电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片的制作方法_2

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制由加压缸14造成的中间移动构件 10、 上加热板11和上方框体12的下方的移动的限位块,其下降而与加压缸14主体的上表 面的限位块板抵接。作为加压缸14,可W使用油压缸、气压缸、伺服液压缸等。
[0073] 通过用加压缸14使上框构件12从提起的状态下降,可W使上框构件12的下端部 在设于下板构件6的外周部端部的阶梯部气密性地滑动。由此,就可W形成具备上加热板 11、 上框构件12及下板构件6的真空隔壁(W下也将真空隔壁称作储藏容器)。而且,在上 框构件12中设有用于对真空隔壁的内部(W下也将真空隔壁的内部称作真空室)抽真空、 加压的真空/加压口 16。
[0074] 在打开真空室的状态下,利用滑动气缸4,可W将滑动移动台3、下加热板5及下板 构件6作为一体向外部拉出。在将它们拉出的状态下,可W在载台7上配置基板21等。 阳0巧]下面,对实施方式1的密封方法的各工序进行说明。
[0076] (配置工序)
[0077] 如图2所示,在载台7上配置层叠体41。层叠体41具备带有器件的基板42、配置 于带有器件的基板42上的密封片23及配置于密封片23上的脱模膜24。
[0078] 带有器件的基板42具备基板21及配置于基板21上的电子器件22。
[0079] 脱模膜24具备与密封片23接触的中央部24a及配置于中央部24a的周边的周边 部 24b。
[0080] 而且,在配置工序中,例如也可W在配置于基板21上的电子器件22上依次配置密 封片23和脱模膜24。
[0081] 脱模膜24的外形尺寸是能够覆盖基板21、电子器件22及密封片23的大小。
[0082] 密封片23的外形尺寸是能够密封电子器件22的大小。例如,在载台7与框状推 压部13a之间气密性地保持脱模膜24的情况下,密封片23是不被夹持于载台7与框状推 压部13a之间的大小。
[0083] 密封片23将在后面详细说明。
[0084] 作为电子器件22没有特别限定,例如可W举出SAW(SurfaceAcousticWave)滤 波器、或压力传感器、振动传感器等MEMS(MicrC)ElectroMechanicalSystems)器件、或 LSI等IC(集成电路)、或晶体管等半导体;电容器;电阻等。
[0085] 作为基板21没有特别限定,例如可W举出印刷电路布线板、陶瓷基板、娃基板、金 属基板等。
[0086] 作为基板21,优选实施了等离子体处理的基板。作为进行等离子体化的气体,可W 举出氣气等。由此,可W提高电连接的可靠性。
[0087] 作为脱模膜24的材质没有特别限定,例如可W举出氣系膜、聚締控系膜等。其中, 从耐热性和拉伸伸长特性良好的理由考虑,优选聚一4 -甲基一1 -戊締。
[008引脱模膜24的常溫下的拉伸断裂伸长率优选为30%W上,更优选为40%W上。如 果为30%W上,则成型时的凹凸追随性良好。脱模膜24的常溫下的拉伸断裂伸长率优选为 300 %W下,更优选为100 %W下。如果为300 %W下,则容易进行剥离操作。
[0089] 拉伸断裂伸长率可W依照ASTMD882进行测定。
[0090] 脱模膜24的软化溫度没有特别限定,然而优选为80°CW下,更优选为60°CW下。 如果为80°CW下,则成型时的凹凸追随性良好。另外,脱模膜24的软化溫度优选为0°CW 上。
[0091] 而且,将拉伸弹性模量为300MPa的溫度设为软化溫度。
[0092] 脱模膜24的表面优选凹凸形状。由此,就可W将脱模膜24从密封片23良好地剥 离。
[0093] 脱模膜24的厚度没有特别限定,然而优选为10ym~200ym。如果为上述范围 内,则可W良好地将电子器件22密封。
[0094](真空隔壁形成工序)
[00巧]图3是示意性地表示利用上加热板11、上框构件12及下板构件6形成真空隔壁的 样子的图。如图3所示,利用加压缸14使上加热板11下降,使上框构件12的下端部在下 板构件6的外缘部的阶梯上气密性地滑动而形成真空隔壁。在真空隔壁的内部形成真空室 的阶段,停止上加热板11的下降。
[0096](抽真空工序)
[0097] 在抽真空工序中,进行抽真空,将真空室内设为减压状态(优选为真空状态)后, 加热脱模膜24和密封片23,使之软化。而且,脱模膜24和密封片23的加热也可W在抽真 空前、抽真空中进行。
[0098] 脱模膜24和密封片23的加热溫度优选为50°C~150°C。
[0099] 如图3所示,密封片23从与电子器件22接触的接触部朝向接触部的周边倾斜。另 夕F,脱模膜24从中央部24a朝向周边部24b倾斜。周边部24b的一部分与载台7接触。 阳1〇0](密闭空间形成工序) 阳101] 如图4所示,使上加热板11进一步下降,用内方构件13的下端部的下表面,将脱 模膜24向载台7推压,将基板21、电子器件22及密封片23用脱模膜24覆盖。由此,就形 成收容基板21、电子器件22及密封片23的密闭空间。 阳102]目P,通过用框状推压部13a将周边部24b向载台7推压,而形成密闭容器121。密 闭容器121具备载台7及脱模膜24。在密闭容器121的内部(密闭空间),配置有基板21、 电子器件22及密封片23。而且,由于在将真空室内设为减压状态后形成密闭空间,由此密 闭空间的内部及外部为减压状态。 阳1〇3](密封工序)
[0104] 如图5所示,通过真空/加压口 16向真空室中导入气体,使密闭空间的外部的压 力高于密闭空间的内部,将密封片23向电子器件22推压。由此,就可W得到用密封片23 将电子器件22密封了的电子器件封装件。作为气体没有特别限定,可W举出空气、氮气等。 另外,气体压力没有特别限定,然而优选为大气压W上。利用气体导入,将密闭空间的外部 的压力提高到大气压W上。电子器件封装件具备带有器件的基板42及配置于带有器件的 基板42上的树脂层。
[0105] 如图6所示,也可W在气体导入后,使顶板17下降,夹隔着脱模膜24对电子器件 封装件进行加压,由此将电子器件封装件的脱模膜24侧的面平坦化。由此就可W使电子器 件封装件的厚度均一化。作为加压的压力,优选为0. 5~20kgf/cm2。
[0106](其他的工序) 阳107] 通过对电子器件封装件进行加热,而使树脂层固化。然后,在电子器件封装件上设 置凸块。然后,也可W将电子器件封装件切割而忍片化。
[0108] 而且,也可W在电子器件封装件形成再布线。 阳1〇9](密封片23)
[0110] 下面,对密封片23进行说明。 阳111] 密封片23W升溫速度10°C/分钟、测定频率mz及应变5%测定的显示出最低复 数粘度n*的溫度为100~150°c,最低复数粘度n*为30~3000化-S。由于显示出 最低复数粘度n*的溫度为100~150°C,最低复数粘度n*为30化?SW上,因此可W 防止伸出。另一方面,由于显示出最低复数粘度n*的溫度为100~150°C,最低复数粘度 n*为3000化?SW下,因此可W将凹凸良好地填埋。
[0112] 最低复数粘度n*优选为IOOPa-SW上。另外,最低复数粘度n*优选为 2500Pa?SW下,更优选为2000Pa?SW下。
[0113] 最低复数粘度n*可W利用无机填充剂的含量、无机填充剂的种类、有机成分的 烙融粘度来控制。
[0114] 显示出最低复数粘度n*的溫度主要可W利用固化催化剂的种类和量来控制。
[0115] 最低复数粘度n及显示出最低复数粘度n*的溫度可W利用实施例中记载的方 法来测定。
[0116] 密封片23优选含有热固性树脂。作为热固性树脂,例如可W合适地使用环氧树 月旨、酪醒树脂等。
[0117] 作为环氧树脂,没有特别限定。例如,可W使用S苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线性 酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型环 氧树脂、改性双酪F型环氧树脂、双环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧 基树脂等各种环氧树脂。运些环氧树脂既可W单独使用,也可W并用2种W上。
[0118] 作为环氧树脂没有特别限定,然而从确保固化前的晓曲性及固化后的成型物硬 度、强度的观点考虑,优选环氧当量为150~250、软化点或烙点为50~130°C的在常溫下 为固体的环氧树脂。其中,优选含有双酪型环氧树脂,更优选含有双酪F型环氧树脂。
[0119] 酪醒树脂只要是在与环氧树脂之间发生固化反应的就没有特别限定。例如,可W 使用苯酪线性酪醒树脂、苯酪芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二締型酪醒树脂、甲酪 线性酪醒树脂、甲阶酪醒树脂等。运些酪醒树脂既可W单独使用,也可W并用2种W上。
[0120] 作为酪醒树脂,从与环氧树脂的反应性的观点考虑,优选使用径基当量为70~ 250、软化点为50~Iior的酪醒树脂,其中,从固化反应性高的观点考虑,可化合适地使用 苯酪线性酪醒树脂。 阳121]另外,从固化物的低翅曲性、低吸水性的方面考虑,可化合适地使用具有联苯基芳 烷基骨架的酪醒树脂。 阳122] 密封片23中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为5重量% ^上,更优选为10 重量%^上。如果为5重量%^上,则可W获得充分的固化物强度。密封片23中的环氧树 脂及酪醒树脂的合计含量优选为20重量% ^下,更优选为15重量% ^下。如果为20重 量% ^下,则固化物的线膨胀系数小,并且容易得到低吸水性。
[0123] 对于环氧树脂与酪醒树脂的配合比例,从固化反应性的观点考虑,优选相对于环 氧树脂中的环氧基1当量,W使酪醒树脂中的径基的合计为0. 7~1. 5当量的方式配合,更 优选为0.9~1.2当量。
[0124] 密封片23含有无机填充剂。
[01巧]作为无机填充剂,例如可W举出石英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃或结晶 性二氧化娃等)、氧化侣、氮化侣、氮化娃、氮化棚等。其中,从可W良好地减小线膨胀系数的 理由考虑,优选二氧化娃、氧化侣,更优选二氧化娃。作为二氧化娃,从流动性优异的理由考 虑,优选烙融二氧化娃,更优选球状烙融二氧化娃。
[01%] 无机填充剂的平均粒径优选为0. 3ymW上,更优选为1ymW上,进一步优选为 5ymW上。如果为0. 3ymW上,则容易获得密封片23的晓曲性、柔软性。无机填充剂的平 均粒径优选为40ymW下,更优选为30ymW下。如果为40ymW下,则容易使无机填充剂 高填充率化。
[0127] 而且,平均粒径例如可W通过使用从母材中任选地抽出的试样、并使用激光衍射 散射式粒度分布测定装置测定而导出。
[0128] 密封片23中的无机填充剂的含量为60体积%^上,优选为65体积%^上。由于 为60体积% ^上,因此可W获得低吸水性、低翅曲性的固化后成型物。另一方面,无机填充 剂的含量为90体积%W下,优选为85体积%W下。由于为90体积%W下,因此可W防止 固化前的密封片23的破裂、缺口。
[0129] 无机填充剂的含量也可WW"重量% "作为单位进行说明。在代表性的情况下对 二氧化娃的含量W"重量% "作为单位进行说明。
[0130] 二氧化娃由于通常比重为2. 2g/cm3,因此二氧化娃的含量(重量% )的合适范围 例如如下所示。 阳131]目P,密封片23中的二氧化娃的含量优选为73重量% ^上,更优选为77重量%W上。密封片23中的二氧化娃的含量优选为94重量% ^下,更优选为91重量%W下。 阳132] 氧化侣由于通常比重为3. 9g/cm3,因此氧化侣的含量(重量% )的合适范围例如 如下所示。
[0133] 目P,密封片23中的氧化侣的含量优选为83重量% ^上,更优选为86重量%W上。 密封片23中的氧化侣的含量优选为95重量% ^下,更优选为93重量%W下。
[0134] 密封片23优选含有硅烷偶联剂。
[0135] 硅烷偶联剂是在分子中具有水解性基团及有机官能团的化合物。
[0136] 作为水解性基团,例如可W举出甲氧基、乙氧基等碳数1~6的烷氧基、乙酷氧基、 2 -甲氧基乙氧基等。其中,从容易除去因水解而产生的醇等挥发成分的理由考虑,优选甲 氧基。
[0137] 作为有机官
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