况下，电源12需要向正电极111和负电极112所加载的电压较小；反之，在晶片20的重量较大、机械手10的传输速度较大时，需要较大的静电吸附力用以使晶片20被固定在机械手10上，在此情况下，电源12需要向正电极111和负电极112所加载的电压较大。此外，电源12向正电极111和负电极112加载电压时在电极层与晶片20之间所产生的静电吸附力的大小与正电极111和负电极112在本体11的承载面上的投影面积有关；即:正电极111和负电极112在本体11的承载面上的投影面积越大，电源12向正电极111和负电极112加载相同的电压时，电极层与晶片20之间产生的静电吸附力就越大；反之，正电极111和负电极112在本体11的承载面上的投影面积越小，电源12向正电极111和负电极112加载相同的电压时，电极层与晶片20之间产生的静电吸附力就越小。由此，在本实施例中，可以根据正电极111和负电极112在本体11的承载面上的投影面积、晶片20的重量和/或机械手10的最大传输速度来来设定电源12在机械手10取片时分别向正电极111和负电极112所加载的电压；在实际应用中，电源12向正电极111和负电极112加载的电压为350V时可以使晶片20被牢固地固定在机械手10上，防止晶片20与机械手10之间产生相对滑动。
[0033]需要说明的是，在本实施例中，正电极111的数量为一个，负电极112的数量为一个，但本发明并不限于此，在实际应用中，正电极111和负电极112的数量还可以为多个，并且，多个正电极111和多个负电极112在本体11的承载面上的投影面积相等，且电源12向每个正电极111和负电极112加载的电压相等，在此情况下，每个正电极111和负电极112使其与晶片20之间产生的静电吸附力大小相等，并在机械手10传输晶片20时，使晶片20受到的静电吸附力较为均匀，从而可以使晶片20更牢固地固定在机械手10上。
[0034]还需要说明的是，在本实施例中，正电极111和负电极112对称地设置在平行于机械手10的传输方向上的中心线的两侧，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以将正电极111和负电极112以其他方式设置,例如,如图4所示，可以正电极111和负电极112在绝缘层内沿机械手10的传输方向依次设置；此外，在绝缘层内设置有多个正电极111和多个负电极112时，正电极111和负电极112可以以更多方式设置，如图5和图6所示。
[0035]此外，在本实施例中，机械手10借助电源12加载一反向电压，中和正电极111和负电极112上所产生的电荷，以消除电极层与晶片20之间的静电吸附力，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以设置电源包括第一电源和第二电源，并设置第一电源的正极和负极在机械手10取片时分别与正电极111和负电极112导通，向正电极111和负电极112分别加载正电压和负电压，在机械手10放片时，与正电极111和负电极112断开；设置第二电源的负极和正极在机械手10放片时分别与正电极111和负电极112导通，向正电极111和负电极112分别加载负电压和正电压，在机械手10取片时，与正电极111和负电极112断开。从而，在机械手10放片时，第二电源向正电极111和负电极112分别加载负电压和正电压，可以中和正电极111和负电极112上的电荷，消除电极层与晶片20之间的静电吸附力。此外，在实际应用中，还可以在机械手10放片时，断开电源12的正极和负极与正电极和负电极的连接，并将正电极111和负电极112接地，从而释放正电极111和负电极112上所产生的电荷，消除电极层与晶片20之间的静电吸附力，使机械手10可以将晶片20从其承载面上传输至相应位置。
[0036]综上所述，本实施例提供的传输装置，通过在机械手10取片时向正电极111和负电极112分别加载正电压和负电压,使正电极111和负电极112上产生电荷,进而使电极层与晶片20之间产生静电吸附力，这样在机械手10传输晶片20的过程中，上述静电吸附力可以将晶片20牢固地固定在机械手10的承载面上，从而防止了晶片20与机械手10之间产生相对滑动，以及晶片20从机械手10上脱落；此外，本实施例提供的传输装置通过静电吸附力将晶片20固定在机械手10上，还使晶片20与机械手10之间不产生摩擦，从而避免了颗粒的产生，不会对腔室造成污染。
[0037]作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室和传输装置，其中，反应腔室用于对晶片进行工艺处理，传输装置用于向反应腔室内传输晶片，该传输装置采用本发明上述实施例提供的传输装置。
[0038]本发明实施例提供的半导体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的传输装置，可以在电极层与晶片产生静电吸附力，这样在机械手传输晶片的过程中，上述静电吸附力可以将晶片牢固地固定在机械手的承载面上，从而防止晶片与机械手之间产生相对滑动，以及晶片从机械手上脱落；此外，本实施例提供的半导体加工设备还可以使晶片与机械手之间不产生摩擦，从而避免了颗粒的产生，不会对腔室造成污染。
[0039]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种传输装置，包括用于传输晶片的机械手，其特征在于，所述机械手包括本体，所述本体具有用于承载晶片的承载面，且在所述承载面上覆盖有绝缘层，并且在所述绝缘层内埋设有电极层，所述电极层包括采用导电材料制作的正电极和负电极。2.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，所述传输装置还包括电源，所述电源与所述电极层的正电极和负电极连接，用于在所述机械手取放片的过程中对电极层施加电压，以实现对晶片的取放。3.根据权利要求2所述的传输装置，其特征在于，在所述机械手取片时，所述电源的正极和负极分别与所述正电极和负电极导通；在所述机械手放片时，所述电源的正极和负极分别与所述正电极和负电极断开，且所述正电极和负电极均接地。4.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，所述正电极和负电极的数量为一个，且所述正电极和负电极在所述本体的承载面上的投影面积相等。5.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，所述正电极和所述负电极的数量为多个，且所述正电极和负电极的数量相等；并且 每个正电极和负电极在所述本体的承载面上的投影面积相等。6.根据权利要求1或5所述的传输装置，其特征在于，所述正电极和负电极对称地设置在平行于所述机械手的传输方向上的中心线的两侧。7.根据权利要求2所述的传输装置，其特征在于，根据所述正电极和负电极在所述本体的承载面上的投影面积、晶片的重量和/或机械手的最大传输速度而设定所述电源在所述机械手取片时分别向所述正电极和负电极加载的电压。8.根据权利要求7所述的传输装置，其特征在于，所述电源分别向所述正电极和负电极加载的电压为350V。9.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。10.一种半导体加工设备，包括反应腔室和传输装置，其中反应腔室用于对晶片进行工艺处理，传输装置用于向反应腔室内传输晶片，其特征在于，所述传输装置采用权利要求1-9任意一项所述的传输装置。
【专利摘要】本发明涉及一种传输装置及半导体加工设备，本发明提供的传输装置包括用于传输晶片的机械手，该机械手包括本体，本体具有用于承载晶片的承载面，且在承载面上覆盖有绝缘层，并且在绝缘层内埋设有电极层，电极层包括采用导电材料制作的正电极和负电极。上述传输装置可以将晶片牢固地固定在机械手的承载面上，防止晶片与机械手之间产生相对滑动；还使晶片与机械手之间不产生摩擦，从而避免了颗粒的产生，不会对腔室造成污染。
【IPC分类】H01L21/677
【公开号】CN105097625
【申请号】CN201410230510
【发明人】宗令蓓
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月28日