一种印刷型显示器件及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种印刷型显示器件及其制作方法。
【背景技术】
[0002]采用溶液加工制作0LED以及QLED显示器，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现0LED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
[0003]在印刷工艺中，由于受设备精度以及液滴尺寸的影响，对于传统的RGB Stripe(RGB条状)排列的像素结构，很难实现高分辨率显示器件的制备。当显示器件的分辨率达到200 ppi时，各子像素的宽度会减小到了 42μπι，同时由于像素界定层的存在，子像素的真实宽度会进一步减小到35 μπι左右，而对于10 pL体积的墨水，其直径就达27 μm。如果再进一步提高分辨率，子像素尺寸会进一步减小，就很难控制各子像素内墨水相互独立而不溢出像素。
[0004]中国专利(CN 104009066A)中公开了一种像素排布结构，如图1所示，通过将相连像素的子像素共用Mask上的开口，从而有效提高显示器件的分辨率。但是，在印刷工艺中，单纯的引入这种像素排布结构，随着分辨率的增大，各子像素内的墨水还是会因像素尺寸变小而溢出像素坑，与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰，引起显示器件显示效果下降，因此在印刷工艺中直接应用这种结构，还是无法减小子像素的尺寸同时保持不同颜色子像素间沉积墨水的相互独立，因此这种像素结构无法实现高分辨率显示器的印刷工艺的制作。
[0005]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0006]鉴于现有技术的不足，本发明目的在于提供一种印刷型显示器件及其制作方法，旨在解决现有技术中在高分辨率显示器件在制作过程中，由于受设备精度及液滴尺寸的影响很大，各子像素内墨水因像素尺寸变小而溢出像素坑，与相邻不同颜色的子像素串扰，降低显示器的显示分辨率的缺陷。
[0007]本发明的技术方案如下:
一种印刷型显示器件制作方法，其中，方法包括:
A、在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜；
B、在像素bank薄膜上形成一层光阻；
C、通过曝光掩膜对光阻进行曝光，利用显影技术将光阻图案化；
D、通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀；
E、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，沉积电极，对器件进行封装。
[0008]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，所述步骤C具体包括: C1、通过曝光掩膜对像素发光区域进行全曝光；
C2、对相同颜色子像素相连区域进行半曝光；
C3、不同颜色子像素相连区域不曝光；
C4、利用显影将光阻图案化。
[0009]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，所述步骤D具体包括:
D1、通过光阻掩膜对像素bank薄膜的全曝光区域进行全部刻蚀，露出像素电极；
D2、对像素bank薄膜的半曝光区域进行部分刻蚀；
D3、对像素bank薄膜的未曝光区域不刻蚀；
D4、剥离光阻，形成厚度不一的像素bank图案。
[0010]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，所述步骤A中的bank薄膜采用亲水材料与含氟疏水材料共混或是采用亲水材料与含氟疏水材料及光阻共混。
[0011 ] 所述的印刷型显示器件制作方法，其中，所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中，不同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为1000nm-3000nm。
[0012]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中，相同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为100nm-500nm。
[0013]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，含氟疏水材料采用聚四氟乙烯。
[0014]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，像素bank中的像素分别由R、G、B子像素构成，子像素之间呈“品”字形或倒“品”字形排布。
[0015]所述的印刷型显示器件制作方法，其中，相邻像素的同颜色子像素排布在一起。
[0016]一种包含采用上面所述的制作方法制成的印刷型显示器件。
[0017]本发明提供了一种印刷型显示器件及其制作方法，本发明通过像素排列结构的优化，将相连像素的相同颜色子像素连成一片，通过亲水材料和含氟疏水材料共混形成上部疏水下部亲水的bank膜，结合半曝光工艺一次性形成厚度不同的像素bank，简化了 bank的制作工艺。其中相同颜色子像素相连区域形成亲水性的较薄bank，保证了墨水的良好铺展；不同颜色子像素相连区域形成疏水性的较厚bank，防止墨水溢出，提高了印刷工艺的良品率，通过制作方法与像素结构的结合，简化了印刷型显示器的制作工艺。
【附图说明】
[0018]图1为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的子像素单元排列结构示意图。
[0019]图2为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的较佳实施例的流程图。
[0020]图3a为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例一的bank薄膜示意图。
[0021]图3b为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例一的bank薄膜形成光阻层后的示意图。
[0022]图3c为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例一的bank薄膜曝光后的不意图。
[0023]图3d为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例一的bank薄膜显影后的不意图。
[0024]图4a为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例二的bank薄膜示意图。
[0025]图4b为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例二的bank薄膜形成光阻层后的示意图。
[0026]图4c为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例二的bank薄膜曝光后的不意图。
[0027]图4d为本发明的一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例二的bank薄膜显影后的不意图。
[0028]图5为本发明的采用一种印刷型显示器件制作方法的较佳实施例的印刷了红、绿、蓝子像素的效果图。
【具体实施方式】
[0029]为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0030]本发明提供了一种印刷型显示器件制作方法的较佳实施例的流程图，如图2所示，所述方法包括:
步骤S100、在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜。
[0031]具体实施时，本发明中像素bank薄膜采用亲水材料与疏水材料共混制备，通过溶液加工制备，其中疏水材料为含氟疏水材料，由于其表面能较低，在成膜的过程中会在薄膜表面富集形成疏水表面，薄膜下端由于富含亲水材料而亲水。具体的，像素bank薄膜采用亲水材料与含氟疏水材料共混或是采用亲水材料与含氟疏水材料及光阻共混。含氟疏水材料采用聚四氟乙烯。像素bank中的像素分别由R、G、B子像素构成，如图1所示，一个像素单元I是由一个红色子像素、一个绿色子像素和一个蓝色子像素构成的正方形结构。各子像素面积的大小与各种颜色的发光元件性能对应。性能最高的面积最小，性能最低的面积最大，从而有效调整器件长期工作的色彩稳定性子像素之间呈“品”字形或倒“品”字形排布。相邻像素的同颜色子像素排布在一起，最终形成四个红色子像素连成一片，四个绿色子像素连成一片，两列蓝色子像素连成一片的结构。
[0032]步骤S200、在像素bank薄膜上形成一层光阻。
[0033]具体实施时，在制作好的像素bank薄膜上利用现有的光阻形成技术形成一层光阻。
[0034]步骤S300、通过曝光掩膜对光阻进行曝光，利用显影技术将光阻图案化。
[0035]进一步的实施例中，所述步骤S300具体包括:
步骤S301、通过曝光掩膜对像素发光区域进行全曝光；
步骤S302、对相同颜色子像素相连区域进行半曝光；
步骤S303、不同颜色子像素相连区域不曝光；
步骤S304、利用显影将光阻图案化。
[0036]具体实施时，通过曝光掩膜对光阻进行曝光，其中像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，随后显影将光阻图案化。
[0037]步骤S400、通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀。
[0038]进一步的实施例中，则步骤S400具体包括:
步骤S401、通过光阻掩膜对像素bank薄膜的全曝光区域进行全部刻蚀，露出像素电极；
步骤S402、对像素bank薄膜的半曝光区域进行部分刻蚀；<