半导体光检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种具备多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
【背景技术】
[0002]具备基体、配置在基体上的多个半导体光检测元件、以及将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接的多个凸块电极的半导体光检测装置已为人所知(例如参照专利文献I)。多个半导体光检测元件呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状。多个半导体光检测元件在并排的状态下相互相邻地配置在基体上。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2000-022120号公报(段落
[0146])
【发明内容】
[0006]发明所要解决的问题
[0007]然而，在专利文献I所记载的半导体光检测装置中，有产生以下所述的问题点的担忧。基体与多个半导体光检测元件通过多个凸块电极固化而相互机械性连接。此时，有因凸块电极固化时所产生的凸块电极的收缩等因素而导致各半导体光检测元件的位置产生偏移的担忧。
[0008]在具有一对第二边比一对第一边短的平面形状的半导体光检测元件中，将连接对应的凸块电极的多个导体焊垫为了缩短直至该导体焊垫为止的配线来降低配线电容，而配置在一对第一边侧。此时，为了更加降低配线电容，而将多个导体焊垫配置于在第二方向上看距第二边较远的位置的情况。若多个导体焊垫即多个凸块电极配置在一对第一边侧，则有在这些凸块电极收缩时半导体光检测元件中的在第二边侧的位置偏移扩大的担忧。
[0009]本发明的目的在于提供一种以高的位置精度配置有多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
[0010]解决问题的技术手段
[0011]本发明的一个观点所涉及的半导体光检测装置具备:基体；多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及比一对第一边更短且在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在并排的状态下相互相邻地配置在基体上；多个凸块电极，其分别配置在各半导体光检测元件的一对第一边侧，且将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接；以及多个虚设凸块，其在各半导体光检测元件的一对第二边侧分别配置至少一个，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接。
[0012]在本发明的一个观点所涉及的半导体光检测装置中，虚设凸块在各半导体光检测元件的一对第二边侧分别配置至少一个。即便因多个凸块电极的收缩等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，由于虚设凸块分别配置在一对第二边侧，因此仍能够抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。因此，多个半导体光检测元件以高的位置精度配置。
[0013]可选地，各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻。在各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置的情况下，有因半导体光检测元件彼此的干涉等因素而产生位置偏移的情况。然而，由于虚设凸块分别配置在一对第二边侧，因此在各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置的情况下，即便因半导体光检测元件彼此的干涉等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，也能够切实地抑制该位置偏移的产生。
[0014]可选地，多个虚设凸块以横跨相邻的多个半导体光检测元件的方式配置。在该情况下，在相邻的半导体光检测元件彼此，谋求多个虚设凸块的共有化。其结果，虚设凸块的个数相对少了，能够抑制成本的增加。
[0015]可选地，还具备:在第一边和第二边当中在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置至少一个，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接的虚设凸块。在该情况下，由于能够更进一步抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移，因此多个半导体光检测元件以更高的位置精度配置。
[0016]本发明的另一观点所涉及的半导体光检测装置具备:基体；多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置在基体上；多个凸块电极，其分别配置在各半导体光检测元件的一对第一边侧，并将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接；以及多个虚设凸块，其在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的第一边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接。
[0017]在本发明的另一观点所涉及的半导体光检测装置中，多个虚设凸块在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的第一边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置。即便因多个凸块电极的收缩等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，也由于虚设凸块分别在第一边侧以横跨各半导体光检测元件的方式配置，因此能够抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。因此，多个半导体光检测元件以高的位置精度配置。
[0018]可选地，在多个半导体光检测元件中，配置有由相同制造工序形成且连接多个凸块电极及多个虚设凸块的多个导体焊垫。在该情况下，连接凸块电极的导体焊垫和连接虚设凸块的导体焊垫的位置精度极高。因此，可以更高的位置精度配置多个半导体光检测元件。
[0019]可选地，多个凸块电极是焊料凸块，多个虚设凸块是熔点比多个凸块电极低的焊料凸块。在该情况下，凸块电极的固化比虚设凸块的固化更早开始，而虚设凸块处于熔融的状态，因此在各半导体光检测元件对准的状态下，凸块电极固化。因此，能够更进一步抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。
[0020]可选地，多个虚设凸块小于多个凸块电极。不仅凸块电极，虚设凸块也在固化时收缩。然而，由于虚设凸块小于凸块电极，因此虚设凸块的收缩率小，在收缩时作用于半导体光检测元件的力极小。因此，能够切实地抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。
[0021]可选地，各半导体光检测元件是可以取得以第二方向为长度方向的二维图像和进行TDI驱动的固体摄像元件。
[0022]发明的效果
[0023]根据本发明，能够提供一种以高的位置精度配置有多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
【附图说明】
[0024]图1是表示第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0025]图2是用于说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的截面结构的图。
[0026]图3是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0027]图4是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0028]图5是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0029]图6是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0030]图7是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0031]图8是表示第二实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0032]图9是用于说明第二实施方式所涉及的半导体光检测装置的截面结构的图。
[0033]图10是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0034]图11是表示第二实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
[0035]附图的说明:
[0036]I, 2…半导体光检测装置，3…基体，5, 7…导体焊垫，10…半导体光检测元件，13…第一边，15…第二边，25, 27…导体焊垫，35…凸块电极，37…虚设凸块。
【具体实施方式】
[0037]以下，参照附图，对本发明的实施方式详细说明。再者，在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，并省略重复的说明。
[0038](第一实施方式)
[0039]参照图1和图2，说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置I的结构。图1是表示第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。图2是用于说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的截