0_第二导电柱层；340A_第三导电柱层；342_第二导电柱层的第一表面；350_第一铸模化合物层；360_防焊层；370_第一外接元件；372、374_外接元件；380_第二铸模化合物层；390_第一导电元件；400_第二外接元件；步骤S1102-步骤S1128 ;步骤S1702-步骤S1726 ；500-金属承载板；502_金属承载板的第一表面；504_金属承载板的第二表面。
【具体实施方式】
[0079]以下是实施例及其试验数据等，但本发明的内容并不局限于这些实施例的范围。
[0080]图3A为本发明第一实施例的封装装置示意图。封装装置30A，其包括一第一导线层300、一第一导电柱层310、一介电材料层320、一第二导线层330、一第二导电柱层340以及一第一铸模化合物层350。第一导线层300具有相对的一第一表面302与一第二表面304，在一实施例中，第一导线层300可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一个芯片座。第一导电柱层310设置于第一导线层300的第一表面302上，其中第一导线层300与第一导电柱层310嵌设于介电材料层320内。此外，介电材料层320可为一热固型材质或一感光型材质，其成分可为一树脂材质、一氮化娃材质或一氧化娃材质，但不以此为限。[0081 ] 第二导线层330设置于第一导电柱层310与介电材料层320上，第二导电柱层340设置于第二导线层330上，在一实施例中，第二导电柱层340可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一个芯片座，在本实施例中，第二导电柱层340为一球栅阵列电极层。其中第二导线层330与第二导电柱层340嵌设于第一铸模化合物层350内。此外,第一铸模化合物层350为芯片封装用的铸模化合物(Molding Compound)材质,第一铸模化合物层350具有酌■酸基树脂(Novolac-Based Resin)、环氧基树脂(Epoxy-Based Resin)、娃基树脂(Silicone-Based Resin)或其他适当的铸模化合物,但不以此为限。
[0082]其中，第一导线层300的第二表面304可高于或不高于介电材料层320,第二导电柱层340可高于或不高于第一铸模化合物层350，在本实施例中，第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320，第二导电柱层的第一表面342同平面于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0083]在此要特别说明，本发明是直接使用介电材料层进行增层技术布线流程以用来取代公知的铸模化合物基板结构的第一铸模化合物层，其可改善公知的细线路设计必须还要使用介电材料层来增加第一铸模化合物层与各导电层之间的结合力所造成制造工艺繁复且成本提高的缺点。
[0084]在一实施例中，第二导线层330的线宽可大于或不大于第二导电柱层340的柱宽。在本实施例中，第二导线层330的线宽大于第二导电柱层340的柱宽，但不以此为限。
[0085]然而当本发明第二导线层330的线宽小于第二导电柱层340的柱宽时，就不会因为在后端封装的防焊层设计(Solder Mask Design, SMD)中，还需要考量防焊对位(SolderMask Alignment)的精准度偏差,而需把第二导线层330的线宽设计得比第二导电柱层340的柱宽更大，故本实施例的结构增加了整理封装设计的弹性。此外，本发明亦可直接使用第一铸模化合物层来取代公知的铸模化合物基板结构或嵌入式图形电镀封装结构的防焊层，故可避免再使用防焊层的工艺步骤，其可改善公知的球栅阵列开口的解析度差与防焊层的膜层厚度均匀性不佳的缺点，进而提升后段封装工艺的可靠度。
[0086]图3B为本发明第二实施例的封装装置示意图。封装装置30B基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其中，封装装置30B的第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320，其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0087]图3C为本发明第三实施例的封装装置示意图。封装装置30C基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其中，封装装置30B的第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342高于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0088]图3D为本发明第四实施例的封装装置示意图。封装装置30D基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其中，封装装置30B的第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320，其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层350,并且第一铸模化合物层350完全包覆第二导电柱层340的表壁,但不以此为限。
[0089]图3E为本发明第五实施例的封装装置示意图。封装装置30E基本上类似于本发明第四实施例的封装装置30D的结构。其中，封装装置30E的第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320，其差异在于第二导电柱层340的第一表面342同平面于第一铸模化合物层350,并且第一铸模化合物层350完全包覆第二导电柱层340的表壁,但不以此为限。
[0090]图3F为本发明第六实施例的封装装置示意图。封装装置30F基本上类似于本发明第四实施例的封装装置30D的结构。其中，封装装置30F的第一导线层300的第二表面304同平面于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342高于第一铸模化合物层350，并且第一铸模化合物层350部份包覆第二导电柱层340的表壁，但不以此为限。
[0091]图3G为本发明第七实施例的封装装置示意图。封装装置30G由上述本发明第一实施例的封装装置30A再包括防焊层360设置于第一导线层300的第二表面304与介电材料层320上，并且露出部分的第一导线层300与介电材料层320的封装区域，但不以此为限。在此要特别说明，本发明为一种非防焊层设计(Non Solder Mask Design, NSMD),其仅露出部分的第一导线层300与介电材料层320的封装区域，其余未露出的区域皆由防焊层360所覆盖保护。
[0092]图3H为本发明第八实施例的封装装置示意图。封装装置30H，其包括一第一导线层300A、一第一导电柱层310A、一第二导线层310B与一第二导电柱层310C、一介电材料层320A、一第三导线层330A、一第三导电柱层340A以及一第一铸模化合物层350A。第一导线层300A具有相对的一第一表面302A与一第二表面304A，在一实施例中，第一导线层300A可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一个芯片座。第一导电柱层310A设置于第一导线层300A的第一表面302A上，第二导线层310B设置于第一导电柱层310A上，第二导电柱层310C设置于第二导线层310B上，其中第一导线层300A、第一导电柱层310A、第二导线层310B与一第二导电柱层310C嵌设于介电材料层320A内。此外，介电材料层320A可为热固型材质或感光型材质，其成分可为树脂材质、氮化硅材质或氧化硅材质，但不以此为限。
[0093]第三导线层330A设置于第二导电柱层310C与介电材料层320A上，第三导电柱层340A设置于第三导线层330A上，在一实施例中，第三导电柱层340A可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一芯片座，在本实施例中，第三导电柱层340A为球栅阵列电极层。其中第三导线层330A与第三导电柱层340A嵌设于第一铸模化合物层350A内。此夕卜，第一铸模化合物层350A为芯片封装用的铸模化合物(Molding Compound)材质,第一铸模化合物层350A具有酸酸基树脂(Novolac-Based Resin)、环氧基树脂(Epoxy-BasedResin)、娃基树脂(Silicone-Based Resin)或其他适当的铸模化合物,但不以此为限。
[0094]封装装置30H基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其差异在于封装装置30H是借由一第一导电柱层310A、一第二导线层310B与一第二导电柱层310C来取代封装装置30A的第一导电柱层310，但不以此为限。
[0095]图4A为本发明第九实施例的封装装置示意图。封装装置40A基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其差异在于封装装置40A的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320，但是第二导电柱层340的第一表面342仍然同平面于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0096]图4B为本发明第十实施例的封装装置示意图。封装装置40B基本上类似于本发明第九实施例的封装装置40A的结构。其中，封装装置40B的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0097]图4C为本发明第十一实施例的封装装置示意图。封装装置40C基本上类似于本发明第九实施例的封装装置40A的结构。其中，封装装置40C的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342高于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0098]图4D为本发明第十二实施例的封装装置示意图。封装装置40D基本上类似于本发明第九实施例的封装装置40A的结构。其中，封装装置40D的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层350,并且第一铸模化合物层350完全包覆第二导电柱层340的表壁,但不以此为限。
[0099]图4E为本发明第十三实施例的封装装置示意图。封装装置40E基本上类似于本发明第十二实施例的封装装置40D的结构。其中，封装装置40E的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320，其差异在于第二导电柱层340的第一表面342同平面于第一铸模化合物层350,并且第一铸模化合物层350完全包覆第二导电柱层340的表壁,但不以此为限。
[0100]图4F为本发明第十四实施例的封装装置示意图。封装装置40F基本上类似于本发明第十二实施例的封装装置40D的结构。其中，封装装置40F的第一导线层300的第二表面304低于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342高于第一铸模化合物层350，并且第一铸模化合物层350部份包覆第二导电柱层340的表壁，但不以此为限。
[0101]图4G为本发明第十五实施例的封装装置示意图。封装装置40G由上述本发明第九实施例的封装装置40A再包括防焊层360设置于第一导线层300的第二表面304与介电材料层320上，并且露出部分的第一导线层300与介电材料层320的封装区域，但不以此为限。在此要特别说明，本发明为一种非防焊层设计(Non Solder Mask Design, NSMD),其仅露出部分的第一导线层300与介电材料层320的封装区域，其余未露出的区域皆由防焊层360所覆盖保护。
[0102]图4H为本发明第十六实施例的封装装置示意图。封装装置40H，其包括一第一导线层300A、一第一导电柱层310A、一第二导线层310B与一第二导电柱层310C、一介电材料层320A、一第三导线层330A、一第三导电柱层340A以及一第一铸模化合物层350A。第一导线层300A具有相对的一第一表面302A与一第二表面304A，在一实施例中，第一导线层300A可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一个芯片座。第一导电柱层310A设置于第一导线层300A的第一表面302A上，第二导线层310B设置于第一导电柱层310A上，第二导电柱层310C设置于第二导线层310B上，其中第一导线层300A、第一导电柱层310A、第二导线层310B与一第二导电柱层310C嵌设于介电材料层320A内。此外，介电材料层320A可为热固型材质或感光型材质，其成分可为树脂材质、氮化硅材质或氧化硅材质，但不以此为限。
[0103]第三导线层330A设置于第二导电柱层310C与介电材料层320A上，第三导电柱层340A设置于第三导线层330A上，在一实施例中，第三导电柱层340A可以为图案化导线层，其包括至少一走线或至少一个芯片座，在本实施例中，第三导电柱层340A为球栅阵列电极层。其中第三导线层330A与第三导电柱层340A嵌设于第一铸模化合物层350A内。此外,第一铸模化合物层350A为芯片封装用的铸模化合物(Molding Compound)材质,第一铸模化合物层350A具有酌■酸基树脂(Novolac-Based Resin)、环氧基树脂(Epoxy-Based Resin)、石圭基树脂(Silicone-Based Resin)或其他适当的铸模化合物,但不以此为限。
[0104]封装装置40H基本上类似于本发明第九实施例的封装装置40A的结构。其差异在于封装装置40H是借由一第一导电柱层310A、一第二导线层310B与一第二导电柱层310C来取代封装装置40A的第一导电柱层310，但不以此为限。
[0105]图5A为本发明第十七实施例的封装装置示意图。封装装置50A基本上类似于本发明第一实施例的封装装置30A的结构。其差异在于封装装置50A的第一导线层300的第二表面304高于介电材料层320,但是第二导电柱层340的第一表面342仍然同平面于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0106]图5B为本发明第十八实施例的封装装置示意图。封装装置50B基本上类似于本发明第十七实施例的封装装置50A的结构。其中，封装装置50B的第一导线层300的第二表面304高于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0107]图5C为本发明第十九实施例的封装装置示意图。封装装置50C基本上类似于本发明第十七实施例的封装装置50A的结构。其中，封装装置50C的第一导线层300的第二表面304高于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342高于第一铸模化合物层350，但不以此为限。
[0108]图f5D为本发明第二十实施例的封装装置示意图。封装装置50D基本上类似于本发明第十七实施例的封装装置50A的结构。其中，封装装置50D的第一导线层300的第二表面304高于介电材料层320,其差异在于第二导电柱层340的第一表面342低于第一铸模化合物层