在无机层上形成RGB光阻，再在光阻上形成有机层后，再对有机层和无机层打孔以使金属源极/漏极裸露出来，避免了传统的工艺中先打孔再形成RGB时对金属源极/漏极的腐蚀破坏，并且对有机层和无机层同时打孔，避免了先后打孔时对位要求精确的问题，提高了面板的开□率，降低了工艺难度。