br>[0074]在示例40中，形成传感器结构的方法，该方法可以包含:提供用于支撑MEMS传感器的引线框架；形成在引线框架的表面中的凹部；并且将MEMS传感器耦合到引线框架的表面并且将MEMS传感器布置在凹部之上以形成腔。
[0075]在示例41中，示例40的方法，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0076]在示例42中，示例41的方法，其中凹部可以在半导体芯片座区域中形成。
[0077]在示例43中，示例40的方法，其中该方法可以进一步包含:提供集成电路并且将集成电路电耦合到MEMS传感器并且将集成电路配置成处理由MEMS传感器生成的信号。
[0078]在示例44中，示例43的方法，其中集成电路可以通过线键合工艺被电耦合到MEMS传感器。
[0079]在示例45中，示例43的方法，其中集成电路可以被电耦合到引线框架。
[0080]在示例46中，示例43的方法可以进一步包含:将密封层沉积在引线框架的表面之上；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0081]在示例47中，示例46的方法可以进一步包含:在密封材料中形成开口 ；并且布置开口使得MEMS传感器的部分不被密封层覆盖。
[0082]在示例48中，示例46的方法，其中密封层可以通过转移模制工艺被沉积。
[0083]在示例49中，示例47的方法可以进一步包含:提供布置在开口的边缘区域处的间隔区结构；并且配置间隔区结构以防止密封材料被沉积在开口中。
[0084]在示例50中，形成传感器结构的方法，该方法可以包含:提供用于支撑MEMS传感器的引线框架；形成在引线框架的部分中的通孔；并且将MEMS传感器耦合到引线框架的表面并且将MEMS传感器布置在通孔的开口之上以形成拱顶结构。
[0085]在示例51中，示例50的方法可以进一步包含:配置结构以封闭通孔的开口 ；并且将该结构布置在通孔的与MEMS传感器相对的端处。
[0086]在示例52中，示例50的方法，其中引线框架可以被实施为半导体芯片座区域和多个电引线，该多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕半导体芯片座区域的外围来布置。
[0087]在示例53中，示例52的方法，其中通孔可以在半导体芯片座区域中形成。
[0088]在示例54中，示例50的方法，其中MEMS传感器可以被实施为至少一个隔膜结构。
[0089]在示例55中，示例50的方法可以进一步包含:电耦合到MEMS传感器的集成电路；其中集成电路可以被配置成处理由MEMS传感器生成的信号。
[0090]在示例56中，示例50的方法可以进一步包含:将密封层沉积在引线框架的表面之上；其中密封层可以至少部分地包封MEMS传感器和集成电路。
[0091]在示例57中，示例56的方法可以进一步包含:在密封材料中形成开口 ；并且布置开口使得MEMS传感器的部分可以不被密封层覆盖。
[0092]在示例58中，示例56的方法可以进一步包含:将间隔区结构布置在开口的边缘区域处；并且配置间隔区结构以防止密封材料被沉积在开口中。
[0093]在示例59中，示例56的方法，其中通孔的部分可以横向延伸到密封层中超过MEMS传感器的周界。
[0094]在示例60中，示例59的方法，其中横向延伸到密封层中超过MEMS传感器的周界的通孔的部分可以通过刻蚀工艺来形成。
[0095]在示例61中，示例59的方法，其中可以横向延伸到密封层中超过MEMS传感器的周界的通孔的部分可以被实施为多个互连的球状结构。
[0096]在示例62中，示例61的方法，其中互连的球状结构可以使用气体注入模制工艺来形成。
[0097]尽管参考特定实施例已特定示出和描述公开内容，但是本领域技术人员应该理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，而没有脱离如由所附权利要求限定的公开内容的精神和范围。公开内容的范围因而由所附权利要求指示并且因此意图涵盖在权利要求的等价物的含义和范围内的所有改变。
【主权项】
1.一种传感器结构，包括: 用于支撑MEMS传感器的引线框架； 在所述引线框架的表面中的凹部；以及 MEMS传感器，耦合到所述引线框架的表面并且布置在所述凹部之上以形成腔。2.权利要求1的所述传感器结构，所述引线框架包括半导体芯片座区域和多个电引线，所述多个电引线围绕所述半导体芯片座区域的外围来布置；其中包括所述半导体芯片座区域和所述多个电引线的组中的至少一个构件被配置成电连接到电路板。3.权利要求2的所述传感器结构，其中所述凹部在所述芯片座区域中形成。4.权利要求1的所述传感器结构，其中所述MEMS传感器包括至少一个隔膜结构。5.权利要求1的所述传感器结构，进一步包括: 电耦合到所述MEMS传感器的集成电路； 其中所述集成电路被配置成处理由所述MEMS传感器生成的信号。6.权利要求5的所述传感器结构，其中所述集成电路通过线键合工艺被电耦合到所述MHMS传感器。7.权利要求5的所述传感器结构，其中所述集成电路被电耦合到所述引线框架。8.权利要求5的所述传感器结构，进一步包括: 设置在所述引线框架的表面之上的密封层； 其中所述密封层至少部分地包封所述MEMS传感器和所述集成电路。9.权利要求8的所述传感器结构，进一步包括: 在所述密封层中的开口； 其中所述开口被布置，使得所述MEMS传感器的部分不被所述密封层覆盖。10.权利要求8的所述传感器结构，其中所述密封层通过转移模制工艺来沉积。11.权利要求9的所述传感器结构，进一步包括: 布置在所述开口的边缘区域处的间隔区结构； 其中所述间隔区结构被配置成防止所述密封层被沉积在所述开口中。12.—种传感器结构，包括: 用于支撑MEMS传感器的引线框架； 在所述引线框架的部分中形成的通孔；以及 MEMS传感器，耦合到所述引线框架的表面并且布置在所述通孔的开口之上以形成拱顶结构。13.权利要求12的所述传感器结构，进一步包括: 配置成封闭所述通孔的开口的结构； 其中所述结构被布置在所述通孔的与所述MEMS传感器相对的端处。14.权利要求13的所述传感器结构，其中所述引线框架包括半导体芯片座区域和多个电引线，所述多个电引线被配置成连接到电路板并且围绕所述半导体芯片座区域的外围来布置。15.权利要求14的所述传感器结构，其中所述通孔在所述半导体芯片座区域中形成。16.权利要求13的所述传感器结构，其中所述MEMS传感器包括至少一个隔膜结构。17.权利要求13的所述传感器结构，进一步包括: 电耦合到所述MEMS传感器的集成电路； 其中所述集成电路被配置成处理由所述MEMS传感器生成的信号。18.权利要求13的所述传感器结构，进一步包括: 设置在所述引线框架的表面之上的密封层； 其中所述密封层至少部分地包封所述MEMS传感器和所述集成电路。19.权利要求18的所述传感器结构，进一步包括: 在所述密封层中的开口； 其中所述开口被布置，使得所述MEMS传感器的部分不被所述密封层覆盖。20.权利要求18的所述传感器结构，进一步包括: 布置在所述开口的边缘区域处的间隔区结构； 其中所述间隔区结构被配置成防止所述密封层被沉积在所述开口中。21.权利要求18的所述传感器结构，其中所述通孔的部分横向延伸到所述引线框架中超过所述MEMS传感器的周界。
【专利摘要】本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。
【IPC分类】H01L23/043, B81B7/02
【公开号】CN105280561
【申请号】CN201510276881
【发明人】C.加雷马尼, D.科尔, U.辛德勒, H.托伊斯
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年5月27日
【公告号】DE102015108335A1, US9346667, US20150344294