7，通过激光剥离(LLO)工艺，去除在第一导电半导体层102下形成的衬底101。也就是讲，具有预定波段的激光被照射到衬底101上，使得热能集中在衬底101和第一导电半导体层102之间的边界表面上，由此将衬底101与第一导电半导体层102分离。
[0060]在去除衬底101之后，通过电感耦合等离子体/反应离子蚀刻(ICP/RIE)工艺，将第一导电半导体层102的表面抛光。
[0061]参照图8，将其中去除衬底101的所得的结构翻转，使得导电支撑衬底110可以位于发光结构之下。
[0062]另外，从第一导电半导体层102至第二导电半导体层106执行台面蚀刻，由此形成蚀刻凹槽105。台面蚀刻可以包括干蚀刻或湿蚀刻。在部分地暴露第二导电半导体层106或保护层107之前，可以一直继续进行台面蚀刻。因此，可以在从第一导电半导体层102至第二导电半导体层106的范围内形成蚀刻凹槽105。
[0063]蚀刻凹槽105具有大约10 μ m至500 μ m的宽度w2，该宽度w2小于保护层107的宽度wl (参见图4)。
[0064]参照图9，在第一导电半导体层102上形成第一电极层112。第一电极层112可以包括透明电极层，或者可以在第一电极层112和第一导电半导体层102之间形成透明层。
[0065]根据实施例的发光二极管100包括保护层107和蚀刻凹槽105，使得可以防止发光二极管100由于外来物质而电短路。
[0066]因此，可以提高发光二极管100的绝缘特性。
[0067]图10是示出根据实施例的包括发光二极管的发光器件的视图。
[0068]参照图10，根据实施例的发光器件包括:电路板10，其具有第一导电图案(未示出)和与第一导电图案分隔开的第二导电图案(未示出)；发光二极管100，其通过布线21电连接到电路板10 ;导环11，其在电路板10上设置在发光二极管100周围；第一模制构件30，其由导环11支撑并且包括荧光体31 ;以及第二模制构件40，其形成在第一模制构件30上。
[0069]如图9和图10中所示，发光二极管100的导电支撑衬底110电连接到电路板10上形成的第一导电图案，并且发光二极管100的第一电极层112通过布线21电连接到与第一导电图案电隔离的第二导电图案。
[0070]第一模制构件30包围发光二极管100使得第一模制构件30的荧光体31可以被从发光二极管100发射的光激发。荧光体31分布在第一模制构件30中。根据另一个实施例，可以省略第一模制构件30。在这种情况下，第二模制构件40可以包括用于第一模制构件30的区域。
[0071]第二模制构件40形成在第一模制构件30上，以决定从发光二极管100发射的光的分布特性。
[0072]根据实施例的发光器件，第二模制构件40具有凸顶表面，并且该凸顶表面的中心下陷。
[0073]图11是示出根据实施例的发光器件的光分布特性的视图。
[0074]如图11中所示，根据用作透镜的第二模制构件40的构造，发光器件的光分布特性可以变化。根据实施例，第二模制构件40整体上具有凸的构造并且第二模制构件40的中心下陷，使得发光器件可以以45的角度发射光。
[0075]这种发光器件可以合适地用作用于显示装置的背光单元。
[0076]图12至图19是示出根据实施例的制造发光器件的方法的视图。
[0077]参照图12，在电路板10上安装导环11和发光二极管100。此时，设置发光二极管100，使得发光二极管100的导电支撑衬底110可以与电路板10的第一导电图案接触。另夕卜，发光二极管的第一电极层112通过布线21电连接到电路板10的第二导电图案。
[0078]参照图13，包括荧光体31的第一模制构件30被形成在具有发光二极管100的电路板10上，使得第一模制构件30可以包围发光二极管100。第一模制构件30由导环11支撑并且其厚度足以覆盖发光二极管100。
[0079]参照图14，在第一模制构件30上，形成包括诸如硅这样的树脂材料的第二模制构件40。第二模制构件40决定从发光二极管100发射的光的分布特性。首先，第二模制构件40形成为凸的构造并且经受初步固化处理。
[0080]例如，可以在40°C至80°C的温度下执行初步固化处理5至15分钟。
[0081]参照图15，在已经执行了初步固化处理之后，通过施压构件50对第二模制构件40施压。图16示出根据另一个实施例的施压构件50。
[0082]如图15和图16中所示，在施压构件50对第二模制构件40施压的状态下，执行主固化处理。
[0083]例如，可以在130°C至170°C的温度下执行主固化处理5至15分钟。
[0084]在完成初步固化处理和主固化处理之后，可以得到如图10所示的发光器件。
[0085]同时，根据制造实施例的发光器件的方法，可以同时处理电路板10上形成的多个发光器件的第二模制构件40，使得产率可以得以提高。
[0086]参照图17，如图14所示形成有第二模制构件40的多个发光器件60被设置在具有导电图案(未示出)和端子12的电路板10上，端子12用于向导电图案提供功率。
[0087]可以在电路板10中形成导销插入孔70。
[0088]同时，图18所示的模制板80的尺寸与电路板10的尺寸相同。导销81被设置在模制板80上。导销81被插入导销插入孔70中，以精确地对齐电路板10和模制板80。分隔件构件82被设置在模制板80上，使得电路板10可以与模制板80分隔开预定距离。施压构件50被设置在与发光器件60对应的模制板80上，以对发光器件60的第二模制构件60施压。
[0089]图18所示的模制构件50与图15所示的模制构件50相同。另外，根据第二模制构件40的形状，可以使用各种类型的模制构件。
[0090]如图19中所示，在电路板10和模制板80相对于彼此对齐的状态下，具有多个水平槽的架90与电路板10和模制板90装配在一起。
[0091]此时，导销81被插入电路板10的导销插入孔70，使得可以防止电路板10和模制板80沿着水平方向晃动，对应于架90的槽91之间的间隔，电路板10可以与模制板80通过分隔件构件82分隔开。为了进行说明，图18所示的导销81和分隔件构件82的位置与图19所示的导销81和分隔件构件82的位置不同。导销81和分隔件构件82的数量和位置可以根据其应用而变化。
[0092]如图19中所示，在电路板10与模制板80组装在一起的状态下，相对于发光器件60执行主固化处理。
[0093]因此，可以针对电路板10中形成的发光器件60，同时处理第二模制构件40。
[0094]同时，由于多个电路板10和模制板80可以对应于架90中形成的槽91的数量与架90装配在一起，所以，可以针对多个电路板10中形成的发光器件60，同时对第二模制构件40进行处理。
[0095]根据制造实施例的发光器件的方法，可以容易地对发光器件的模制构件进行处理，并且可以针对多个发光器件，同时对模制构件进行处理。
[0096]虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，在本发明原理的精神和范围内，本领域的技术人员可以设计出多个其它修改和实施例。更具体来讲，在本发明、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组件和/或布置的各种变形和修改是可行的。除了组件和/或布置的变形和修改之外，对于本领域的技术人员来说，可供选择的用途也将是显而易见的。
[0097]该说明书中对于“ 一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。在该说明书的各个位置出现这类短语都不必涉及相同的实施例。另外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合实施例中的其它实施例实现这种特征、结构或特性是在本领域的技术人员的范围内的。
[0098]工业应用性
[0099]实施例可用于发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。
【主权项】
1.一种发光二极管，包括: 导电支撑衬底； 反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上，包括中心部分和围绕所述中心部分的外围部分； 保护层，所述保护层在所述反射电极层的外围部分上； 第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述反射电极层上； 有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上； 第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；以及 第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上， 其中，所述反射电极层接触所述第二导电半导体层的底表面和所述保护层的底表面。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层和述保护层这两者。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二导电半导体层包括延伸在所述发光结构外部的边缘部分。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层的边缘部分和所述保护层这两者。6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述保护层直接地接触所述第二导电半导体层的边缘部分。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述保护层的顶表面直接地接触所述第二导电半导体层的边缘部分的底表面。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护层的外部与所述反射电极层的外围部分的外部对齐。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护层围绕所述反射电极层的中心部10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二导电半导体层的横向宽度大于所述反射层的中心部分的横向宽度。
【专利摘要】本发明提供了发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。该发光器件包括：电路板，其形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案；发光二极管，其电连接到电路板上的第一导电图案和第二导电图案；第一模制构件，第一模制构件包围所述发光二极管；以及第二模制构件，第二模制构件在所述第一模制构件上。发光二极管包括导电支撑衬底、在导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在反射电极层的外围部分上的保护层、在反射层和保护层上的第二导电半导体层、在第二导电半导体层上的有源层、在有源层上的第一导电半导体层和在第一导电半导体层上的第一电极层。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/40
【公开号】CN105185887
【申请号】CN201510502099
【发明人】朴准奭, 金腾官, 申悍
【申请人】Lg伊诺特有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2009年7月21日
【公告号】CN101981715A, CN101981715B, DE202009018568U1, EP2249408A2, EP2249408A4, US8823028, US20110001161, US20140327032, WO2010011074A2, WO2010011074A3