TR限定。像 素电路可进一步包括可与数据线D平行的电源线（Vdd，未示出）。此外，与电源线和晶体管 TR电连接的电容器可置于每个像素中。
[0054] 如图2中所示，OLED装置可包括在基板100上的晶体管TR，覆盖晶体管TR的通孔 绝缘层140,与晶体管TR电连接且置于像素区PA的通孔绝缘层140上的发光结构，和在传 输区TA上的透射率控制层灯化)165。 阳化5] 基板100可包括透明绝缘基板。例如，玻璃基板、包括聚对苯二甲酸乙二醋（PET)、 聚糞二甲酸乙二醇醋（阳脚或聚酷亚胺的透明塑料基板、或者透明金属氧化物基板可用作 基板100。基板100可被分成像素区PA和传输区TA。例如，基板100的像素区PA可相当 于所制备的OLED的像素区PA或与所制备的OLED的像素区PA -致，且基板100的传输区 TA可相当于所制备的OLED的传输区TA或与所制备的OLED的传输区TA -致。
[0056] 缓冲层105可在基板100上形成W覆盖基板100的顶表面。缓冲层105可有助于 防止杂质在基板100与其上结构之间扩散。而且，基板100的平整度或平面性可通过缓冲 层105改善。 阳057] 在一个实施方式中，缓冲层105可包括氧化娃、氮化娃或氧氮化娃。运些可单独或 W其组合使用。在一个实施方式中，缓冲层105可具有包括氧化娃层和氮化娃层的多层结 构。在一个实施方式中，缓冲层105可包括透明有机材料例如聚酷亚胺、聚醋、丙締酷类的 化合物等。
[0058] 有源层110可置于缓冲层105上。有源层110可包括氧化物半导体。例如，有源 层110可包括氧化铜嫁锋（IGZO)、氧化锋锡狂TO)或氧化铜锡锋（ITZO)。
[0059] 在一个实施方式中，有源层110可包括多晶娃或非晶娃。在运种情况下，杂质可在 有源层110的两端部分注入W形成源区和漏区。源区与漏区之间的有源层110的部分可被 限定为沟道区，电荷穿过沟道区移动或转移。
[0060] 栅绝缘层115可在缓冲层105上形成W覆盖有源层110。栅绝缘层115可包括氧 化娃、氮化娃或氧氮化娃。运些可单独或W其组合使用。栅绝缘层115可具有包括氧化娃 层和氮化娃层的多层结构。
[0061] 栅电极120可置于栅绝缘层115上。栅电极120可包括金属、合金或金属氮化物。 例如，栅电极120可包括诸如侣（Al)、银（Ag)、鹤（W)、铜（化）、儀（Ni)、铭（化）、钢（Mo)、铁 (Ti)、销（Pt)、粗（Ta)、钦（Nd)和筑（Sc)的金属、其合金、或其氮化物。运些可单独或W其 组合使用。栅电极120可包括具有不同物理性质的至少两个金属层。例如，栅电极120可 具有双层结构例如Al/Mo结构或Ti/化结构。
[0062] 栅电极120可叠加在有源层110之上或可叠置在有源层110之上。栅电极120可 与扫描线S电连接。例如，栅电极120可偏离扫描线S。
[0063] 绝缘夹层125可在栅绝缘层115上形成W覆盖栅电极120。绝缘夹层125可包括 氧化娃、氮化娃或氧氮化娃。运些可单独或W其组合使用。绝缘夹层125可具有包括氧化 娃层和氮化娃层的多层结构。
[0064] 源电极130和漏电极135可延伸穿过绝缘夹层125和栅绝缘层115而与有源层 110接触。源电极130和漏电极135可包括诸如Al、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或 Sc的金属、其合金、或其氮化物。运些可单独或W其组合使用。源电极130和漏电极135可 包括至少两个不同金属层。 W65] 如果有源层110包括多晶娃或非晶娃，则源电极130和漏电极135可分别与有源 层110的源区和漏区接触。
[0066] 源电极130可与数据线D电连接。例如，源电极130可偏离数据线D。 阳067] 晶体管TR可由有源层110、栅绝缘层115、栅电极120、源电极130和漏电极135限 定。
[0068] 图2说明了每个像素中包括一个晶体管TR，但是，每个像素中也可包括多个晶体 管TR。例如，每个像素中可包括开关晶体管和驱动晶体管。每个像素中可进一步包括电容 器。 W例图2说明了晶体管TR具有顶栅型结构，其中栅电极120置于有源层110之上。然 而，晶体管TR也可具有底栅型结构，其中栅电极置于有源层之下。
[0070] 通孔绝缘层140可在绝缘夹层125上形成，并且可覆盖源电极130和漏电极135。 电连接第一电极150和漏电极135的通孔结构可容纳于通孔绝缘层140中。通孔绝缘层 140可具有大致上平面的或水平的顶表面。
[0071] 在一个实施方式中，通孔绝缘层140可包括透明有机材料，例如聚酷亚胺、环氧类 树脂、丙締酷类树脂或聚醋等。
[0072] 发光结构可置于像素区PA上的通孔绝缘层140的部分上。发光结构可包括第一 电极150、空穴传输层160 (HTL)、发射层163、电子传输层170 (ETL)和第二电极175,它们可 顺序堆叠在通孔绝缘层140上。
[0073] 第一电极150可置于通孔绝缘层140上。第一电极150可包括穿过通孔绝缘层 140延伸而与漏电极135电连接的通孔部分150曰。
[0074] 在一个实施方式中，第一电极150可用作像素电极并且可在每个像素区PA上形 成。第一电极150还可用作OL邸装置的阳极。 阳0巧]在一个实施方式中，第一电极150可为反射电极。在运种情况下，第一电极150可 包括诸如A1、Ag、W、Cu、Ni、化、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd或Sc的金属、或其合金。OL邸装置可为 产生朝着第二电极175的图像的顶发射型。
[0076] 在一个实施方式中，第一电极150可包括具有高功函数的透明导电材料。例如，第 一电极150可包括氧化铜锡（ITO)、氧化铜锋（IZO)、氧化锋或氧化铜。
[0077] 像素限定层155 (PDL)可在通孔绝缘层140上形成。PDL 155可覆盖第一电极150 的周边部分。PDL 155可包括，例如透明有机材料（如聚酷亚胺类树脂或丙締酷类树脂）。 第一电极150未被PDL 155覆盖的面积可大致上等于每个像素中发射区的面积。
[0078] HTL 160可在PDL 155和第一电极150的表面上一致地形成。在一个实施方式中， 可在像素区PA和传输区TA上连续地且共同地提供HTL 160。 阳0巧]HTL 160可包括空穴传输材料，例如，4,4'-双阳-(1-糞基）-N-苯基氨基]联 苯基（NPB)、4, 4'-双[N-(3-甲基苯基）-N-苯基氨基]联苯基灯PD)、N，N'-二-1-糞 基-N，N'-二苯基-1，1'-联苯基-4, 4'-二胺（NPD)、N-苯基巧挫、聚乙締基巧挫、或其组 合。
[0080] 发射层163和TCL 165可在HTL 160上形成。在一个实施方式中，发射层163和 T化165可分别置于像素区PA和传输区TA上。例如，发射层163可覆在基板100的像素区 PA上并且TCL 165可覆在基板100的传输区TA上。
[0081] 发射层163可在每个像素上被单独地图案化。例如，发射层163可单独地在红色 像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素化上提供，并且可包括用于产生不同颜色光（例如红色 光、绿色光、或蓝色光）的发光材料。发光材料可包括被空穴和电子激发的主体材料，和用 于促进吸光度和能量释放W及改善发光效率的渗杂剂材料。
[0082] 主体材料可包括，例如，S (8-径基哇嘟）侣（Alq3)、Alq3的衍生物、4, 4' -双 (2, 2-二苯基-乙締-1-基）-4, 4'-二甲基苯基值PVBi)、1,3-双（巧挫-9-基）苯（mCP) 或4, 4' -双（巧挫-9-基）联苯基（CB巧。
[0083] 渗杂剂材料可包括，例如稠合的芳族环状化合物如红巧締。
[0084] T化165可包括，例如用于优化传输区TA的透射率的透明有机材料。在一个实施 方式中，T化165可包含具有大致上与HTL 160和ETL 170相同或相似的折射率并且未展 现出发光性质的有机材料。例如，T化165可包括与发射层163的发光材料不同的非发射 材料。在一个实施方式中，TCL 165可具有大于发射层163的透射率。
[00化]在一个实施方式中，传输区TA的平整度或平面性可通过TCL 165增强。
[0086] 例如，T化165可包括N，N' -二苯基-N，N' -双（9-苯基-9H-巧挫-3-基）联 苯基-4, 4' -二胺、N (二苯-4-基）9, 9-二甲基-N- (4巧-苯基-9H-巧挫-3-基）苯 基）-9H-巧-2-胺或2- (4- (9, 10-二（糞-2-基）蔥-2-基）苯基）-1-苯基-IH-苯并-脚 咪挫。
[0087] 在一个实施方式中，T化165和发射层163可由预定距离彼此隔开。例如，T化165 和发射层163可沿着数据线D的延伸方向彼此隔开。例如，T化165可在像素区PA和传输 区TA之间的界面与发射层163隔开。因此，T化165和发射层163不会彼此接触或重叠。 因而，像素区PA的发光性质可不受TCL165影响或干扰，使得传输区TA的透射率性质可被 选择性优化。
[0088] 在一个实施方式中，TCL165和发射层163的末端部分可彼此部分重叠。
[0089] Ell 170可在HTL 160上形成并可覆盖发射层163和TCL 165。在一个实施方式 中，可在像素区PA和传输区TA上连续地且共同地形成ETL 170。
[0090] 在一个实施方式中，ETL 170可包括电子传输材料，例如，S (8-径基哇嘟）侣 (Alq3)、2-(4-联苯基）-5-4-叔下基苯基-1，3, 4-嗯二挫（P抓）、双（2-甲基-8-径基哇 嘟）-4-苯基苯酪-侣度Alq)、浴铜灵化athocuproineHBCP)、S挫灯A幻、苯基哇挫嘟 (phenylquinozaline)、或其组合。
[0091] 在一个实施方式中，T化165可在传输区TA上夹在或插入HTL160和ETL170之 间。
[0092] 第二电极175可置于ETL170上。在一个实施方式中，可在像素区PA中包括的像 素上共同地提供第二电极175W用作OL邸装置的共用电极。第二电极175可连续地且共 同地在像素区PA和传输区TA上延伸。
[0093] 第二电极 175 可包括，例如，诸如 A1、Ag、W、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Pt、Ta、Nd 或 Sc 的 金属、或其合金。第二电极175相对于第一电极150可具有薄厚度，例如，第二电极175可 比第一电极150薄，而有助于改善OL邸装置的透明度或透射率。例如，第二电极175可具 有约！㈱A至约3纖A的厚度。
[0094] 在一个实施方式中，第二电极175可在整个像素区PA和传输区TA中具有均匀厚 度。 阳0巧]在一个实施方式中，空穴注入层化IL)可进一步在HTL 160和第一电极150之间 形成。电子注入层巧IL)可进一步在ETL 170和第二电极175之间形成。可在像素区PA 和传输区TA上共同地且连续地提供HIL和EIL。
[0096] HIL可包括，例如，（N-巧挫基）S苯基胺灯CTA)或4, 4'，4"-S巧-甲基苯基 (