电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片的制作方法

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电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片。
【背景技术】
[0002] 作为电子器件的密封方法,已知有将配置于基板上的电子器件用密封片密封的方 法。
[0003] 专利文献1公开过如下的方法,即,在真空状态的真空室内,将依次配置基板、电 子器件及加热软化了的密封片而得的层叠体用脱模膜覆盖,形成收容基板、电子器件及密 封片的真空的密闭空间后,向腔室内导入大气压W上的气体,使密封片与电子器件及基板 密合,从而将电子器件密封。
[0004] 现有技术文献 阳00引专利文献
[0006] 专利文献1 :日本专利第5189194号公报

【发明内容】

[0007] 发明所要解决的问题
[0008] 专利文献1中记载的密封方法可W对电子器件等密封对象均匀地加压。然而,因 加热而软化了的密封片会从基板中伸出(密封片向密封对象区外伸出)。另外,密封片无法 追随W电子器件为要素的凹凸,从而无法填埋凹凸。
[0009] 本发明的目的在于,解决所述问题,提供可W防止密封片的伸出、同时可W将凹凸 良好地填埋的电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片。
[0010] 用于解决问题的方法
[0011] 第一本发明提供一种电子器件的密封方法,包括:
[0012] 通过将具备带有器件的基板、密封片W及脱模膜的层叠体的周边部向与基板接触 的载台推压,而形成具备载台及脱模膜的密闭容器的工序,W及
[0013] 通过使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力,而将电子器件利用密 封片覆盖的工序,
[0014] 所述带有器件的基板具备基板、及配置于基板上的电子器件,所述密封片配置于 带有器件的基板上,所述脱模膜具备与密封片接触的中央部、及配置于中央部的周边的周 边部。
[0015] 第一本发明的密封方法中,利用收容基板、电子器件及密封片的密闭空间的内外 的压力差,将电子器件密封。第一本发明的密封方法中,例如可W使用日本专利第5189194 号公报中记载的真空加热接合装置。
[0016] 第一本发明的密封方法由于使用无机填充剂的含量为60体积% ^上,显示最低 复数粘度n*的溫度为100~150°C,最低复数粘度n*为30化?SW上的密封片,因此 可W防止密封片的伸出。另外,由于使用无机填充剂的含量为90体积% ^下,最低复数粘 度n*为3000化-SW下的密封化因此可朗尋凹凸良好地填埋。
[0017] 所述脱模膜的常溫下的拉伸断裂伸长率优选为30~300%。由此,就可W与基板 上的电子器件的凹凸追随性良好地进行密封。
[0018] 所述密封片与所述脱模膜的密合力优选为0.lN/20mmW下。由此,就可W将脱模 膜从密封片良好地剥离。
[0019] 第一本发明的密封方法优选还包括通过将具备脱模膜及层叠于脱模膜上的密封 片的带有密封片的脱模膜在减压气氛下配置于带有器件的基板上而形成层叠体的工序。
[0020] 由于在减压气氛下使密封片与电子器件接触,因此可W防止向密封片与电子器件 之间的气孔的侵入、W及向密封片与基板之间的气孔的侵入。在将电子器件封装件连续地 密封的情况下,真空热加压装置内达到高溫,气孔容易侵入,而在本工序中,可W防止气孔 的侵入,因此能够实现连续运转,从而可W提高生产率。
[0021] 另外,第一本发明提供一种电子器件封装件的制造方法,包括:通过将层叠体的周 边部向与基板接触的载台推压而形成具备载台及脱模膜的密闭容器的工序、和通过使密闭 容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力而将电子器件用密封片覆盖的工序。
[0022] 另外,第一本发明提供一种密封片,是用于在电子器件的密封方法中使用的密封 片,所述电子器件的密封方法包括:通过将层叠体的周边部向与基板接触的载台推压而形 成具备载台及脱模膜的密闭容器的工序、通过使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内 部的压力而将电子器件用密封片覆盖的工序。第一本发明的密封片含有无机填充剂,无机 填充剂的含量为60~90体积%。第一本发明的密封片W升溫速度1(TC/分钟、测定频率 mz及应变5%测定的显示出最低复数粘度n*的溫度为100~150°C,最低复数粘度n 乂为 30~3000化?S。
[0023] 第二本发明提供一种电子器件的密封方法,包括:通过将具备器件临时固定体、密 封片W及脱模膜的层叠结构体的周边部向与载体接触的载台推压,而形成具备载台及脱模 膜的密闭容器的工序,和
[0024] 通过使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力,而将电子器件利用密 封片覆盖的工序,
[0025] 所述器件临时固定体具备载体、配置于载体上的粘合剂、及配置于粘合剂上的电 子器件,
[00%] 所述密封片配置于器件临时固定体上,
[0027]所述脱模膜具备与密封片接触的中央部、及配置于中央部的周边的周边部。
[002引第二本发明的密封方法中,利用密闭容器的内外的压力差来覆盖电子器件。第二 本发明的密封方法中,例如可W使用日本专利第5189194号公报中记载的真空加热接合装 置。
[0029] 第二本发明的密封方法由于使用无机填充剂的含量为60体积% ^上,显示出最 低复数粘度n*的溫度为100~i5〇°c,最低复数粘度n*为30化?SW上的密封片,因 此可W防止密封片的伸出。另外,由于使用无机填充剂的含量为90体积% ^下,最低复数 粘度n*为3000化-SW下的密封化因此可朗尋凹凸良好地填埋。
[0030] 第二本发明的密封方法也可W还包括通过将具备脱模膜及层叠于脱模膜上的密 封片的带有密封片的脱模膜在减压气氛下配置于器件临时固定体上而形成层叠结构体的 工序。由于在减压气氛下使密封片与电子器件接触,因此可W防止气孔向密封片与电子器 件之间的侵入、W及气孔向密封片与粘合剂之间的侵入。
[0031]另外,第二本发明提供一种电子器件封装件的制造方法,包括:通过将层叠结构体 的周边部向与载体接触的载台推压而形成具备载台及脱模膜的密闭容器的工序、和通过使 密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力而将电子器件用密封片覆盖的工序。
[0032] 另外,第二本发明提供一种密封片,是用于在电子器件的密封方法中使用的密封 片,所述电子器件的密封方法包括:通过将层叠结构体的周边部向与载体接触的载台推压 而形成具备载台及脱模膜的密闭容器的工序、和通过使密闭容器的外部的压力高于密闭容 器的内部的压力而将电子器件用密封片覆盖的工序。第二本发明的密封片含有无机填充 剂,无机填充剂的含量为60~90体积%。第二本发明的密封片W升溫速度10°C/分钟、测 定频率mz及应变5%测定的显示出最低复数粘度n*的溫度为100~150°C,最低复数 粘度n*为30~3000化?S。
【附图说明】
[0033] 图1是真空热加压装置的示意图。
[0034] 图2是示意性地表示在基板置台上依次配置基板、电子器件、密封片、脱模膜的样 子的图。
[0035] 图3是示意性地表示利用上加热板、上框构件及下板构件形成真空隔壁的样子的 图。
[0036] 图4是示意性地表示将基板、电子器件及密封片用脱模膜覆盖、形成收容基板、电 子器件及密封片的密闭空间的样子的图。
[0037] 图5是示意性地表示向真空室中导入气体、将密封片向电子器件推压的样子的 图。
[0038] 图6是示意性地表示利用顶板将电子器件封装件平坦化的样子的图。
[0039]图7是示意性地表示将带有密封片的脱模膜固定在框状推压部的样子的图。
[0040] 图8是示意性地表示利用上加热板、上框构件及下板构件形成真空隔壁的样子的 图。
[0041] 图9是示意性地表示将基板、电子器件及密封片用脱模膜覆盖、形成收容基板、电 子器件及密封片的密闭空间的样子的图。
[0042] 图10是示意性地表示向真空室中导入气体、将密封片向电子器件推压的样子的 图。
[0043] 图11是示意性地表示利用顶板将电子器件封装件平坦化的样子的图。
[0044] 图12是表示在载台上配置有层叠结构体的样子的概略的剖面图。
[0045] 图13是忍片临时固定体的概略剖面图。
[0046] 图14是表示形成了真空室的样子的概略的剖面图。
[0047] 图15是表示形成了容纳忍片临时固定体及密封片的密闭容器的样子的概略的剖 面图。
[0048] 图16是表示使密闭容器的外部的压力为大气压的样子的概略的剖面图。 W例图17是表示利用密闭容器的内外的压力差形成密封体的样子的概略的剖面图。
[0050] 图18是表示在密封体的旁边配置了间隔件的样子的概略的剖面图。
[0051] 图19是表示将密封体用平板推压的样子的概略的剖面图。
[0052] 图20是固化体等的概略剖面图。
[0053] 图21是固化体的概略剖面图。
[0054] 图22是表示在固化体上形成了缓冲涂膜的样子的概略的剖面图。
[0055] 图23是表示在缓冲涂膜上配置了掩模的状态下在缓冲涂膜中形成开口的样子的 概略的剖面图。
[0056] 图24是表示除去掩模后的样子的概略的剖面图。
[0057] 图25是表示在种子层上形成了抗蚀剂的样子的概略的剖面图。
[005引图26是表示在种子层上形成了锻覆图案的样子的概略的剖面图。
[0059] 图27是表示形成了再布线(再配線)的样子的概略的剖面图。
[0060] 图28是表示在再布线上形成了保护膜的样子的概略的剖面图。
[0061] 图29是表示在保护膜中形成了开口的样子的概略的剖面图。
[0062] 图30是表示在再布线上形成了电极的样子的概略的剖面图。
[0063] 图31是表示在电极上形成了凸块的样子的概略的剖面图。
[0064] 图32是通过对再布线体进行切割而得的半导体封装件的概略剖面图。
【具体实施方式】
[0065]W下将举出实施方式,对第一及第二本发明进行详细说明,然而第一及第二本发 明并不仅限定于运些实施方式。
[0066][实施方式U
[0067](真空热加压装置)
[0068] 首先,对实施方式1的密封方法中使用的真空热加压装置(真空加热接合装置) 进行说明。
[0069] 如图1所示,在真空热加压装置中,在基台1上配置有加压缸下板2,在加压缸下板 2上W能够利用滑动气缸4在真空热加压装置内外移动的方式配置有滑动移动台3。在滑 动移动台3的上方,绝热配置有下加热板5,在下加热板5的上表面配置有下板构件6,在下 板构件6的上表面配置有基板置台7 (W下也将基板置台7称作载台7)。
[0070] 在加压缸下板2上配置立设有多个支柱8,在支柱8的上端部固定有加压缸上板 9。支柱8也可W直接立设在基台1上。在加压缸上板9的下方通过支柱8配置有中间移 动构件(中间构件)10,在中间移动构件10的下方夹隔着绝热板固定有上加热板11,在上 加热板11的下表面的外周部气密性地固定有上框构件12并使其向下方延伸。另外,在上 加热板11的下表面且在上框构件12的内方固定有内方框体13。上加热板11例如可W作 为脱模膜24及密封片23的软化用的加热器发挥作用。下加热板5例如可W作为基板21 的预热用加热器发挥作用。另外,在上加热板11的下表面上且在内方框体13的内方固定 有顶板17 (W下也称作平板17)。
[0071] 内方框体13具备下端部的框状推压部13a和从其向上方延伸的杆13b,在杆13b 的周围配置有弹黃,杆13b被绝热固定在上加热板11的下表面。框状推压部13a由弹黃相 对于杆13b向下方推靠。在框状推压部13a与载台7之间可W气密性地保持脱模膜24。
[0072] 在加压缸上板9的上表面配置有加压缸14,加压缸14的活塞杆15通过加压缸上 板9固定于中间移动构件10的上表面,利用加压缸14,中间移动构件10、上加热板11和上 方框体12能够沿上下一体化地移动。图1中,S是限
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