示，在所述保护层300上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影形 成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层暴露所述基底100的第二部分102上的多晶 娃层200的特定区域，然后W所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护层300,露出部 分所述多晶娃层200。
[0034] S4 ;在所述基底100上形成填充物400,所述填充物400覆盖保护层300、多晶娃层 200 W及选择栅200a与控制栅20化之间的基底表面；
[0035] 如图5所示，所述填充物400具有流动性，能够完全覆盖所述基底的所有区域，使 其能够填充所述选择栅200a和控制栅20化之间的孔隙10。本实施例中，所述填充物400 为底部抗反射涂层度ARC)，其流动性较佳，因此能够填充所述选择栅200a和控制栅20化之 间的孔隙10。
[0036] S5 ;去除所述保护层300和多晶娃层200上的填充物400,仅保留所述孔隙10中 的填充物；
[0037] 如图6所示，对填充物400进行干法刻蚀，由于孔隙10非常狭小，其内的填充物很 难被刻蚀到，通过控制刻蚀工艺条件如刻蚀时间，可W保证大部分填充物400被刻蚀掉，仅 剩下孔隙10中的填充物400。上述刻蚀工艺条件取决于所述填充物400的材质和厚度，本 领域技术人员可通过有限次实验获知，在此不予限定。
[0038] S6;刻蚀所述多晶娃层200 W在所述基底的第二部分102上形成逻辑栅200c;
[0039] 如图7所示，由于选择栅200a和控制栅20化均被保护层300和填充物400所覆 盖，保护层300和填充物400可起到掩膜的作用，因此无需形成掩膜层，直接对基底整体进 行刻蚀，刻蚀掉所述基底100的第二部分102上未被保护层覆盖的多晶娃层200,在基底 100的第二部分102上形成逻辑栅200c，同时孔隙10的底部由于具有填充物400的保护， 使得基底100的第一部分101不因刻蚀而受到损害。
[0040] S7;去除所述孔隙10中的填充物400 W及所述保护层300;
[0041] 如图8所示，先去除所述孔隙10中的填充物400,在本实施例中，去除所述孔隙10 中的填充物400的方法是，可采用灰化的方式去除所述孔隙10中的填充物400。优选的，灰 化工艺后，采用H2SO4和&〇2的混合溶液湿法清洗所述基底，清洗时间为3~10分钟。
[0042] 然后，湿法去除所述保护层300,例如，采用H3PO4溶液去除所述保护层300,清洗时 间为10~15分钟。
[0043] 相比于现有技术，本发明提供的半导体器件的制造方法首先形成保护层覆盖基底 上的选择栅、控制栅W及多晶娃层；再对所述多晶娃层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露 出部分所述多晶娃层；此时在基底表面沉积具有流动性的填充物，使其覆盖所述保护层、多 晶娃层W及所述选择栅和控制栅之间的孔隙，再去除所述保护层和多晶娃层上的所述填充 物，仅保留所述孔隙中的填充物；完成上述步骤之后再刻蚀所述多晶娃层W形成逻辑栅。此 种半导体器件的制造方法在刻蚀时，孔隙中具有填充物保护，能很好地解决孔隙下方材料 因刻蚀受到损坏的问题。
[0044] 显然，本领域的技术人员可W对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神 和范围。送样，倘若本发明的送些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之 内，则本发明也意图包括送些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底，所述基底包括第一部分和第二部分，所述第一部分上形成有选择栅和控 制栅，所述第二部分上形成有多晶硅层； 形成保护层覆盖所述选择栅、控制栅以及所述多晶硅层； 对所述多晶硅层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露出部分所述多晶硅层； 沉积具有流动性的填充物，覆盖所述保护层、多晶硅层以及所述选择栅和控制栅之间 的孔隙； 去除所述保护层和多晶硅层上的所述填充物，仅保留所述孔隙中的填充物； 刻蚀所述多晶硅层以在所述第二部分上形成逻辑栅；以及 去除所述孔隙中的填充物以及所述保护层。2. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述填充物是底部抗反 射涂层。3. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述保护层是绝缘抗反 射涂层。4. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述保护层的厚度为 moA-bOOK,5. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：采用干法刻蚀的方式去 除所述保护层和多晶硅层上的填充物。6. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：去除所述孔隙中的填充 物的步骤包括： 对所述孔隙中的填充物进行灰化；以及 湿法清洗所述基底。7. 如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：采用H2S04和H20 2的混合 溶液湿法清洗所述基底，时间为3~10分钟。8. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：先去除所述孔隙中的填 充物，再去除所述保护层。9. 如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：采用Η3Ρ04溶液去除所述 保护层。10. 如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：采用Η3Ρ04溶液去除所 述保护层的时间为10~15分钟。
【专利摘要】本发明提供了一种半导体器件的制造方法，首先形成保护层覆盖基底上的选择栅、控制栅以及多晶硅层；再对所述多晶硅层上的保护层进行光刻和刻蚀工艺，露出部分所述多晶硅层；此时在基底表面沉积具有流动性的填充物，使其覆盖所述保护层、多晶硅层以及所述选择栅和控制栅之间的孔隙，再去除所述保护层和多晶硅层上的所述填充物，仅保留所述孔隙中的填充物；完成上述步骤之后再刻蚀所述多晶硅层以形成逻辑栅。此种半导体器件的制造方法在刻蚀时，孔隙中具有填充物保护，能很好地解决孔隙下方材料因刻蚀受到损坏的问题。
【IPC分类】H01L21/8247
【公开号】CN105336698
【申请号】CN201410328482
【发明人】张学海, 李俊
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年7月10日