电 层12的外缘图案一致，且第一开孔16更贯穿绝缘保护层14。
[0086] 请参阅图 1E、图 1E-1、图 1E-2、图 1E-3、图 2、图 3A、图 3B、图 3C、图 4A、图 4B、图 4C、 图5A、图5B、图5C、图6A、图6B、图6C、图抓、图7B、图8A、图9C、图9C-1、图IOA与图10B，本 发明的实施例提供一种电子元件，包括：承载板10 ;第一金属层11，其配置于承载板10上； 介电层12,其配置于第一金属层11上，第一金属层11与介电层12的外缘图案一致；半导 体层13'，其配置于介电层12上；软质层15,其配置于承载板10上，W包覆第一金属层11、 介电层12与半导体层13'，软质层15的杨氏模数灯oung'Smo化Ius)可小于40十亿帕斯 卡（GPa);至少一第一开孔16,其贯穿软质层15 ;W及至少一第二金属层17,其配置于软质 层15上与第一开孔16中，W电性连接半导体层13'。
[0087] 前述的电子元件中，半导体层13'的范围可小于第一金属层11的范围；或可还包 括绝缘保护层14,其配置于介电层12上，W包覆半导体层13'，绝缘保护层14与介电层12 的外缘图案一致，且第一开孔16更贯穿绝缘保护层14。
[0088] 依前述的电子元件，还包括绝缘保护层14,其配置于承载板10上，W包覆介电层 12、半导体层13'与第一金属层11，且第一开孔16更贯穿绝缘保护层14。
[0089] 依前述的电子元件，还包括半导体保护层19,其配置于半导体层13'上，半导体保 护层19与半导体层13'的图案一致，且第一开孔16更贯穿半导体保护层19。
[0090] 请参阅图IlA与图11B，本发明的实施例提供另一种电子元件，其包括；承载板10 ; 第一金属层11，其配置于承载板10上；介电层12,其配置于第一金属层11上，且第一金属 层11与介电层12的外缘图案一致，第一金属层11与介电层12配置成多个不相连的图案 化区块；软质层15,其配置于承载板10上，W包覆第一金属层11与介电层12,且软质层15 的杨氏模数小于40十亿帕斯卡；至少一第一开孔16,其贯穿软质层15与介电层12 ;W及至 少一第二金属层17,其配置于软质层15上与第一开孔16中，W电性连接第一金属层11，且 不同图案化区块上的第二金属层17彼此相连。
[0091] 在一实施例中，电子元件可包括薄膜晶体管、电容、电阻、电感、接触孔、二极管、记 忆体或天线等，各电子元件的连接关系视需求可做变更，并不W上述方式为限。
[0092] 本发明的一实施例W例如有机材料的耐挽曲的软质层来分隔与包覆薄膜晶体管、 电容或接触孔等电子元件，W达到应力分散与应力吸收的功效，使得本发明实施例的电子 元件具有较佳的挽曲特性。又本发明实施例的电性结构部分W无机材料制作，可保有较佳 的电性；此外，本发明实施例的制法所需的图案化制程次数较少，可有效节省制作时间与成 本。
[0093] 上述实施例仅用于例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任 何熟习此项技艺的人±均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因 此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【主权项】
1. 一种电子元件，其特征在于，包括： 承载板； 第一金属层，其配置于该承载板上； 介电层，其配置于该第一金属层上，且该第一金属层与该介电层的图案一致； 半导体层，其配置于该介电层上； 软质层，其配置于该承载板上，以包覆该第一金属层、该介电层与该半导体层，且该软 质层的杨氏模数小于40十亿帕斯卡； 至少一第一开孔，其贯穿该软质层；以及 至少一第二金属层，其配置于该软质层上与该第一开孔中，以电性连接该半导体层。2. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该半导体层的范围小于该第一金属层 的范围。3. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该电子元件还包括绝缘保护层，其配置 于该介电层上，以包覆该半导体层，该绝缘保护层与该介电层的外缘图案一致，且该第一开 孔更贯穿该绝缘保护层。4. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该电子元件还包括绝缘保护层，其配置 于该承载板上，以包覆该介电层、该半导体层与该第一金属层，且该第一开孔更贯穿该绝缘 保护层。5. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该第一金属层为厚度在350纳米以上。6. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，于未配置有该半导体层之处，还包括贯 穿该软质层与该介电层的第二开孔，该第二金属层还配置于该第二开孔中，以电性连接该 第一金属层，而构成接触孔。7. 如权利要求6所述的电子元件，其特征在于，该电子元件的个数为多个，且该些电子 元件的第二金属层的其中的一者与另一电子元件的该第一金属层或该第二金属层电性连 接，或者，该些电子元件的该些第一金属层与该些介电层分别相连接。8. 如权利要求7所述的电子元件，其特征在于，该电子元件还包括绝缘保护层，其配置 于该介电层上，以包覆该半导体层，且该第一开孔更贯穿该绝缘保护层。9. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该第二金属层电性连接该第一金属层 与该半导体层。10. 如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该电子元件还包括半导体保护层，其 配置于该半导体层上，该半导体保护层与该半导体层的图案一致，且该第一开孔更贯穿该 半导体保护层。11. 一种电子元件，其特征在于，包括： 承载板； 第一金属层，其配置于该承载板上； 介电层，其配置于该第一金属层上，且该第一金属层与该介电层的外缘图案一致，该第 一金属层与该介电层配置成多个不相连的图案化区块； 软质层，其配置于该承载板上，以包覆该第一金属层与该介电层，且该软质层的杨氏模 数小于40十亿帕斯卡； 至少一第一开孔，其贯穿该软质层与该介电层；以及 至少一第二金属层，其配置于该软质层上与该第一开孔中，以电性连接该第一金属层， 且不同图案化区块的该第二金属层彼此相连。12. 如权利要求11所述的电子元件，其特征在于，该电子元件还包括绝缘保护层，其配 置于该介电层上，该绝缘保护层与该介电层的外缘图案一致，且该第一开孔更贯穿该绝缘 保护层。13. -种电子元件的制法，其特征在于，包括： 于一承载板上形成第一金属层； 于该第一金属层上形成介电层； 于该介电层上形成半导体层； 进行图案化制程，以令该第一金属层与该介电层的图案一致； 于该承载板上形成软质层，以包覆该第一金属层、该介电层与该半导体层，且该软质层 的杨氏模数小于40十亿帕斯卡； 形成贯穿该软质层的至少一第一开孔，以外露部分该半导体层；以及 于该软质层上与该第一开孔中形成至少一第二金属层，以电性连接该半导体层。14. 如权利要求13所述的电子元件的制法，其特征在于，于形成该半导体层之后，还包 括于该介电层上形成包覆该半导体层的绝缘保护层，以于该图案化制程时使该绝缘保护层 与该介电层的图案一致，其中，该软质层更形成于该绝缘保护层上，且该第一开孔更贯穿该 绝缘保护层。15. 如权利要求13所述的电子元件的制法，其特征在于，于进行该图案化制程之后，还 包括于该承载板上形成包覆该介电层、该半导体层与该第一金属层的绝缘保护层，且该软 质层还形成于该绝缘保护层上，并令该第一开孔更贯穿该绝缘保护层。16. 如权利要求13所述的电子元件的制法，其特征在于，于形成该第一开孔时，还包括 于未形成有该半导体层之处形成贯穿该软质层与该介电层的第二开孔，且该第二金属层还 形成于该第二开孔中，以电性连接该第一金属层，而构成接触孔。17. 如权利要求16所述的电子元件的制法，其特征在于，于形成该半导体层之后，还包 括于该介电层上形成绝缘保护层，以包覆该半导体层与该介电层，并于进行该图案化制程 后，使该绝缘保护层与该介电层的图案一致，且该第一开孔与该第二开孔更贯穿该绝缘保 护层。18. 如权利要求13所述的电子元件的制法，其特征在于，于形成该半导体层之后，还包 括于该半导体层上形成半导体保护层，并使该半导体保护层与该半导体层的图案一致，且 该第一开孔更贯穿该半导体保护层。
【专利摘要】本发明有关于一种电子元件及其制法，该电子元件包括承载板、第一金属层、介电层、半导体层、软质层、至少一第一开孔与至少一第二金属层。第一金属层配置于承载板上。介电层配置于第一金属层上，第一金属层与介电层的图案一致。半导体层配置于介电层上。软质层配置于承载板上，以包覆第一金属层、介电层与半导体层，软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。第一开孔贯穿软质层。第二金属层配置于软质层上与第一开孔中，以电性连接半导体层。
【IPC分类】H01L21/768, H01L23/528
【公开号】CN105140208
【申请号】CN201410298600
【发明人】颜精一, 蔡武卫, 高伟程, 陈韦翰
【申请人】财团法人工业技术研究院
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年6月26日
【公告号】US20150348894