行了等离子体处理 (350W、10sec、Ar))后，将带有密封片的脱模膜固定在框状推压部13a。其后，使上加热板11 下降，形成收容它们的真空室。在常溫下将真空室内抽真空至IOTorr后，将带有密封片的 脱模膜加热到IOOC。其后，用内方构件13的下端部的下表面推压脱模膜，形成收容有机基 板、半导体忍片及密封片的密闭空间。W使密闭空间的外部的气氛为化g/cm2的方式进行 气氛加压（高压蓋），利用密闭空间内外的压力差将密封片向半导体忍片推压，制作出半导 体封装件。其后，使顶板17下降，夹隔着脱模膜对半导体封装件进行加压（2kgf/cm2)，使半 导体封装件的脱模膜侧的面平坦化。 阳264][比较例U 阳2化]依照表1中记载的配合比，利用与实施例1相同的方法制作出厚500ym的密封 片。 阳266] 使用所得的密封片，除了不使用脱模膜运一点W外，利用与实施例1相同的方法 制作出半导体封装件。 悦67][评价]
[0268] 对实施例及比较例的密封片、半导体封装件、脱模膜进行了下述的评价。将结果表 示于表1中。 阳269][复数粘度n* ]
[0270] 使用动态粘弹性测定装置灯AInstrument公司制、ARE巧测定出密封片（直径 8mm、厚度500ym)的最低复数粘度n* (测定条件：升溫速度l〇°C/分钟、测定频率IHz及应变5% )。 阳271][密合力] 阳272] 使用拉伸试验机（A&D制Tensilon)，测定出脱模膜自密封片剥离的剥离力（试验 片宽度：20mm、拉伸速度：300mm/min、剥离角度180度）。
[0273][拉伸断裂伸长率] 阳274] 使用拉伸试验机（A&D制Tensilon),测定出脱模膜的断裂伸长率。（试验片宽度： 10mm、卡盘间距离：10mm、拉伸速度：60mm/min) 阳275][凹凸追随性] 阳276] 对半导体封装件，利用超声波显微镜（日立制作所制FineSATFS200II)观察了 是否有气孔侵入到忍片之间W及忍片侧面等的凹凸部。将气孔侵入到凹凸部的情况判定 为X，将没有侵入的情况判定为O。 阳277][伸出]
[027引对于半导体封装件，将没有密封片从有机基板伸出的判定为O，将有伸出的判定 为X。另外，测定出其距离。 悦79][表1] 悦8〇][表U阳 281]
阳28引在使用了无机填充剂的含量小于60体积％、最低复数粘度n*小于30化?S的密封片的比较例2中，确认有密封片的伸出。另外，在使用了最低复数粘度n*大于 3000化?S的密封片的比较例3中，在凹凸部中确认有气孔的侵入。 阳283] 另一方面，在使用了无机填充剂的含量为60~90体积％、显示最低复数粘度n *的溫度为100~150°c、所述最低复数粘度n*为30~3000化?S的密封片的实施例 1~3中，密封片没有伸出，在凹凸部中也没有气孔侵入。
[0284] 但是，在没有使用脱模膜的比较例1中，确认有密封片的伸出及气孔的侵入。 阳285] 而且，在利用实施方式1的方法制作半导体封装件的情况下，也可W得到与表1相 同的结果。 阳286] 符号的说明 阳287] 1 基台， 阳28引 2 加压缸下板，
[0289] 3 滑动移动台， 阳290] 4 滑动气缸， 阳291] 5 下加热板， 阳29引 6 下板构件， 阳293] 7 基板置台（载台），
[0294] 8 支柱， 阳2巧]9 加压缸上板， 阳296] 10 中间移动构件， 阳297] 11 上加热板， 阳29引 12 上框构件， 阳299] 13 内方框体， 阳300] 13a 框状推压部， 阳 3〇U 13b 杆， 阳302] 14 加压缸， 阳30；3] 15 活塞杆， 阳304] 16 真空/加压口， 阳30引 17 顶板（平板）， 阳306] S 限位块，
[0307] 21 基板，
[0308] 22 电子器件，
[0309] 23 密封片，
[0310] 24 脱模膜，
[0311] 24a 中央部， 阳312] 24b 周边部，
[0313] 31 带有密封片的脱模膜，
[0314] 41 层叠体，
[0315] 42 带有器件的基板，
[0316] 121 密闭容器，
[0317] 101 层叠结构体，
[0318] 51 忍片临时固定体， 阳319] 51a 载体， 阳320] 5化 粘合剂， 阳321] 51c 半导体忍片， 阳322] 151c电极焊盘， 阳323] 251c电路形成面，
[0324] 61 密封体， 阳扣引 61a 树脂部，
[0326] 71 固化体， 阳327] 71a 保护部， 阳32引 141 缓冲涂膜，
[0329] 142 掩模，
[0330] 143 抗蚀剂， 阳扣1] 144 锻覆图案， 阳扣引 145 再布线， 阳333] 146 保护膜，
[0334] 147 电极， 阳33引 148 凸块，
[0336] 140 再布线层， 阳337] 104 再布线体，
[0338] 105 半导体封装件
【主权项】
1. 一种电子器件的密封方法，包括： 通过将具备带有器件的基板、密封片以及脱模膜的层叠体的周边部向与基板接触的载 台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述带有器件的基板具备所述基板、及配置于所述基板上的电子器件， 所述密封片配置于所述带有器件的基板上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 所述密封片含有无机填充剂， 所述密封片中的所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 所述密封片的、以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%的条件测定的显示出 最低复数粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。2. 根据权利要求1所述的电子器件的密封方法，其中， 所述脱模膜的常温下的拉伸断裂伸长率为30~300%。3. 根据权利要求1或2所述的电子器件的密封方法，其中， 所述密封片与所述脱模膜的密合力为0.lN/20mm以下。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的电子器件的密封方法，其中， 还包括通过将带有密封片的脱模膜在减压气氛下配置于所述带有器件的基板上而形 成所述层叠体的工序， 所述带有密封片的脱模膜具备所述脱模膜、及层叠于所述脱模膜上的所述密封片。5. -种电子器件封装件的制造方法，包括： 通过将具备带有器件的基板、密封片以及脱模膜的层叠体的周边部向与基板接触的载 台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述带有器件的基板具备所述基板、及配置于所述基板上的电子器件， 所述密封片配置于所述带有器件的基板上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 所述密封片含有无机填充剂， 所述密封片中的所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 所述密封片的、以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%的条件测定的显示出 最低复数粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。6. 根据权利要求5所述的电子器件封装件的制造方法，其中， 还包括通过将带有密封片的脱模膜在减压气氛下配置于所述带有器件的基板上而形 成所述层叠体的工序， 所述带有密封片的脱模膜具备所述脱模膜、及层叠于所述脱模膜上的所述密封片。7. -种密封片，是用于在电子器件的密封方法中使用的密封片， 所述电子器件的密封方法包括： 通过将具备带有器件的基板、密封片以及脱模膜的层叠体的周边部向与基板接触的载 台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述带有器件的基板具备所述基板、及配置于所述基板上的电子器件， 所述密封片配置于所述带有器件的基板上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 在所述密封片中， 含有无机填充剂， 所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%的条件测定的显示出最低复数粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。8. -种电子器件的密封方法，包括： 通过将具备器件临时固定体、密封片以及脱模膜的层叠结构体的周边部向与载体接触 的载台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述器件临时固定体具备所述载体、配置于所述载体上的粘合剂、及配置于所述粘合 剂上的电子器件， 所述密封片配置于所述器件临时固定体上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 所述密封片含有无机填充剂， 所述密封片中的所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 所述密封片以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%的条件测定的显示出最 低复数粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。9. 一种电子器件封装件的制造方法，包括： 通过将具备器件临时固定体、密封片以及脱模膜的层叠结构体的周边部向与载体接触 的载台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述器件临时固定体具备所述载体、配置于所述载体上的粘合剂、及配置于所述粘合 剂上的电子器件， 所述密封片配置于所述器件临时固定体上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 所述密封片含有无机填充剂， 所述密封片中的所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 所述密封片以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%测定的显示出最低复数 粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。10. -种密封片，是用于在电子器件的密封方法中的密封片， 所述电子器件的密封方法包括： 通过将具备器件临时固定体、密封片以及脱模膜的层叠结构体的周边部向与载体接触 的载台推压，而形成具备所述载台及所述脱模膜的密闭容器的工序，和 通过使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力，而将所述电子器 件利用所述密封片覆盖的工序， 所述器件临时固定体具备所述载体、配置于所述载体上的粘合剂、及配置于所述粘合 剂上的电子器件， 所述密封片配置于所述器件临时固定体上， 所述脱模膜具备与所述密封片接触的中央部、及配置于所述中央部的周边的所述周边 部， 在所述密封片中， 含有无机填充剂， 所述无机填充剂的含量为60~90体积％， 以升温速度l〇°C/分钟、测定频率1Hz及应变5%的条件测定的显示出最低复数粘度η*的温度为1〇〇~150°C， 所述最低复数粘度η*为30~3000Pa·s。
【专利摘要】本发明提供一种可以防止密封片的伸出、同时可以将凹凸良好地填埋的电子器件的密封方法。第一本发明涉及一种电子器件的密封方法，其包括：在配置于基板上的电子器件上依次配置密封片和脱模膜的工序；在减压气氛下，将基板、电子器件及密封片用脱模膜覆盖，形成利用脱模膜密闭了的密闭空间的工序；和利用通过使密闭空间的外部的压力高于密闭空间的内部而产生的压力差，用密封片将电子器件密封的工序。
【IPC分类】H01L21/56, H01L23/08
【公开号】CN105324836
【申请号】CN201480034582
【发明人】丰田英志, 石坂刚, 龟山工次郎, 清水祐作, 石井淳
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年6月13日
【公告号】WO2014203830A1