晶圆自动分批与传送的方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种晶圆自动分批与传送的方法及 装置。
【背景技术】
[0002] 在半导体自造中，对于40/45nm制程的产品，在完成接触孔刻蚀（CT Etch)制程 后，晶圆到CT酸槽的等待时间（Qtime)很短（最大不能超过120分钟），如果按照25片晶 圆来加工，当最后的晶圆加工完成时，同一晶圆传送盒（FOUP)中前面加工完的晶圆已经超 过了 Qtime，这样将会影响到产品的良率。
[0003] 此外，40/45nm制程的产品在M1CU-SP，MlCU-ECP stage经过背面对准（BSA)和电 镀（Electrofill Copper Plating，简称为ECP)机台后，FOUP槽位（Slot) 13以上会产生气 体挥发的现象，从而影响产品良率。
[0004] 针对相关技术中半导体制造中产品良率低的问题，目前尚未提出有效的解决方 案。
【发明内容】
[0005] 针对相关技术中半导体制造中产品良率低的问题，本发明提供了一种晶圆自动分 批与传送的方法及装置，以至少解决上述问题。
[0006] 根据本发明的一个方面，提供了一种晶圆自动分批与传送的控制方法，包括：根据 母批晶圆的总数和一个目标FOUP内允许放置的晶圆个数Qty确定目标FOUP个数；根据 所述母批晶圆的总数和所述Qty确定将母批晶圆分批成子批晶圆组的晶圆组数和每组所 述子批晶圆组的晶圆个数；以及，将分批结果和所述子批晶圆组的传送规则发送给机台， 其中，所述分批结果包括：所述晶圆组数和每组所述子批晶圆组的晶圆个数；所述机台用 于根据所述分批结果和所述传送规则将所述母批晶圆分批和传送至所述目标FOUP个数的 FOUP 上。
[0007] 优选地，根据所述晶圆总数和所述Qty确定目标FOUP个数之前还包括：获取晶圆 分批和传送的规则配置，其中，所述规则配置包括：所述Qty、所述位置规则。
[0008] 优选地,所述规则配置还包括：进行分批的站点（Split Step)、对FOUP内晶圆的 个数和位置有限制的制程、进行合并的制程、是否把母批晶圆和所述子批晶圆组分别传送 到单独的目标F0UP。
[0009] 优选地，所述传送规则包括以下至少之一：在目标FOUP里从上向下放置、在目标 FOUP里从下向上放置、在目标FOUP按照预先设置的位置放置、按照晶圆在源FOUP的槽位放 置到目标FOUP。
[0010] 优选地，根据所述晶圆总数和所述Qty确定目标FOUP个数之前还包括：接收来自 所述机台用于询问目标FOUP个数的请求；根据所述晶圆总数和所述Qty确定目标FOUP个 数之后还包括：向所述机台发送所述目标FOUP个数。
[0011] 优选地，根据所述母批晶圆的总数和所述Qty确定所述晶圆组数和每组所述子批 晶圆组的晶圆个数之前还包括：接收来自所述机台用于询问分批结果的请求或者用于询问 所述分批结果和所述传送规则的请求。
[0012] 优选地，将分批结果和所述子批晶圆组的传送规则发送给机台之前，还包括：接收 来自所述机台的用于询问所述分批结果和所述传送规则的请求。
[0013] 优选地，根据母批晶圆的总数和一个FOUP内允许放置的晶圆数量Qty确定目标 FOUP数包括：在所述母批晶圆的总数大于所述Qty时，判断所述母批晶圆的总数是否能被 所述Qty整除；如果所述母批晶圆的总数能被所述Qty整除，确定所述目标FOUP个数等于 所述母批晶圆的总数除以所述Qty ;如果所述母批晶圆的总数不能被所述Qty整除，确定所 述目标FOUP个数等于所述母批晶圆的总数除以所述Qty后取整再加一。
[0014] 优选地，上述方法还包括：如果母批晶圆需要更换F0UP，则目标FOUP数再加一。
[0015] 优选地，根据所述母批晶圆的总数和所述Qty确定对所述晶圆组数，包括：在所 述母批晶圆的总数大于所述Qty时，判断所述母批晶圆的总数是否能被Qty整除如果所述 母批晶圆的总数能被所述Qty整除，确定所述晶圆组数等于所述母批晶圆的总数除以所述 Qty ;如果所述母批晶圆的总数不能被所述Qty整除，确定所述晶圆组数等于所述母批晶圆 的总数除以所述Qty后取整再加一。
[0016] 优选地，根据所述母批晶圆的总数和所述Qty确定每组所述子批晶圆组的晶圆个 数，包括：步骤A，用所述母批晶圆的总数除以所述Qty取余；步骤B，判断余数是否等于0， 如果所述余数等于〇,进入步骤C ;如果余数不等于0,进入步骤D ;步骤C，当前子批晶圆组 的晶圆个数为所述母批晶圆的总数除以当前晶圆组数，晶圆组数减1，如果减1后晶圆组数 大于〇,返回步骤B，否则，记录和/或输出当前子批晶圆组的晶圆个数；步骤D，当前子批晶 圆组的晶圆个数为所述母批晶圆的总数除以晶圆组数后取整再加1，所述余数减1，晶圆组 数减1，如果减1后晶圆组数大于〇,返回步骤B，否则，记录和/或输出当前子批晶圆组的晶 圆个数。
[0017] 优选地，所述Qty根据完成CT Etch制程后晶圆到CT酸槽的最大等待时间Qtime 确定，其中所述最大Qtime越长对应的所述Qty的最大取值越大。
[0018] 优选地，所述Qty的最大值小于等于13。
[0019] 根据本发明的另一个方面，提供了一种晶圆自动分批与传送的处理方法，包括：从 制造执行系统获取目标FOUP个数；从所述制造执行系统获取母批晶圆的分批结果和传送 规则，其中所述分批结果包括：所述母批晶圆分批得到的子批晶圆组的晶圆组数和每组所 述子批晶圆组的晶圆个数；根据所述分批结果和所述传送规则将所述母批晶圆分批和传送 至所述目标FOUP个数的FOUP上。
[0020] 优选地，将所述母批晶圆从源晶圆传送盒FOUP分批并传送到目的FOUP包括以下 至少之一：当所述位置规则为在目标FOUP里从上向下放置，每组所述子批晶圆组在目标 FOUP的位置为所述母批晶圆的总数减去该子批晶圆组的晶圆个数后加1到所述母批晶圆 的总数；当所述位置规则为在目标FOUP里从下向上放置，每组所述子批晶圆组在目标FOUP 的位置为从1到该子批晶圆组的晶圆个数；当所述位置规则为在目标FOUP按照预先设置的 位置放置，按照所述预先设置的位置放置。
[0021] 根据本发明的又一个方面，提供了一种晶圆自动分批与传送的控制装置，包括：第 一确定模块，用于根据母批晶圆的总数和一个目标晶圆传送盒FOUP内允许放置的晶圆个 数Qty确定目标FOUP个数；第二确定模块，用于根据所述母批晶圆的总数和所述Qty确 定将母批晶圆分批成子批晶圆组的晶圆组数和每组所述子批晶圆组的晶圆个数；以及，传 送模块，用于将分批结果和所述子批晶圆组的传送规则发送给机台，其中，所述分批结果包 括：所述晶圆组数和每组所述子批晶圆组的晶圆个数；所述机台用于根据所述分批结果和 所述传送规则将所述母批晶圆分批和传送至所述目标FOUP个数的FOUP上。
[0022] 优选地，上述装置还包括：获取模块，用于获取晶圆分批和传送的规则配置，其中， 所述规则配置包括：所述Qty、所述位置规则。
[0023] 优选地，所述位置规则包括以下至少之一：在目标FOUP里从上向下放置、在目标 FOUP里从下向上放置、在目标FOUP按照预先设置的位置放置、按照晶圆在源FOUP的槽位放 置到目标FOUP。
[0024] 优选地，所述第一确定模块包括：判断单元，用于在所述母批晶圆的总数大于所述 Qty时，判断所述母批晶圆的总数是否能被所述Qty整除；第一确定单元，用于在所述母批 晶圆的总数能被所述Qty整除时，确定所述目标FOUP个数等于所述母批晶圆的总数除以所 述Qty ;第二确定单元，用于在果所述母批晶圆的总数不能被所述Qty整除时，确定所述目 标FOUP个数等于所述母批晶圆的总数除以所述Qty后取整再加一。
[0025] 优选地，所述第一确定模块，还用于在母批晶圆需要更换FOUP时，将目标FOUP数 再加一。
[0026] 根据本发明的另一个方面，提供了一种晶圆自动分批与传送的处理装置，包括：第 一获取模块，用于从制造执行系统获取目标晶圆传送盒FOUP个数；第二获取模块，用于从 所述制造执行系统获取母批晶圆的分批结果和传送规则，其中所述分批结果包括：所述母 批晶圆分批得到的子批晶圆组的晶圆组数和每组所述子批晶圆组的晶圆个数；处理模块， 用于根据所述分批结果和所述传送规则将所述母批晶圆分批和传送至所述目标FOUP个数 的FOUP上。
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