跨过凹部104的开口来布置的封闭结构802。在各种实施例中，封闭结构802可以被布置成在声学上封闭在芯片座区域102a中由凹部104形成的穿孔的一端。封闭结构802可以由下述组成或可以包含下述:各种粘合剂、封闭剂、环氧胶、聚合物、塑料、树脂、薄膜、聚酰胺、金属化材料、元素金属、金属箔、以及各种类型的金属合金。封闭结构可以由对给定应用可以是期望的任何材料组成或可以包含对给定应用可以是期望的任何材料。
[0032]依据各种实施例，如由在图9中的示意性表示900描绘的，MEMS传感器106可以被耦合到引线框架102的芯片座区域102a。MEMS传感器结构106可以通过如以上详细讨论的各种技术被耦合和/或安装到芯片座区域102a。同样地在示意性表示900中描绘的是集成电路110，其可以被耦合到多个电引线102b和/或被安装在多个电引线102b上。依据各种实施例，示意性表示900进一步描绘密封层112和间隔区结构116。在示意性表示900中进一步图解的是其中凹部104被实施为在芯片座区域102a中的穿孔的示范性实施例。在示意性表示900中描绘的示范性实施例中，凹部104横向延伸到芯片座区域102a中。依据各种实施例，台阶状MEMS传感器结构400可以通过各种半导体器件加工技术被制造，各种半导体器件加工技术中的一些可以采用各种器件单体化技术，例如切块。在示意性表示900中描绘的示范性实施例中，台阶状MEMS传感器结构400的最终封装外形由参考数字602指示。在各种实施例中，如在示意性表示900中图解的和以上讨论的，封闭结构802可以被布置成在声学上封闭在芯片座区域102a中由凹部104形成的穿孔的一端。
[0033]依据各种实施例，如由在图10中的示意性表示1000描绘的，台阶状MEMS传感器结构400的引线框架102可以包含若干开口和/或开口 702。在各种实施例中，开口 702可以被实施以结构化和/或限定多个电引线102b。
[0034]下面示例关于进一步示范性实施例。
[0035]在示例1中，传感器结构，该传感器结构可以包含:用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及MEMS传感器，耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔。
[0036]在示例2中，示例1的传感器结构，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0037]在示例3中，示例2的传感器结构，其中凹部可以在芯片座区域中形成。
[0038]在示例4中，示例1的传感器结构，其中MEMS传感器可以包含至少一个隔膜结构。
[0039]在示例5中，示例1的传感器结构也可以包含:电耦合到MEMS传感器的集成电路；其中集成电路可以被配置成处理由MEMS传感器生成的信号。
[0040]在示例6中，示例5的传感器结构，其中集成电路可以通过线键合工艺被电耦合到MHMS传感器。
[0041]在示例7中，示例5的传感器结构，其中集成电路可以被电耦合到引线框架。
[0042]在示例8中，示例5的传感器结构可以进一步包含:可以设置在引线框架的表面之上的密封层；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0043]在示例9中，示例8的传感器结构可以进一步包含:在密封层中的开口 ；其中开口可以被布置，使得MEMS传感器的部分不被密封层覆盖。
[0044]在示例10中，示例8的传感器结构，其中密封层可以通过转移模制工艺被沉积。
[0045]在示例11中，示例9的传感器结构可以进一步包含:布置在开口的边缘区域处的间隔区结构；其中间隔区结构可以被配置成防止密封层被沉积在开口中。
[0046]在示例12中，传感器结构，该传感器结构可以包含:用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的部分中形成的通孔；以及MEMS传感器，耦合到引线框架的表面并且布置在通孔的开口之上以形成拱顶结构。
[0047]在示例13中，示例12的传感器结构可以进一步包含:配置成封闭通孔中的开口的结构；其中该结构可以被布置在通孔的与MEMS传感器相对的端处。
[0048]在示例14中，示例13的传感器结构，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0049]在示例15中，示例14的传感器结构，其中通孔可以在半导体芯片座区域中形成。
[0050]在示例16中，示例13的传感器结构，其中MEMS传感器可以被实施为至少一个隔膜结构。
[0051]在示例17中，示例13的传感器结构可以进一步包含:电耦合到MEMS传感器的集成电路；其中集成电路可以被配置成处理由MEMS传感器生成的信号。
[0052]在示例18中，示例13的传感器结构可以进一步包含:设置在引线框架的表面之上的密封层；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0053]在示例19中，示例18的传感器结构可以进一步包含:在密封层中的开口 ；其中开口可以被布置，使得MEMS传感器的部分不被密封层覆盖。
[0054]在示例20中，示例18的传感器结构可以进一步包含:布置在开口的边缘区域处的间隔区结构；其中间隔区结构可以被配置成防止密封层被沉积在开口中。
[0055]在示例21中，示例18的传感器结构，其中通孔的部分可以横向延伸到引线框架中超过MEMS传感器的周界。
[0056]在示例22中，传感器结构，该传感器结构可以包含:用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及被布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。
[0057]在示例23中，示例22的传感器结构，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0058]在示例24中，示例22的传感器结构，其中MEMS传感器可以被实施为至少一个隔膜结构。
[0059]在示例25中，示例22的传感器结构可以进一步包含:电耦合到MEMS传感器的集成电路；其中集成电路可以被配置成处理由MEMS传感器生成的信号。
[0060]在示例26中，示例22的传感器结构可以进一步包含:设置在引线框架的表面之上的密封层；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0061]在示例27中，示例26的传感器结构，其中密封层可以将MEMS传感器和集成电路固定到引线框架。
[0062]在示例28中，示例26的传感器结构，其中密封层可以被配置成封闭由MEMS传感器和凹部形成的腔。
[0063]在示例29中，传感器结构，该传感器结构可以包含:用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的部分中形成的通孔；以及布置在通孔的开口之上以形成拱顶结构的MHMS传感器。
[0064]在示例30中，示例29的传感器结构，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0065]在示例31中，示例30的传感器结构，其中通孔可以在半导体芯片座区域中形成。
[0066]在示例32中，示例30的传感器结构可以进一步包含:设置在引线框架的表面之上的密封层；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0067]在示例33中，示例32的传感器结构，其中通孔的部分可以横向延伸到密封层中超过MEMS传感器的周界。
[0068]在示例34中，示例30的传感器结构，其中MEMS传感器可以被实施为至少一个隔膜结构。
[0069]在示例35中，示例32的传感器结构可以进一步包含:配置成封闭通孔的开口的封闭结构；其中封闭结构可以被布置在通孔的与MEMS传感器相对的端处。
[0070]在示例36中，示例35的传感器结构，其中封闭结构可以被实施为金属箔。
[0071]在示例37中，示例36的传感器结构，其中金属箔可以比至少一个隔膜结构不那么有延展性。
[0072]在示例38中，示例36的传感器结构，其中金属箔可以比至少一个隔膜结构不那么柔性。
[0073]在示例39中，示例36的传感器结构，其中金属箔可以比至少一个隔膜结构基本上更刚硬。<