铱(III) (Ir (piq)3)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III) [Ir (piq) 2 (acac)]中的任意一种。
[0052]例如，绿色磷光材料包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基P比啶)铱[Ir (ppy)2 (acac)]、三(2_苯基卩比啶)合铱(III) (Ir (mppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱[Ir (FPP)2 (acac)]、(三(2-苯基吡啶)合铱)(Ir (Bu-ppy) 3)中的任意一种。
[0053]例如，该双层掺杂磷光发光器件还可包括空穴注入层，阴极和阳极，还可包括电子注入层等结构，该双层掺杂磷光发光器件的结构可为正常结构、倒置结构或透明结构。
[0054]图1示出了正常结构的双层掺杂磷光发光器件。双层掺杂磷光发光器件包括第一发光层131、第二发光层132、空穴传输层11和电子传输层12，各层材质可如前所述，还包括阴极14、阳极15和空穴注入层16。该结构中，阴极14可采用Mg:Ag合金(Mg-Ag合金)，厚度例如约为10-150nm(可根据器件类型，来选择适合的厚度)。阳极15可采用氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，ITO阳极厚度例如约为10_150nm。空穴注入层16可采用金属氧化物MeO，例如MoO3，也可以采用P型掺杂的MeO (金属氧化物)-TPD (N，N’ -双(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-1,1’ - 二苯基-4，4’ - 二胺):F4TCNQ(N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯:2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’-四氰二甲基对苯醌)或者m-MTDATA:F4TCNQ(4，4'，4"-三(N_3_ 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺:2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰二甲基对苯醌)等，厚度例如约为l_30nm。
[0055]例如，一种正常结构的双层掺杂绿色磷光发光器件:阳极IT0150nm/m-MTDATA:F4TCNQ 30nm/m_MTDATA 60nm/CBP:1r (ppy)3 7 % 24nm/BAlq:1r(ppy)3 7 %16nm/BPhen lOnm/Mg:Ag 10nm(阴极)。
[0056]例如，一种正常结构的双层掺杂红色磷光发光器件:阳极IT0150nm/m-MTDATA:F4TCNQ 30nm/m_MTDATA 60nm/CBP:1r (piq)2(acac)7 % 24nm/BAlq:1r (piq) 2 (acac) 7% 16nm/BPhen lOnm/Mg: Ag 10nm(阴极)。
[0057]图2示出了一种倒置结构的双层掺杂磷光发光器件示意图。双层掺杂磷光发光器件包括第一发光层131、第二发光层132、空穴传输层11、电子传输层12，各层材质可如前所述，在该具体的实施例中，电子传输层12为η型掺杂的电子传输层，还包括阴极14、阳极15和空穴注入层16。该结构中，阴极14可采用ΙΤ0，阳极15可采用Mg:Ag合金，空穴注入层16材料和厚度等可参见正常结构的双层掺杂磷光发光器件中所述，在此不再赘述。
[0058]例如，一种倒置结构的双层掺杂绿色磷光发光器件:阴极ITO 150nm/BCPILi2CO310nm/BAlq:1r (ppy)3 7 % 16nm/CBP:1r (ppy)3 7 % 24nm/CPB40nm/Mo03 lnm/Mg:Ag10nm(阳极)。
[0059]例如，一种倒置结构的红色磷光发光器件:阴极ITO 150nm/BCPILi2CO3 1nm/BAlq:1r (piq) 2 (acac) 7 % 16nm/CBP:1r (piq) 2 (acac) 7 % 24nm/NPB40nm/Mo03 lnm/Mg: Ag10nm(阳极)。
[0060]图3示出了一种透明结构的双层掺杂磷光发光器件示意图。双层掺杂磷光发光器件包括第一发光层131、第二发光层132、空穴传输层11和电子传输层12，还包括阴极14、阳极15、空穴注入层16和保护层17。阴极14可采用Mg:Ag合金或者ΙΤ0，阳极15可采用ΙΤ0,空穴注入层16、空穴传输层、电子传输层、以及第一发光层和第二发光层的主体材料和客体材料的材质及厚度均可如前所述。保护层17例如可采用金属氧化物或者高分子材料，其中，金属氧化物例如包括MoO3，高分子材料例如包括PED0T:PSS。当采用Mg:Ag合金作阴极时，可不设置保护层17。
[0061]本发明的实施例还提供一种双层掺杂磷光发光器件的制备方法，包括形成双层发光层13，其中，双层发光层13包括第一发光层131和第二发光层132，第一发光层131和第二发光层132均包括主体材料和客体材料，第一发光层131的主体材料为空穴型主体材料，第二发光层132的主体材料为电子型主体材料。
[0062]设置双层发光层，不仅可保证激子的扩散范围在两层发光层区域内，避免激子扩散到其他层引起的淬灭，省去电子阻挡层的使用。
[0063]例如，该方法中，第一发光层和第二发光层均通过两源共蒸形成。制备方法简单。可以避免独立双主体掺杂中三源共蒸带来的工艺掺杂比例的波动带来器件重复性能差以及预混合的双主体掺杂中材料选择的限制。
[0064]例如，可通过空穴型主体材料的空穴迀移率和电子型主体材料的电子迀移率来确定第一发光层131和第二发光层132的厚度。
[0065]例如，可通过控制所述第一发光层和第二发光层的厚度，使激子的复合区域在所述第一发光层和所述第二发光层的界面区域上。
[0066]例如，该方法中，可通过分别调节两层发光层的厚度控制载流子的传输从而保证激子的扩散范围在两层发光层区域内，避免激子扩散到其他层引起的淬灭，省去电子阻挡层的使用。
[0067]例如，该方法还包括形成空穴传输层11，其中，空穴型主体材料不同于空穴传输层11的空穴传输材料。
[0068]例如，空穴型主体材料不同于空穴传输层11的空穴传输材料，则可使得双层掺杂磷光发光器件利于寿命的优化，可以具有较长的使用寿命。
[0069]例如，该方法还包括形成电子传输层12，其中，电子型主体材料不同于电子传输层12的电子传输材料。
[0070]例如，电子型主体材料不同于电子传输层12的电子传输材料，则可使得双层掺杂磷光发光器件利于寿命的优化，可以具有较长的使用寿命。
[0071]例如，该方法中，第一发光层131和第二发光层132主体材料和客体材料的选取、空穴传输层和电子传输层材料的选取、客体材料的掺杂量、第一发光层131和第二发光层132的厚度等均可如参照上述双层掺杂磷光发光器件中所给出的内容。
[0072]通过上述方法，可制备出上述给出的各种双层掺杂磷光发光器件。
[0073]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0074]需要说明的是，本发明的实施例和附图中仅给出了与本发明实施例相关的内容和部件，未作描述的其他内容和部件可参见通常设计。本发明的实施例中磷光掺杂剂掺杂含量均指的是质量百分比。在本发明的实施例中所用各物质均为本领域常用物质，在该物质之前或之后的括号里给出了其缩写或者各缩写代表的物质的全称以方便理解。
[0075]本发明的实施例提供一种双层掺杂磷光发光器件及其制备方法，该双层掺杂磷光发光器件包括双层发光层，其中，所述双层发光层包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层和第二发光层均包括主体材料和客体材料，所述第一发光层的主体材料为空穴型主体材料，所述第二发光层的主体材料为电子型主体材料。该双层掺杂磷光发光器件可以避免独立双主体掺杂中三源共蒸带来的工艺掺杂比例的波动带来器件重复性能差以及预混合的双主体掺杂中材料选择的限制。
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