器件封装200被配置成在板1033上，使排出发光器件封装200的光的 出光面与导光板1041分开预定距离，但实施例不限于此。发光器件封装200可以直接或间 接将光提供给光入射面，其是导光板1041的一个侧面，但实施例不限于此。
[0250] 反射构件1022布置在导光板1041下方。反射构件1022将通过导光板1041的底 表面向下传播的光反射到显示面板1061，由此提高照明单元1050的亮度。例如，反射构件 1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施例不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011 的顶表面，但实施例不限于此。
[0251] 底盖1011可以在其中容纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此， 底盖1011具有带开口顶表面的盒状的容纳部1012,但实施例不限于此。底盖1011能耦合 到顶盖（未示出），但实施例不限于此。
[0252] 能通过使用金属材料或树脂材料，通过冲压工艺或挤压工艺，制作底盖1011。此 外，底盖1011可以包括具有良好导热性的金属或非金属材料，但实施例不限于此。
[0253] 显示面板1061例如是包括相互相对的第一和第二透明基板，和布置在第一和第 二基板之间的液晶层的LCD面板。能将偏光板附接到显示面板1061的至少一个表面，但实 施例不限于此。显示面板1061通过允许光经过显示信息。显示设备1000能应用于各种便 携式终端、笔记本计算机的监视器、监视器或膝上型计算机和电视。
[0254] 光学片1051布置在显不面板1061和导光板1041之间并且包括至少一个透光片。 例如，光学片1051包括从由扩散片、水平和垂直棱镜片和亮度增强片组成的组中选择的至 少一个。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示面板1061上，以及亮 度增强片通过再使用丢失的光提高亮度。此外，保护板能布置在显示面板1061上，但实施 例不限于此。
[0255] 导光板1041和光学片1051能布置在发光模块1031的光路中，作为光学构件，但 实施例不限于此。
[0256] 图33是示出根据实施例的显示装置的截面图。
[0257] 参考图33,显示设备1100包括底盖1152、排列发光器件封装200的板1120、光学 构件1154和显示面板1155。
[0258] 板1120和发光器件封装200可以构成发光模块1060。此外，底盖1152、至少一个 发光模块1060和光学构件1154可以构成照明单元1150。底盖1152能布置有容纳部1153， 但实施例不限于此。发光模块1060包括板1120以及配置在板1120上的多个发光器件或 发光器件封装200。
[0259] 光学构件1154可以包括从由透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片和亮度增 强片组成的组中选择的至少一个。导光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯）。能省 略导光板。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示区上，以及亮度增强 片通过再用丢失光，提尚壳度。
[0260] 光学构件1154布置在发光模块1060的上方以便将从发光模块1060发射的光转 换成表面光。
[0261] 图34是示出具有根据实施例的发光器件的照明设备的分解透视图。
[0262] 参考图34,根据该实施例的照明设备可以包括盖2100、发光模块2200、散热模块 2400、电源部2600、内壳2700和插座2800。此外，根据该实施例的发光器件可以进一步包 括构件2300和支架2500的至少一个。光源模块2200可以包括根据该实施例的发光器件。
[0263] 例如，盖2100具有球状，或半球状。盖2100可以具有中空结构，以及盖2100的一 部分可以是开口的。盖2100可以光学地连接到光源模块2200,以及可以与散热构件2400 耦合。盖2100可以具有与散热构件2400耦合的凹部。
[0264] 盖2100的内表面可以涂有用作扩散剂的象牙白色颜料。通过使用象牙白色材料， 可以散射或扩散从光源模块2200发射的光，使得能将光排出到外部。
[0265] 盖2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE或PC。在这种情况下，PC表示良好耐光性、良 好耐热性和良好强度。盖2100可以是透明的，使得可以在外部识别光源模块2200。此外， 盖2100可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方案形成。
[0266] 光源模块220可以布置在散热构件2400的一个表面处。因此，从发光模块2200 发射的热量被传导到散热构件2400。光源模块2200可以包括发光器件2210、连接板2230 和连接器2250。
[0267] 构件2300布置在散热构件2400的顶表面，并且具有使多个发光器件2210和连接 器2250插入到导槽2310中的导槽2310。导槽2310对应于发光器件2210和连接器2250 的基板。
[0268] 白色颜料可以施加或涂在构件2300的表面上。构件2300将由盖2100的内表面 反射以便返回到光源模块2200的光反射到盖2100。因此，能提高根据该实施例的照明装置 的光效率。
[0269] 构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。 因此，散热构件2400可以电连接到连接板2230。构件2300包括防止连接板2230和散热构 件2400之间的电气短路的绝缘材料。散热构件2400从光源模块2200接收热和从电源部 2600接收热并且散热。
[0270] 支架2500阻挡布置在内壳2700中的绝缘部2710的容纳槽2719。因此，密封容纳 在内壳2700的绝缘部2710中的电源部2600。支架2500具有引导凸起部2510。引导凸起 部2510可以包括允许电源部2600的凸起部2610经过的孔。
[0271] 电源部2600处理和变换从外部接收的电信号并且将该电信号提供给光源模块 2200。电源部2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中，并且通过支架2500密封在内壳2700 中。
[0272] 电源部2600可以包括凸起部2610、引导部2630、基座2650和延伸部2670。
[0273] 引导部2630从基座2650的一侧向外凸出。引导部2630可以插入支架2500中。 多个零件可以布置在基座2650的一个表面上。例如，零件包括DC转换器、驱动光源模块 2220的驱动芯片和保护光源模块2200的ESD(静电放电）保护器件，但实施例不限于此。
[0274] 延伸部2670从基座2650的另一侧向外凸出。延伸部2670插入内壳2700的连接 部2750中，并且从外部接收电信号。例如，延伸部2670可以等于或小于内壳2700的连接 部2750的宽度。延伸部2670可以通过导线电连接到插座2800。
[0275] 内壳2700可以在其中布置模塑零件和电源部2600。通过硬化模塑液，形成模塑零 件，使得电源部2600可以固定到内壳2700中。
[0276] 根据该实施例，能布置具有提高的电特性和光提取效率的发光器件。
[0277] 根据该实施例，能提高发光器件的光学可靠性。
[0278] 根据实施例的发光器件、发光器件封装和照明单元。能降低工作电压和能提高光 速。根据实施例，能提高发光器件封装和照明单元的光提取效率。
[0279] 本说明书中，任何参考"一个实施例"、"实施例"、"示例性实施例"等等是指结合实 施例所述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。出现在说明书的各 个地方中的这些短语并不一定均参考相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特 征、结构或特性时，认为结合其它实施例，实施这些特征、结构或特性在本领域的技术人员 的范围内。
[0280] 尽管参考多个示例性实施例描述了实施例，应理解到能由本领域的技术人员设计 将落在本公开内容的原理的精神和范围内的许多其它改进和实施例。更具体地说，各种变 形和改进在本公开内容、附图和附加权利要求的范围内的主题组合配置的组件和/或配置 是可能的。除组件和/或配置的变形和改进外，对本领域的技术人员来说，替代用法将是显 而易见的。
【主权项】
1. 一种发光器件，包括： 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下的有源层 和所述有源层下的第二导电半导体层； 与所述第一导电半导体层电连接的第一电极； 所述发光结构下的镜层； 所述镜层和所述发光结构之间的窗口半导体层； 所述镜层下的反射层； 导电接触层，所述导电接触层布置在所述反射层和所述窗口半导体层之间并且与所述 第二导电半导体层接触；以及 支撑衬底，所述支撑衬底在所述反射层下、具有导电特性， 其中，所述窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体并且具有高于所述第二 导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，以及 所述导电接触层包括不同于所述镜层的材料的材料，并且具有薄于所述窗口半导体层 的厚度的厚度。2. 如权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层发射具有在600nm至630nm的范围 中的波长的光。3. 如权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述发光结构包括从由铝（A1)、镓（Ga)、 铟（In)和磷（P)组成的组选择的至少两种元素，并且所述窗口半导体层包括GaP半导体。4. 如权利要求3所述的发光器件，其中，所述窗口半导体层具有比所述第二导电半导 体层的厚度厚的厚度，以及所述镜层和所述导电接触层具有低于所述窗口半导体层的折射 率的折射率。5. 如权利要求3所述的发光器件，其中，所述导电接触层的厚度满足λ/8n〈h〈λ/4n， 其中，h表示所述导电接触层的厚度，以及λ表示从所述有源层发射的光的波长，以及n表 示所述导电接触层的折射率。6. 如权利要求3所述的发光器件，其中，所述窗口半导体层包括ρ型半导体层，以及碳 (C)掺杂浓度在5E18cm3至lE20cm3的范围中。7. 如权利要求3所述的发光器件，其中，所述导电接触层包括通过镜层形成并且彼此 分开的多个接触部，以及所述反射层使所述接触部相互连接。8. 如权利要求7所述的发光器件，其中，所述导电接触层的一部分被布置在所述镜层 和所述反射层之间。9. 如权利要求3所述的发光器件，进一步包括：在所述反射层和所述镜层之间的低折 射率层，其中，所述低折射率层包括不同于所述镜层的材料的材料，并且具有低于所述窗口 半导体层的折射率的折射率。10. 如权利要求9所述的发光器件，其中，所述低折射率层和所述反射层具有全向反射 器层结构。11. 如权利要求9所述的发光器件，其中，所述低折射率层包括不同于所述导电接触层 和所述镜层的导电材料的导电材料，并且与所述窗口半导体层接触的多个接触部被布置。12. 如权利要求3所述的发光器件，其中，掺杂到所述窗口半导体层中的碳（C)具有 lE20cm3或以上的掺杂浓度。13. 如权利要求7所述的发光器件，其中，所述接触部包括分别具有在垂直方向上与所 述发光结构重叠的顶表面的整个部分的多个第一接触部，和具有从所述发光结构的侧壁向 外布置的顶表面的一部分的多个第二接触部。14. 如权利要求13所述的发光器件，其中，所述窗口半导体层包括布置在所述窗口半 导体层的下外围部并且从所述发光结构的侧壁向外凸出的外部， 所述第二接触部的顶表面的部分被布置在所述窗口半导体层的外部和所述反射层之 间，以及 所述第二接触部的数量在所述第一和第二接触部的总数的30%至60%的范围中，以 及所述第二接触部的面积是所述第一和第二接触部的总顶表面面积的30%至60%的范围 中。15. -种发光器件，包括： 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下的有源层 和所述有源层下的第二导电半导体层； 所述第一导电半导体层上的第一电极； 所述第一电极上的电极焊盘； 所述发光结构下的镜层； 所述镜层和所述发光结构之间的窗口半导体层； 所述镜层下的反射层； 所述反射层和所述窗口半导体层之间的导电接触层；以及 支撑衬底，所述支撑衬底在所述反射层下、具有导电特性， 其中，所述窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体， 所述窗口半导体层具有高于所述第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度， 所述导电接触层包括不同于所述镜层的材料的材料； 所述导电接触层包括与所述窗口半导体层接触的多个接触部， 所述发光结构包括从由铝（A1)、镓（Ga)、铟（In)和磷（P)组成的组选择的至少两种元 素，以及 所述窗口半导体层包括GaP基半导体。16. 如权利要求15所述的发光器件，其中，与所述电极焊盘和所述导电接触层之间的 距离成比例地增加所述导电接触层的接触面积。17. 如权利要求15或16所述的发光器件，其中，与所述电极焊盘和所述导电接触层之 间的距离成比例，逐渐缩小所述导电接触层的邻近的接触部之间的间隔，或逐渐增加所述 接触部的分布密度。18. 如权利要求16所述的发光器件，其中，当所述导电接触层逐渐接近垂直于所述电 极焊盘的区域时，减小所述导电接触层的接触面积，以及当所述导电接触层逐渐远离垂直 于所述电极焊盘的区域时，增加所述导电接触层的接触面积。19. 如权利要求15或16所述的发光器件，其中，以相互分开的多个点的形式布置所述 多个接触部， 在垂直方向上，其间无重叠地布置所述第一电极和所述接触部，以及 所述接触部的整个面积在所述窗口半导体层的整个面积的〇. 5%至1. 5%的范围中。
【专利摘要】本发明涉及一种发光器件。公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
【IPC分类】H01L33/10, H01L33/14, H01L33/02
【公开号】CN105280771
【申请号】CN201510292481
【发明人】文智炯, 李尚烈, 朴范斗, 金青松, 朴相绿, 郑炳学, 李泰庸
【申请人】Lg伊诺特有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月1日
【公告号】EP2950355A1, US20150349220