00 μπι的范围内、例如在从大约500 μm到大约1 mm的范围内。
[0013]依据各种实施例，MEMS传感器106可以被耦合到引线框架102的表面。MEMS传感器106可以通过封闭层118a被耦合到引线框架102的表面。封闭层118a可以是或可以包含如对给定应用可以是期望的各种粘合剂、封闭剂、和环氧胶，比如传导或非传导环氧胶、或基于硅酮的胶。封闭层118a可以是导电的或可以是电绝缘体，如对给定应用可以要求的。封闭层118a可以是或可以包含聚合物粘合剂，诸如SU-8或苯并环丁烯(BCB)。依据各种实施例，封闭层118a可以是或可以包含各种粘性箔。封闭层118a可以具有如对给定应用可以是期望的厚度，比如在从大约5 μm到大约50 μm的范围内，例如在从大约5 μπι到大约20 μm的范围内，例如在从大约20 μπι到大约50 μπι的范围内。
[0014]在各种实施例中，MEMS传感器106可以被实施为MEMS麦克风、MEMS扬声器、或MEMS压力传感器。在其中MEMS传感器106可以被实施为MEMS麦克风的实施例中，MEMS麦克风可以具有背容积120，该背容积120为大约5立方毫米，例如在从大约0.5立方毫米到大约1立方毫米的范围内、例如在从大约1立方毫米到大约1.5立方毫米的范围内、例如在从大约1.5立方毫米到大约3立方毫米的范围内、例如在从大约3立方毫米到大约5立方毫米的范围内。在各种实施例中，MEMS麦克风背容积120可以具有深度D2，该深度D2在从大约50 μπι到大约1 mm的范围内，例如在从大约50 μπι到大约100 μπι的范围内、在从大约100 μm到大约200 μm的范围内、例如在从大约200 μπι到大约300 μπι的范围内、例如在从大约300 μπι到大约500 μm的范围内、例如在从大约500 μπι到大约1mm的范围内。
[0015]在各种实施例中，MEMS传感器106可以被布置在凹部104之上以形成腔108。腔108可以由凹部104和MEMS麦克风背容积120来形成。封闭层108a可以在声学上封闭在凹部104和MEMS麦克风背容积120之间的界面。依据各种实施例，凹部104可以延伸和/或扩大MEMS麦克风背容积120，而没有增加MEMS传感器结构100的总体高度H1。增加背体积120的大小可以导致针对MEMS麦克风的增加的信噪比。
[0016]依据各种实施例，如在图1中图解的，集成电路110可以被布置和/或被安装在多个电引线102b中的至少一个的表面上。在各种实施例中，集成电路110可以通过封闭层118b被紧固到电引线102b的表面。封闭层118b可以是或可以包含如对给定应用可以是期望的各种粘合剂、封闭剂、和环氧胶，比如传导或非传导环氧胶、或基于硅酮的胶。封闭层118b可以是导电的或可以是电绝缘体，如对给定应用可以要求的。封闭层118b可以是或可以包含聚合物粘合剂，诸如SU-8或苯并环丁烯(BCB)。依据各种实施例，封闭层118b可以是或可以包含各种粘性箔。封闭层118b可以具有如对给定应用可以是期望的厚度，比如在从大约5 μm到大约50 μm的范围内，例如在从大约5 μπι到大约20 μπι的范围内，例如在从大约20 μm到大约50 μπι的范围内。
[0017]在各种实施例中，集成电路110可以被电耦合和/或连接到多个电引线102b中的至少一个。集成电路110可以经由线键合元件122被电连接到多个电引线102b中的任何数目。在一些实施例中，集成电路可以经由在集成电路的表面上的传导焊盘(未被示出)被电连接到多个电引线中的任何电引线。
[0018]在各种实施例中，集成电路110可以被实施为专用集成电路(ASIC)。集成电路110可以被实施为各种类型的ASIC，例如门阵列ASIC、标准单元ASIC、全定制ASIC、结构化设计ASIC、单元库ASIC、和各种知识产权(IP)核ASIC。
[0019]依据各种实施例，集成电路110可以被电耦合和/或连接到MEMS传感器106。集成电路110可以经由线键合元件124被电连接到MEMS传感器106。在一些实施例中，集成电路110可以被配置成处理由MEMS传感器106生成的至少一个电信号。比如，在MEMS传感器106可以被实施为MEMS麦克风的情况中，集成电路110可以被配置成测量例如由入射在MEMS传感器106上的声波在MEMS传感器106中生成的电容性信号并且将所述信号转换成关于声波的幅度的可用信息。在其它示范性实施例中，MEMS传感器106可以被实施为MEMS压力传感器并且集成电路110可以被配置成测量和处理由MEMS压力传感器生成的关于环境压力的改变的电信号。在另一个示范性实施例中，MEMS传感器106可以被实施为MEMS扬声器并且集成电路110可以被配置成处理电信号和传输电信号到MEMS扬声器，其中所述信号可以造成MEMS扬声器以如对给定应用可以是期望的各种幅度和频率生成声波。
[0020]依据各种实施例，如在图1中图解的，MEMS传感器结构100可以包含密封层112。密封层112可以基本上分别密封和/或覆盖引线框架102、MEMS传感器106、集成电路110、以及线键合元件122和124。密封层112可以通过下述各种工艺被形成和/或被沉积:例如转移模制、压缩模制、注入模制、柱塞模制、薄膜辅助模制、顶部密封(glob top)工艺、以及各种烧结工艺诸如热压缩模制和等静压(isostatic pressing)。依据各种实施例，密封层112可以由下述组成或可以包含下述:模制材料诸如各种热固聚合物、热固塑料、热固树月旨、聚酯树脂、薄膜、聚酰胺、以及各种环氧胶或环氧树脂。在一些实施例中，密封层112可以由对给定应用可以是期望的任何材料组成或可以包含对给定应用可以是期望的任何材料。
[0021]依据各种实施例，MEMS传感器结构100可以包含在密封层112中形成的开口 114。开口 114可以被布置，使得MEMS传感器106的部分不被密封层112覆盖。在各种示范性实施例中，开口 114可以在密封层112中形成并且被配置成允许MEMS传感器106的部分保持暴露和/或与围绕MEMS传感器结构100的环境连通。在其中MEMS传感器结构100可以被实施为MEMS麦克风的示范性实施例中，开口 114可以允许声波造成麦克风的隔膜元件偏转。在其中MEMS传感器结构100可以被实施为MEMS压力传感器的示范性实施例中，开口114可以允许围绕MEMS传感器结构100的环境压力的改变造成在压力传感器的膜元件中的偏转。在各种实施例中，依据各种实施例，开口 114可以通过下述各种技术被形成在密封层112中:例如激光钻孔、各种研磨技术、深反应离子刻蚀、各向同性气相刻蚀、汽相刻蚀、湿法刻蚀、各向同性干法刻蚀、等离子体刻蚀等。在各种实施例中，开口 114可以在形状上是方形的或基本上方形的。开口 114可以在形状上是长方形的或基本上长方形的。依据各种实施例，开口 114可以在形状上是圆或基本上圆的。开口 114可以在形状上是椭圆或基本上椭圆状的。依据各种实施例，开口 114可以在形状上是三角形或基本上三角形的。开口 114可以是十字或基本上十字形的。依据各种实施例，开口 114可以被形成为对给定应用可以期望的任何形状。
[0022]依据各种实施例，如在图1中图解的，MEMS传感器结构100可以包含至少一个间隔区结构116。间隔区结构116可以被布置在开口 114的边缘区域处。依据各种实施例，间隔区结构116可以由下述组成或可以包含下述:半导体材料，诸如硅、锗、硅锗、碳化硅、氮化镓、铟、氮化铟镓、砷化铟镓、铟镓锌氧化物、或其它元素和/或化合物半导体(例如ιιι-ν化合物半导体诸如例如砷化镓或磷化铟，或I1-VI化合物半导体或三元化合物半导体或四元化合物半导体)，如对给定应用可以期望的。在各种实施例中，间隔区结构116可以由下述组成或可以包含下述:各种光聚合物、光树脂、热塑性塑料、和光致抗蚀剂，例如各种丙烯酸盐、异丁烯酸盐、光敏引发剂、环氧树脂、负性光致抗蚀剂、以及正性光致抗蚀剂。在各种实施例中，间隔区结构116可以具有高度H2，该高度H2在从大约5 μπι到大约500 μπι的范围内，例如在从大约5 μπι到大约10 μπι的范围内、例如在从大约10 μπι到大约20 μπι的范围内、例如在从大约20 μπι到大约30 μπι的范围内、例如在从大约30 μπι到大约50μm的范围内、例如在从大约50 μm到大约100 μm的范围内、例如在从大