一种搬送机械手和激光退火装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种搬送机械手和激光退火装置。
【背景技术】
[0002]随着平面显示器的兴起，低温多晶硅技术已成为高画质显示器的代名词。近年，各大面板厂商相继投产低温多晶硅(LTPS)生产线，低温多晶硅技术发展迅速、前景良好。
[0003]准分子激光退火制程是形成多晶硅的重要步骤，传统的准分子激光退火(ELA)设备，通常需要人为将基板取放到基板载台，由于需要进行ELA工艺的基板的玻璃衬底一面和非晶硅(A-Si)薄膜一面的颜色相近，单纯靠人眼识别难免会出现误差，一旦出现误差，就会造成严重后果。如，一旦出现误差导致基板的玻璃衬底一面朝上进行激光照射，激光就会透过衬底照射到配向(PI)膜上，造成PI膜灰化，散发到设备腔体中，污染设备。
【发明内容】
[0004]本发明提供了一种搬送机械手和激光退火装置，其中，上述搬送机械手在激光退火工艺中用于搬运基板时，可以检测出将基板放置于激光退火设备中时是否为基板的非晶硅薄膜一侧朝向准分子激光器。
[0005]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0006]—种搬送机械手，包括支撑结构；还包括:
[0007]用于使待搬送物体中的半导体材料中产生自由电子的自由电子激发装置；
[0008]用于检测待搬送物体中与支撑结构的支撑面相对设置的表面的材料能否导电的检测装置。
[0009]上述搬送机械手在搬运物体时，如果待搬送物体中包括半导体材料，通过自由电子激发装置的激发可以使半导体材料中产生自由电子，从而使该半导体材料可以导电。
[0010]当通过上述搬送机械手搬运需要进行激光退火工艺的基板时，基板位于支撑结构上，形成基板一侧表面的非晶硅薄膜在自由电子激发装置的激发下可以产生自由电子从而可以进行导电，而基板的另一侧是衬底表面、为绝缘不导电材料；所以，当通过搬送机械手搬运基板时，如果通过检测装置检测到基板与支撑结构的支撑面相对设置的一侧表面可以导电，则可以断定基板与支撑面相对设置的一侧表面为非晶硅薄膜，当基板的非晶硅薄膜一侧与支撑结构的支撑面相对设置时，则搬送机械手将基板放置于准分子激光退火设备的基板载台上时，基板的非晶硅薄膜表面将朝向基板载台而背离准分子激光器；而如果通过检测装置检测到基板与支撑结构的支撑面相对设置的一侧表面不可以导电，则可以断定基板与支撑面相对设置的一侧表面为衬底表面，则搬送机械手将基板放置于准分子激光退火设备的基板载台上时，基板的非晶硅薄膜表面为朝向准分子激光器。
[0011]因此，上述搬送机械手在激光退火工艺中用于搬运基板时，可以检测出将基板放置于准分子激光退火设备中时是否为基板的非晶硅薄膜一侧朝向准分子激光器，即基板放置是否正确。
[0012]优选地，所述自由电子激发装置为热激发装置、光激发装置或者电磁场激发装置。
[0013]优选地，所述电磁场激发装置包括嵌设在所述支撑结构内的电磁铁。
[0014]优选地，所述电磁场激发装置还包括与所述电磁铁中线圈的两端电连接、用于给线圈通电的供电装置。
[0015]优选地，所述检测装置包括:安装于所述支撑结构的支撑面上、用于与待搬送物体的表面相接触的两个电极；与所述两个电极串联、用于提供电压的电压源；与所述两个电极串联、用于检测两个电极之间是否产生电流的电流检测模块。
[0016]优选地，所述两个电极为条形电极，且分别沿电磁铁所在区域的两侧边缘延伸。
[0017]优选地，所述支撑结构的支撑面上设有多个用于吸附所述待搬送物体表面的气垫结构。
[0018]优选地，所述支撑结构包括两个支撑臂，每个所述支撑臂上设有两个气垫结构，所述自由电子激发装置和检测装置安装于同一个支撑臂上。
[0019]—种激光退火装置，包括基板载台和用于提供准分子激光束的准分子激光器；还包括如上述任一技术方案中所述的搬送机械手。
【附图说明】
[0020]图1为本发明一种实施例提供的搬送机械手的结构示意图；
[0021]图2为本发明一种实施例提供的搬送机械手的纵切面结构示意图；
[0022]图3为本发明另一实施例提供的搬送机械手的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]请参考图1?图3。
[0025]如图1和图2所示，本发明实施例提供的一种搬送机械手，包括支撑结构I ;还包括:
[0026]用于使待搬送物体中的半导体材料中产生自由电子的自由电子激发装置2;
[0027]用于检测待搬送物体中与支撑结构I的支撑面10相对设置的表面的材料能否导电的检测装置3。
[0028]上述搬送机械手在搬运物体时，如果待搬送物体中包括半导体材料，通过自由电子激发装置2的激发可以使半导体材料中产生自由电子，从而使该半导体材料可以导电。
[0029]如图2所示，由于用于激光退火工艺的基板5，其相对的两侧表面分别为非晶硅薄膜51表面和衬底52表面，当通过上述搬送机械手搬运需要进行激光退火工艺的基板5时，基板5位于支撑结构I上，基板5 —侧的非晶硅薄膜51在自由电子激发装置2的激发下可以产生自由电子从而可以进行导电，而基板的另一侧的衬底52表面为绝缘材料，不能导电；所以，当通过搬送机械手搬运基板5时，如果通过检测装置3检测到基板5与支撑结构I的支撑面10相对设置的一侧表面可以导电，则可以断定基板5与支撑面10相对设置的一侧表面为非晶硅薄膜51表面，此时，搬送机械手将基板5放置于准分子激光退火设备的基板载台上时，基板的非晶硅薄膜51表面将朝向基板载台而背离准分子激光器；而如果通过检测装置3检测到基板5与支撑结构I的支撑面10相对设置的一侧表面不可以导电，则可以断定基板5与支撑面10相对设置的一侧表面为衬底52表面，此时，搬送机械手将基板5放置于准分子激光退火设备的基板载台上时，基板的非晶硅薄膜51表面将朝向准分子激光器。
[0030]因此，上述搬送机械手在激光退火工艺中用于搬运基板时，可以检测出将基板放置于准分子激光退火设备中时是否为基板的非晶硅薄膜一侧朝向准分子激光器，即基板放置是否正确。
[0031]—种具体的实施例中，如图1和图2所示，自由电子激发装置2可以为热激发装置、光激发装置或者电磁场激发装置。由于半导体硅是四价元素，最外层有4个电子，带4个单位负电荷，共价键中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、升温、电磁场激发)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子。因此，上诉用于激发非晶硅薄膜51的自由电子激发装置2可以采用热激发装置、光激发装置或者电磁场激发装置。
[0032]在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，如图1、图2和图3所示，自由电子激发装置2为电磁场激发装置时，电磁场激发装置可以包括嵌设在支撑结构I内的电磁铁21，通过电磁铁21通电产生的磁场可以激发非晶硅薄膜51中产生自由电子。要通过电磁铁21激发基板5的非晶硅薄膜51中产生自由电子，就要使非晶硅薄膜51尽量处于电磁铁21产生的电磁场中，因此，将电磁铁21嵌设在支撑结构I的支撑面10—侧为一种优选的方案。
[0033]在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，如图2所示，电磁铁21可以包括铁心和线圈，通过将线圈的通电或者断电即可以控制电磁铁21的通电状态