。在 一个实施方式中，通孔绝缘层140的顶表面可通过传输窗240暴露。 阳192]在一个实施方式中，上述第二掩模可在蚀刻工艺中被用作蚀刻掩模。 阳193]在一个实施方式中，在PDL 255之下的绝缘层可被进一步蚀刻W扩大传输窗。[0194]例如，如图21B中所示，可使用PDL 255作为另外的掩模进一步蚀刻传输区TA上 的通孔绝缘层140a的部分。因此，可形成由PDL 255的侧壁和通孔绝缘层140a的侧壁限 定的传输窗245。在运种情况下，绝缘夹层125的顶表面可通过传输窗245暴露。由于干法 蚀刻工艺的特性，侧壁可相对于基板100的顶表面逐渐变窄。
[01巧]在一个实施方式中，绝缘夹层125还可由干法蚀刻工艺被部分去除。在运种情况 下，传输窗可穿过绝缘夹层125延伸，并且栅绝缘层115的顶表面可通过传输窗暴露。在一 个实施方式中，传输窗可进一步穿过栅绝缘层115延伸，使得缓冲层105的顶表面可通过传 输窗暴露。 阳196] 随后，可进行与参照图11至13所说明的工艺大致上相同或相似的工艺。 阳197]在一个实施方式中，例如，如图21A中所示，HTL 260可在PDL 255和第一电极150的表面上W及在传输窗240的侧壁和底部上一致地形成。发射层263和TCL 265可分别在 像素区PA和传输区TA的HTL 260的部分上形成。￡化270、第二电极275和覆盖层280可 在像素区PA和传输区TA上顺序地共同地形成W获得图6的OL邸装置。
[0198] 在一个实施方式中，如图21B中所示，HTL 260a可在PDL 255和第一电极150的表 面上W及在传输窗245的侧壁和底部上一致地形成。发射层263a和TCL 265a可分别在像 素区PA和传输区TA的HTL 260a的部分上形成。￡化270a、第二电极275a和覆盖层280a 可在像素区PA和传输区TA上顺序地且共同地形成W获得图7的OL邸装置。
[0199]根据实施方式，堆叠在传输区TA上的层的数量可通过形成传输窗240和245而减 少。因此，传输区TA的透射率可相对于像素区PA的透射率进一步改善。 阳200] 通过总结和综述，已考虑了具有透明或透射性质的OL邸装置。为了提供透明或透 射性质，OL邸装置可包括透明区。例如，透明区中包括的电极可非常薄。然而，电极的厚度 的减少会在图案化工艺中受到限制，并且会使发射区中OL邸装置的发射特征变差。 阳201] 根据实施方式，透射率控制层（不同于发射层）可选择性在（例如仅在）OL邸装 置的传输区上形成。其它有机层（除透射率控制层之外）可在像素区和传输区上连续地且 共同地形成。因此，可简化OL邸装置的制造工艺。此外，透射率优化结构可在不干扰像素 区中的共振结构和发光结构的情况下在传输区中实现。 阳202] 上述实施方式可提供具有改善的透明性质的有机发光显示装置。 阳203] 上述实施方式可提供制造具有改善的透明性质的有机发光显示装置的方法。 阳204]本文已公开了示例性实施方式，尽管采用特定术语，但是它们应仅在通用和描述 性意义上使用并解释，而不用于限制的目的。在某些情况下，自本申请的提交起W下将对本 领域普通技术人员而言是明显的：关于【具体实施方式】所述的特征、特性和/或元素可单独 地或与关于其它实施方式所述的特征、特性和/或元素组合地使用，除非另有明确指明。因 此，本领域技术人员应理解，可在不偏离下列权利要求所列的本发明的精神和范围下作出 形式和细节的各种变化。
【主权项】
1. 一种有机发光显示装置，包括： 基板，所述基板包含像素区和传输区； 在所述基板的所述像素区上的像素电路； 在所述基板的所述像素区上的第一电极，所述第一电极与所述像素电路电连接； 在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的第一有机 层； 选择性在所述像素区上的所述第一有机层的部分上的发射层； 在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述发射层的第二有机层； 和 选择性在所述传输区上的第三有机层，所述第三有机层包含非发射材料，所述非发射 材料具有与所述发射层不同的透射率；以及 在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第二有机层和所述第 三有机层的第二电极。2. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三有机层包含Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -双（9-苯基-9Η-咔唑-3-基）联苯基-4, 4' -二胺、Ν(二苯-4-基）9, 9-二甲 基-Ν- (4 (9-苯基-9Η-咔唑-3-基）苯基）-9Η-芴-2-胺和 2- (4- (9, 10-二（萘-2-基） 蒽-2-基）苯基）-1-苯基-1Η-苯并-[D]咪唑中的至少一种。3. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中： 所述第一有机层包含空穴传输材料，且 所述第二有机层包含电子传输材料。4. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三有机层在所述第一有机层和 所述第二有机层之间。5. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三有机层在所述第二有机层和 所述第二电极之间。6. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述发射层和所述第三有机层在所述 像素区和所述传输区之间的界面彼此隔开。7. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述第二电极上的覆盖层。8. 如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述覆盖层包括： 在所述像素区和所述传输区上连续延伸的第一覆盖层；和 在所述第一覆盖层上的第二覆盖层，所述第二覆盖层选择性置于所述像素区或所述传 输区上。9. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括： 覆盖所述像素电路的通孔绝缘层；和 在所述通孔绝缘层上的像素限定层，所述第一电极通过所述像素限定层暴露， 其中所述第一电极穿过所述通孔绝缘层延伸而与所述像素电路电连接。10. 如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中： 所述传输区由所述像素限定层至少部分暴露，并且 所述像素限定层的侧壁限定传输窗。11. 如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层包含黑色材料。12. 如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述黑色材料包括炭黑、亚苯基黑、 苯胺黑、花青黑和尼格洛辛酸性黑中的至少一种。13.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中： 所述通孔绝缘层的顶表面由所述传输窗暴露，并且 所述第一有机层在所述像素限定层和所述第一电极的表面上以及在所述通孔绝缘层 的顶表面上连续延伸。14.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述传输窗由所述像素限定层的侧 壁和所述通孔绝缘层的侧壁限定。15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述通孔绝缘层之下的绝 缘夹层，所述绝缘夹层部分覆盖所述像素电路， 其中所述第一有机层在所述像素限定层和所述第一电极的表面、所述通孔绝缘层的侧 壁和所述绝缘夹层的顶表面上连续延伸。16. -种有机发光显不装置，包括： 基板，所述基板包含像素区和传输区； 选择性在所述基板的所述像素区上的第一电极； 在所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的共用有机层； 选择性在所述像素区上的发射层； 选择性在所述传输区上的非像素有机层；以及 在所述像素区和所述传输区上连续延伸的第二电极，所述第二电极关于所述共用有机 层与所述第一电极相对。17.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述非像素有机层具有高于所述发 射层的透射率。18.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述非像素有机层在所述共用有机 层上且与所述第二电极接触。19.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中： 所述共用有机层包括： 在所述第一电极与所述发射层之间的第一有机层，以及 在所述发射层和所述第二电极之间的第二有机层，并且 所述非像素有机层在所述第一有机层和所述第二有机层之间。20. 如权利要求19所述的有机发光显示装置，其中： 所述第一有机层包含空穴传输材料，且 所述第二有机层包含电子传输材料。21. -种有机发光显示装置，包括： 基板，所述基板包含像素区和传输区； 在所述基板的所述像素区上的像素电路； 在所述基板的所述像素区上的第一电极，所述第一电极与所述像素电路电连接； 在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的空穴传输 层； 选择性在所述像素区上的所述空穴传输层的部分上的发射层； 在所述传输区上的所述空穴传输层的部分上的透射率控制层；以及 在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸的第二电极，所述第二电极覆盖所 述发射层和所述透射率控制层。22. 如权利要求21所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述发射层和所述第二 电极之间的电子传输层，所述电子传输层在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延 伸。23. -种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括： 制备包含像素区和传输区的基板； 在所述基板的所述像素区上形成像素电路； 在所述基板的所述像素区上形成与所述像素电路电连接的第一电极； 使用开口掩模在所述像素区和所述传输区上形成空穴传输层，使得所述空穴传输层覆 盖所述第一电极； 使用第一掩模在所述空穴传输层上形成发射层，所述第一掩模包括第一开孔，所述像 素区通过所述第一开孔选择性暴露； 使用第二掩模在所述空穴传输层上形成透射率控制层，所述第二掩模包括第二开孔， 所述传输区通过所述第二开孔选择性暴露；并且 使用所述开口掩模连续在所述发射层和所述透射率控制层上形成第二电极。24. 如权利要求23所述的方法，其中所述透射率控制层包含非发射材料，所述非发射 材料不同于所述发射层中包含的材料。25. 如权利要求23所述的方法，进一步包括使用所述开口掩模在所述像素区和所述传 输区上形成电子传输层，使得所述电子传输层在所述发射层和所述第二电极之间。26. 如权利要求23所述的方法，进一步包括使用所述开口掩模在所述第二电极上形成 第一覆盖层。27. 如权利要求26所述的方法，进一步包括使用所述第一掩模或所述第二掩模在所述 第一覆盖层上形成第二覆盖层，使得所述第二覆盖层在所述像素区或所述传输区上选择性 形成。28. 如权利要求23所述的方法，进一步包括： 形成覆盖所述像素电路的通孔绝缘层； 在所述通孔绝缘层上形成像素限定层，使得所述第一电极通过所述像素限定层暴露； 并且 去除在所述传输区上的所述像素限定层的部分以形成传输窗， 其中所述第二掩模在去除所述像素限定层的部分中用作蚀刻掩模。
【专利摘要】OLED装置及其制造方法，OLED装置包括：具有像素区和传输区的基板；在像素区上的像素电路；在像素区上且与像素电路电连接的第一电极；在像素区和传输区上连续延伸且覆盖第一电极的第一有机层；选择性在像素区上的第一有机层的部分上的发射层；在像素区和传输区上连续延伸且覆盖发射层的第二有机层；和选择性在传输区上的第三有机层，第三有机层包括具有与发射层不同的透射率的非发射材料；以及在像素区和传输区上连续延伸且覆盖第二有机层和第三有机层的第二电极。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105336760
【申请号】CN201510408278
【发明人】崔俊呼, 郑镇九, 南恩景, 宋英宇
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年7月13日
【公告号】EP2988333A1, US20160043154