味着所 制作的多晶膜的热稳定性提高，作为材料是合适的。另一方面，若赋予2根控链则通常所出 现的液晶相稳定化，因此应用于使用液晶相的设备等是合适的。 阳143] 基于W上所述的基本的分子设计来合成物质的情况下，该物质的本发明的有用性 基本上通过选择W液晶相用作有机半导体时，出现高次的近晶相，W结晶相用作有机半导 体时，由比结晶相溫度高的溫度冷却时结晶薄膜不易形成龟裂、空隙，并且邻接于结晶相、 不会出现低次的液晶相的化合物来发挥。也就是说，W液晶相用作有机半导体时，在邻接 于结晶相的溫度区域，出现向列相、SmA相、SmC相W外的液晶相，另外W结晶相用作有机半 导体时，由比结晶相高的溫度区域冷却而转移至结晶相时，不易形成龟裂、空隙作为判定基 准。
[0144] 运可W通过W下所述的筛选法（判定法）来容易地判定。关于该筛选法中使用的 各测定法的详细内容，可W根据需要参照下述文献。
[0145] 文献A:偏振光显微镜的用法（偏光顕微鏡①使方）：实验化学讲座（実験化学 講座）第4版1卷、丸善、P429~435
[0146] 文献B:液晶材料的评价（液晶材料①評価）：实验化学讲座（実験化学講座）第 5版27卷P295~300、丸善：液晶科学实验入口日本液晶学会（液晶科学実験入門日本液 晶学会）编、Sigma出版 阳147] (SI)所分离的被检物质通过柱色谱法和重结晶精制后，通过硅胶的薄层色谱法确 认，该被检物质示出单一点（即不是混合物）。
[0148] (S2)利用毛细管现象，将加热到各向同性相的样品注入到介由间隔物贴合载片而 成的15ym厚的盒。暂时将盒加热至各向同性相溫度，用偏振光显微镜观察其纹理，确认在 比各向同性相低的溫度区域不会形成暗视野。运表示分子长轴相对于基板发生了水平取 向，成为W后的纹理观察所需要的条件。 阳149] 做）W适当的降溫速度、例如5°C/分钟左右的速度冷却盒的同时，利用显微镜观 察纹理。此时若冷却速度过快，则所形成的组织变小，难W进行详细的观察，因此再次将溫 度升高至各向同性相，调整冷却速度，设定容易观察组织的、组织的尺寸为50ymW上的条 件。
[0150] (S4)在上述做）项中设定的条件下，由各向同性相冷却至室溫（20°C)的同时 观察纹理。若在该期间盒中试样结晶化，则随着晶格的收缩，产生龟裂、空隙，在所观察的 纹理出现黑线或具有某尺寸的区域。注入样品时若进入空气，则局部产生同样的黑色区域 (通常为圆形），但是由于结晶化而产生的黑线、区域分布、出现于组织内、交界，因此可W 容易地区别。它们由于即使旋转起偏镜和检偏镜也没有发现消失、颜色变化，因此可W与 纹理发现的除此之外的组织容易地识别。将该纹理出现的溫度作为结晶化溫度，确认在比 该溫度高的溫度区域出现的纹理不是向列相、SmA相、SmC相。样品示出向列相的情况下， 观察到表现为丝卷状的特征的条纹纹理，示出SmA相、SmC相的情况下，观察到被称为扇形 (fan-1化e)纹理的扇型且其区域内具有均匀的组织的特征的纹理，因此可W由运种特征的 纹理容易地判定。
[0151] 作为特殊的情况，对于由SmA相转移至SmB相、由SmC相转移至SmF、SmI相的物质 而言，在相变溫度下瞬间发现视野的变化，但是相变了的纹理有可能几乎看不到变化，需要 注意有可能将所形成的SmB相、SmF相、SmI相的纹理误认为SmA相、SmC相。此时，对在相 变溫度下发现的瞬间的视野的变化加W注意是重要的。需要该确认的情况下，通过DSC确 认中间相的数，然后，在各溫度区域测定X射线衍射，在各相特有的高角度区域（0-20的 判定中为15~30度）中确认峰的有无时，可W容易地判定SmA相、SmC相（都没有峰）和 SmB相、SmF相、SmI相（都有峰）。 阳152] (S5)在室溫（20°C)下利用偏振光显微镜进行纹理观察，没有发现黑色组织的物 质由于能够作为有机半导体材料利用，因此该物质无论为室溫下的高次的液晶相、或结晶 相（包含亚稳的结晶相），都作为本发明的范畴处理。 阳153] 从将本发明的有机半导体材料应用于装置的观点考虑，忍部的HOMO、LUMO的能级 也是重要的。通常对于有机半导体的HOMO能级而言，在经过脱水的二氯甲烧等有机溶剂 中，例如W1毫摩尔/L~10毫摩尔/L的浓度溶解被检物质，加入四下基锭盐等支持电解 质0. 2摩尔/L左右，在该溶液中插入Pt等工作电极和Pt等对置电极、W及Ag/AgCl等参 比电极，然后利用恒电位仪W50mV/秒左右的速度扫描，画出CV曲线，由峰的电位和与成 为基准的例如二茂铁等已知物质的电位之差，可W估计册MO能级、LUMO能级。册MO能级、 LUMO能级处于所使用的有机溶剂的电位窗之外的情况下，由紫外可见吸收光谱的吸收端计 算册MO-LUMO能级，从能够测定得到的能级中减去，由此可W估计册MO能级、LUMO能级。该 方法可W参照J.F*〇mmerehne,H.Vestweber,W.Guss、R.F.Ma虹t,比Bassler,M.Porsch,and J.Daub,Adv.Mater. , 7, 551 (1995)。
[0154] 通常有机半导体材料的册MO、LUMO能级，分别提供与阳极、阴极电接触的基准，通 过利用与电极材料的功函数之差决定的能量垒的大小，限制电荷注入，因此需要加W注意。 对于金属的功函数而言，若列举出经常用作电极的物质的例子，则可W是银（Ag)4.OeV、侣 (Al)4. 28eV、金（Au)5.leV、巧（Ca)2. 87eV、铭（Cr)4. 5eV、铜（Cu)4. 65eV、儀（Mg)3. 66eV、 钢（Mo)4. 6eV、销（Pt)5. 65eV、铜锡氧化物（IT0)4. 35 ~4. 75eV、氧化锋狂n0)4. 68eV，从前 述观点考虑，优选有机半导体材料与电极物质的功函数之差为levW下，更优选为0. 8eVW 下，进一步优选为〇.6eVW下。金属的功函数根据需要可W参照下述文献。 阳巧5] 文献D:化学便览（化学便覧）基础编修订第5版11-608-61014.化功函数（仕 事関数）（丸善出版株式会社）（2004) 阳156]HOMO、LUMO能级受到忍部的共辆的JT-电子系的大小的影响，因此共辆系的大小 在选择材料时成为参考。另外，作为改变H0M0、LUM0能级的方法，在忍部导入杂元素是有效 的。
[0157] (合适的电荷传输性分子单元A的例示）
[0158] 若例示出本发明中能够合适地使用的"电荷传输性分子单元A"，则如W下所述。X 表不S、0、畑。 阳 159]
阳161](合适的环状结构单元C的例示） 阳162] 若例示出本发明中能够合适地使用的"环状结构单元C"，则如W下所述。单元C 可W与单元A相同。 阳 163]
[0164] 或者可W为具有乙烘基结构的下述通式（3)或（4)的取代基。
[0166] 通式（3)所示的取代基的Ari若为可W具有取代基的芳香族控基或可W具有取代 基的杂芳香族基团则没有特别限制，可列举出例如W下的例子。
[0167] 作为可W具有取代基的芳香族控基，可列举出苯基、糞基、甘菊环基（azulenyl)、 起基、蔥基、菲基、糞并糞基、巧基、巧基、稠二糞基、巧基、联苯基、对=联苯基、四联苯基等 未取代的碳原子数为6~24的单环或多环式芳香族控基， 阳168] 邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、2, 4-二甲苯基、2, 6-二甲苯基、2, 4, 6-S甲苯基、 2, 3, 5, 6-四甲苯基、4-乙基苯基、4-正丙基苯基、4-异丙基苯基、4-正下基苯基等前述芳香 族控基被碳原子数为1~4的烷基取代而成的烷基取代芳香族控基， 阳169] 另外，作为可W具有取代基的杂芳香族基团，可列举出化咯基、吗I噪基、巧喃基、嚷 吩基、咪挫基、苯并巧喃基、=挫基、苯并=挫基、苯并嚷吩基、化挫基、吗I嗦基、哇嘟基、异哇 嘟基、巧挫基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、二氨吗I噪基、嚷挫基、化晚基、喀晚基、化嗦基、 化嗦基、嚷二嗦基、嗯二挫基、苯并哇嘟基、嚷二挫基、化咯并嚷挫基、化咯并化嗦基、四挫 基、嗯挫基等5元环或6元环的杂芳香族基团，在该杂芳香族基团稠合苯而成的多环式杂芳 香族基团，
[0170] 5-甲基嚷吩基等前述杂芳香族基团被碳原子数为1~4的烷基取代而成的烷基取 代杂芳香族基团。 阳171] 另外，通式（3)所示的取代基的A。若为可W具有取代基的芳香族控基则没有特 别限制，可列举出例如W下的例子。 阳172] 可列举出亚苯基、亚糞基、亚甘菊环基、亚起基、亚蔥基、亚菲基、亚糞并糞基、亚巧 基、亚巧基、亚稠二糞基、亚巧基、亚联苯基、亚对=联苯基、亚四联苯基等碳原子数为6~ 24的单环或多环式芳香族控基，
[0173] 亚苄基、亚二甲苯基、乙基亚苯基、丙基亚苯基、下基亚苯基、甲基亚糞基、9, 9'-二 己基亚巧基等前述芳香族控基被碳原子数为1~10的烷基取代而成的烷基取代芳香族控 基，
[0174] 氣亚苯基、氯亚苯基、漠亚苯基等前述芳香族控基被氣原子、氯原子、漠原子等面 素取代而成的面化芳香族控基等。
[0175] 进而，通式（4)所示的R'为氨原子，甲基、乙基、丙基、下基等碳原子数为1~4的 烷基，氯原子、漠原子、舰原子等面原子。 阳176](合适的单键的例示） 阳177] 本发明中能够合适地使用的用于连接上述单元A和C的"单键"，W分子整体形成 棒状的方式选择构成单元A和单元C的环状结构的碳中、处于分子长轴方向的碳彼此。良P， 本发明中，构成单元A的碳和构成单元C的碳直接通过"单键"（singlebond)连接。 阳17引（合适的单元A和单元C的组合的例示）
[0179] 若例示出本发明中能够合适地使用的"单元A和单元C的组合"（根据前述连接而 成）则如W下所述。 阳180]
阳181](合适的单元B)
[0182] 单元B可WW直链状或支链状使用，但是更优选为直链状。该单元B的碳原子数 优选为2个W上。该碳原子数进一步优选为3~20个。碳原子数的增加通常使得液晶相 溫度降低，因此特别是W液晶相用作有机半导体时是合适的。但是另一方面，若碳原子数过 长，则使得在有机溶剂中的溶解度降低，因此有可能损害工艺适性。使用碳原子数的情况 下，若使用单元B中含有氧、硫、氮的结构，则对于溶解度的改善是有效的。此时，氧、硫、氮 原子没有直接连接单元A或单元C的结构从迁移率的观点考虑优选，从化学稳定性的观点 考虑，优选与单元A或单元B的连接为介由两个W上碳后连接氧、硫、氮的结构。上述例示 中，作为特别是适于解决本发明问题的单元A、单元B、单元C的具体例，可列举出W下例子。 阳183] <单元A〉 阳 184]
阳化5] 它们之中，[1]苯并嚷吩并巧，2-b] [1]苯并嚷吩由于电荷迁移率高而特别优选。 阳186] 上述列举出的单元A的化合物可W具有能够在单元A取代的公知惯用的取代基。 运种取代基若不会对解决本发明的问题造成障碍则没有限定，作为优选的取代基，可列举 出下述例子。
[0187] 烷基、具有面原子、氧原子、氮原子、硫原子等杂原子的脂肪族化合物、締基、烘基、 作为取代基的嚷吩、嚷吩并嚷吩、苯并嚷吩、苯、糞、联苯、巧、化晚、咪挫、苯并嚷挫、巧喃等 芳香族化合物。 阳18引 < 单元C>
[0189] 嚷吩、嚷吩并嚷吩、苯并嚷吩、苯、糞、联苯、巧、化晚、咪挫、苯并嚷挫、巧喃、环戊 締、环己締、四氨巧喃、四氨化喃、四氨嚷吩、化咯烧、赃晚
[0190] 上述列举出的单元C的化合物可W具有公知惯用的取代基。 阳191] 运种取代基若不会对解决本发明的问题造成障碍则没有限定，作为优选的取代 基，可列举出下述例子。
[0192] 烷基、具有面原子、氧原子、氮原子、硫原子等杂原子的脂肪族化合物、締基、烘基、 作为取代基的嚷吩、嚷吩并嚷吩、苯并嚷吩、苯、糞、联苯、巧、化晚、咪挫、苯并嚷