，电极150的材质为导电材料，如：金属或透明导 电材料（例如氧化铜锡，IT0)。电极150可通过例如物理气相沉积（PVD)或化学气相沉积 (CVD)而形成。
[0087] 在电极150形成后，发光二极管100、200的制造方法还包含晶片切割工艺过程 烟lipping Process)。晶片切割工艺过程包含但不限于干蚀刻及/或切割裂片法（Scribing And Breaking)。举例来说，晶片切割工艺过程可通过电感禪合等离子体（In化Ctively Coupled Plasma, IC巧蚀刻、机械切割及/或激光切割实现。在晶片切割工艺过程之后，一 个或多个开口，即第一开口 Ol和/或第二开口 02,仍然可W位于每个发光二极管晶片的介 电层140中。
[0088] 图11为图2的发光二极管100在进行剥离步骤时的剖面图。如图11所示，在一 实施方式中，发光二极管100的制造方法还包含移除基板210和/或缓冲层220。因为发 光二极管100具有垂直结构，基板210和/或缓冲层220将会通过例如激光剥离工艺过程 化aser Lift-off Process)而移除。剥离步骤可W先于或后于晶片切割工艺过程。
[0089] 图12为依照本发明第十实施方式的具有对位标记124的基板210的剖面图。图 13为依照本发明第十一实施方式的发光二极管300的平面图。如图12所示，在基板210上 形成第一半导体层110时，发光二极管1〇〇、200的制造方法还包含在基板210上形成至少 一个对位标记124。在一实施方式中，对位标记124与错位诱导功能结构212将在相同的步 骤中形成。
[0090] 如图13所示，在形成开口的步骤五中，还可包含通过对位标记124将开口与错位 诱导功能结构212对齐。具体而言，在形成开口的同时，可在相同步骤中形成另一对位标记 126。通过对齐对位标记124、126,即可准确地对齐开口与错位诱导功能结构212。
[0091] 总结来说，为了避免穿透位错缺陷影响发光二极管的发光效率，穿透位错将不会 进入发光二极管的发光区。此外，发光二极管包含开口，此开口限制电流进入发光二极管的 区域的大小。开口在主动层上的正投影与穿透位错分开，因而改善发光二极管的发光效率。
[0092] 虽然本发明已经W实施方式公开如上，然其并非用W限定本发明，任何本领域技 术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种变动与润饰，因此本发明的保护范围 当视权利要求所界定者为准。
【主权项】
1. 一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包含： 第一半导体层； 第二半导体层； 主动层，其设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述主动层具有至少 一个穿透位错； 介电层，其设置在所述第二半导体层上，所述介电层具有至少一个第一开口，所述第一 开口裸露出所述第二半导体层的至少一部分，其中所述穿透位错在所述介电层上的正投影 与所述第一开口分开；以及 电极，其部分设置在所述介电层上，并通过所述第一开口与所述第二半导体电性耦接。2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包含： 基板，其上具有至少一个错位诱导功能结构，其中所述穿透位错从所述错位诱导功能 结构上成形。3. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述基板为图案化的蓝宝石基板，且 所述错位诱导功能结构为位于所述蓝宝石基板上的图案。4. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述基板与所述基板上的缓冲层或 所述第一半导体层之间具有因晶格不匹配而产生的所述错位诱导功能结构。5. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的数量为多 个，所述错位诱导功能结构设置在所述基板上，且两个相邻的所述错位诱导功能结构的间 距为0.5微米至20微米。6. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的数量为多 个，所述错位诱导功能结构设置在所述基板上，且两个相邻的所述错位诱导功能结构的间 距为3微米。7. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的数量为多 个，所述错位诱导功能结构设置在所述基板上，且所述错位诱导功能结构大致等距排列。8. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的数量为多 个，所述错位诱导功能结构设置在所述基板上，且所述错位诱导功能结构非等距排列。9. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的数量为多 个，两个相邻的所述错位诱导功能结构之间定义为山谷区，且所述穿透位错在所述基板上 的正投影与所述山谷区至少部分重叠。10. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述主动层具有第一区与第二区， 所述第一区具有第一穿透位错密度，所述第二区具有第二穿透位错密度，所述第一穿透位 错密度大于所述第二穿透位错密度，且所述第一区在所述基板上的正投影与所述错位诱导 功能结构分开。11. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述错位诱导功能结构的形状为长 条形、圆锥形或是多角形。12. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述主动层具有第一区与第二区， 所述第一区具有第一穿透位错密度，所述第二区具有第二穿透位错密度，所述第一穿透位 错密度大于所述第二穿透位错密度，且所述第一区在所述介电层上的正投影与所述第一开 口分开。13. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口具有第一直径，所述 第一直径为0. 1微米至20微米。14. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口具有第一直径，所述 第一直径为0. 1微米至2微米。15. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述介电层具有至少一个第二开 口，所述第二开口具有第二直径，所述第二直径为10微米至20微米，且所述穿透位错在所 述介电层上的正投影与所述第二开口至少部分重叠。16. -种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述发光二极管的制造方法包含以下步 骤： 在基板上形成第一半导体层，其中所述基板具有至少一个错位诱导功能结构； 在所述第一半导体层上形成主动层，其中所述主动层具有至少一个穿透位错，且所述 穿透位错从所述错位诱导功能结构上成形； 在所述主动层上形成第二半导体层； 在所述第二半导体层上形成介电层； 在所述介电层中形成至少一个开口，其中所述穿透位错在所述介电层上的正投影与所 述开口分开；以及 形成部分设置在所述介电层上的电极，其中所述电极通过所述开口与所述第二半导体 层电性耦接。17. 如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述发光二极管的制 造方法还包含： 在所述基板上形成至少一个对位标记； 其中形成所述开口的步骤还包含通过所述对位标记将所述开口与所述错位诱导功能 结构对齐。18. 如权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述发光二极管的制 造方法还包含： 移除所述基板。19. 一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包含： 第一半导体层； 第二半导体层； 主动层，其设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，且具有第一区与第二 区，其中所述第一区具有第一穿透位错密度，所述第二区具有第二穿透位错密度，且所述第 一穿透位错密度大于所述第二穿透位错密度； 介电层，其设置在所述第二半导体层上，且具有至少一个开口，所述开口裸露出所述 第二半导体层的一部分，其中所述第二区在所述介电层上的正投影与所述开口至少部分重 置；以及 电极，其部分设置在所述介电层上，并通过所述开口而电性耦接至所述第二半导体。20. 如权利要求19所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包含： 基板，其具有至少一个错位诱导功能结构，其中所述开口在所述基板上的正投影与所 述错位诱导功能结构至少部分重叠。
【专利摘要】本发明公开了一种发光二极管与其制造方法。该发光二极管包含第一半导体层、第二半导体层、主动层、介电层以及电极。主动层设置在第一半导体层与第二半导体层之间，且该主动层具有至少一个穿透位错。介电层设置在第二半导体层上。介电层具有至少一个第一开口，此第一开口裸露出一部分的第二半导体层。穿透位错在介电层上的正投影与第一开口分开。电极部分设置在介电层上，并通过第一开口而与第二半导体层电性耦接。本发明的发光二极管的发光效率有所改善。
【IPC分类】H01L33/02, H01L33/00
【公开号】CN105390573
【申请号】CN201510371977
【发明人】张珮瑜
【申请人】美科米尚技术有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年6月29日
【公告号】US9184342