显示面板及薄膜晶体管阵列基板的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及薄膜晶体管阵列基板。
【【背景技术】】
[0002]在传统的显示面板中，薄膜晶体管阵列基板的信号线层一般都是单一的金属层。
[0003]单一的金属层的抗ESD (Electro Static Discharge，静电放电)能力较差，并且，所述薄膜晶体管阵列基板中出现较大的静电时，单一的金属层很容易熔断，这会导致所述薄膜晶体管阵列基板中部分区域显示失效。
[0004]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0005]本发明的目的在于提供一种显示面板及薄膜晶体管阵列基板，其能防止因信号线断线而造成的显示不良问题。
[0006]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0007]—种显示面板，所述显示面板包括:一彩色滤光片基板；一液晶层；以及一薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括:一基板；一遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板上；一第一绝缘层；一半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层上；一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上；一第一信号线层，所述第一信号线层设置在所述第二绝缘层上；一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层和所述第一信号线层上；一第二信号线层，所述第二信号线层设置在所述第三绝缘层上，并且所述第二信号线层通过第一通孔与所述半导体层连接；一第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层和所述第二信号线层上；一公共线层，所述公共线层设置在所述第四绝缘层上；一第三信号线层；一第五绝缘层，所述第五绝缘层设置在所述第三信号线层上；以及一像素电极层，所述像素电极层设置在所述第五绝缘层上。
[0008]在上述显示面板中，所述遮光金属层与所述第二信号线层通过连接构件连接。
[0009]在上述显示面板中，所述连接构件设置于通孔内；所述通孔穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。
[0010]在上述显示面板中，所述第二信号线层中的第二信号线包括:至少一第一分段；以及至少一第二分段；所述遮光金属层中的遮光线包括:至少一第三分段；以及至少一第四分段；所述连接构件包括:至少一第一子连接构件；以及至少一第二子连接构件；其中，所述第一分段和所述第三分段通过所述第一子连接构件连接，所述第二分段和所述第四分段通过所述第二子连接构件连接。
[0011]在上述显示面板中，所述连接构件的末端具有弯折部，所述弯折部与所述遮光金属层和/或所述第二信号线层接触。
[0012]—种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括:一基板；一遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板上；一第一绝缘层；一半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层上；一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上；一第一信号线层，所述第一信号线层设置在所述第二绝缘层上；一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层和所述第一信号线层上；一第二信号线层，所述第二信号线层设置在所述第三绝缘层上，并且所述第二信号线层通过第一通孔与所述半导体层连接；一第四绝缘层，所述第四绝缘层设置在所述第三绝缘层和所述第二信号线层上；一公共线层，所述公共线层设置在所述第四绝缘层上；一第三信号线层；一第五绝缘层，所述第五绝缘层设置在所述第三信号线层上；以及一像素电极层，所述像素电极层设置在所述第五绝缘层上。
[0013]在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述遮光金属层与所述第二信号线层通过连接构件连接。
[0014]在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述连接构件设置于通孔内；所述通孔穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。
[0015]在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述第二信号线层中的第二信号线包括:至少一第一分段；以及至少一第二分段；所述遮光金属层中的遮光线包括:至少一第三分段；以及至少一第四分段；所述连接构件包括:至少一第一子连接构件；以及至少一第二子连接构件；其中，所述第一分段和所述第三分段通过所述第一子连接构件连接，所述第二分段和所述第四分段通过所述第二子连接构件连接。
[0016]在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述连接构件的末端具有弯折部，所述弯折部与所述遮光金属层和/或所述第二信号线层接触。
[0017]相对现有技术，本发明有利于防止因信号线断线而造成的显示不良问题，能够有效地提升广品的良率。
[0018]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0019]图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板的分区示意图；
[0020]图2为本发明的薄膜晶体管阵列基板的示意图；
[0021]图3为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的外围区域的线路的示意图；
[0022]图4为图3中A-A’截面的示意图；
[0023]图5为图3中B-B’截面的示意图。
【【具体实施方式】】
[0024]本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
[0025]本发明的显不面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示面板)等。
[0026]参考图1、图2和图3，图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板的分区示意图，图2为本发明的薄膜晶体管阵列基板的示意图，图3为本发明的薄膜晶体管阵列基板中的外围区域的线路的示意图。
[0027]本发明的显示面板包括彩色滤光片基板、液晶层以及薄膜晶体管阵列基板。其中，所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合成液晶盒，所述液晶层设置于所述液晶盒内。
[0028]所述薄膜晶体管阵列基板包括像素区(AA，Active Area) 101和外围区，所述外围区设置于所述像素区的至少一侧。
[0029]所述外围区包括GOA(Gate_driver On Array，集成在阵列基板上的行扫描驱动器)区 102、Fanout (扇出)区 103、IC (Integrated Circuit，集成电路)区 104 和FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)区105中的至少一者。
[0030]其中，所述GOA区102用于产生所述显示面板内TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的栅极驱动信号，所述Fanout区103用于所述IC区104与所述像素区101的Dataline (数据线)的走线连接；所述IC区104用于IC的Bonding(接合)，通过所述IC来驱动所述显示面板内的电路和所述TFT，所述FPC区105用于FPC的Bonding，并通过所述FPC连接所述显示面板的主板。
[0031]所述薄膜晶体管阵列基板还包括基板210、遮光(LS，Light Shield)金属层201、保护层211、第一绝缘层212、半导体(多晶硅)层202、第二绝缘层213、第一信号线层203、第三绝缘层214、第二信号线层209、第四绝缘层204、公共线层205、第三信号线层206、第五绝缘层207以及像素电极层208。
[0032]其中，所述遮光金属层201设置在所述基板210上，所述遮光金属层201用于遮挡NMOS (Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N 沟道金属氧化物半导体)晶体管的背沟道，降低NMOS器件的漏电流；缓冲层202设置在所述基板和所述遮光金属层201上；所述第一绝缘层212设置在所述基板210和所述缓冲层202上；所述半导体层202设置在所述第一绝缘层212上；所述第二绝缘层213设置在所述第一绝缘层212和所述半导体层202上；所述第一信号线层203设置在所述第二绝缘层213上，其中，所述第一信号线层203中的第一信号线可以是扫描线；所述第三绝缘层214设置在所述第二绝缘层213和所述第一信号线层203上；所述第二信号线层209设置在所述第三绝缘层214上，并且所述第二信号线层209通过第一通孔与所述半导体层202连接；所述第四绝缘层204设置在所述第三绝缘层214和所述第二信号线层209上；所述公共线层205设置在所述第四绝缘层204上；所述第五绝缘层207设置在所述第三信号线层206上，其中，所述第三信号线层206中的第三信号线可以是触控感应线；所述像素电极层208设置在所述第五绝缘层207上。
[0033]其中，所述遮光金属层201的材料与所述第二信号线层209的材料均为可导电的材料，例如，所述遮光金属层201与所述第二信号线层209为同一种金属。
[0034]所述薄膜晶体管阵列基板中的所述GOA区102包括接地线(GND) 302、级传信号线(STV) 303、第一扫描方向控制信号线(U2D) 304、第二扫描方向控制信号线(D2U)305、时钟信号线(CK) (306，307)、第一电源线(VGH) 308、第二电源线(VGL)309等。在所述GOA区102中，所述第二信号线层209中的所述第二信号线可以是所述接地线302、所述级传信号线303、所述第一扫描方向控制信号线304、所述第二扫描方向控制信号线305、所述时钟信号线(306，307)、所述第一电源线3