br> 步骤S403、对像素bank薄膜的未曝光区域不刻蚀；
步骤S404、剥离光阻，形成厚度不一的像素bank图案。
[0039]具体实施时，通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀，全曝光区域由于没有光阻的保护被全部刻蚀，露出像素电极，半曝光区域由于有一层薄光阻保护而被部分刻蚀，最后残留一层较薄的bank，未曝光区域由于光阻的保护而没有被刻蚀，随后剥离光阻，形成所需的厚度不一像素bank图案。
[0040]步骤S500、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，沉积电极，对器件进行封装。
[0041]通过半曝光工艺形成的图案化的像素bank中，不同颜色子像素相连区域的较厚的bank呈疏水性，定义了墨水的沉积区域，厚度为1000nm-3000nm ;相同颜色子像素相连区域的较薄的bank由于薄膜上层疏水性膜层被去除而呈亲水性，定义了各子像素的发光区域，厚度为100nm-500nm。相同颜色子像素相连区域的bank由于厚度较小且呈亲水性，墨水沉积时可以形成良好的铺展，从而在整个墨水沉积区域形成均匀薄膜；而不同颜色子像素相连区域的bank由于厚度较大且呈疏水性，墨水沉积后形成较大的接触角，可以有效防止墨水溢出到不同颜色子像素沉积区域，引起串色，降低显示质量。
[0042]本发明还提供了一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例一，如图3a、图3b、图3c、图3d所示，具体包括步骤:
51、在具有图案化底电极20的TFT基板40(其上具有TFT阵列10、钝化平坦层30和图案化底电极20)上制备一层亲水材料、含氟疏水材料共混的薄膜60，然后在这层薄膜上形成一层用于制作像素bank的光阻层50 ;
52、通过曝光掩膜对光阻层50进行曝光显影，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，从而将光阻图案化；
53、利用光阻掩膜对亲水材料、含氟疏水材料共混薄膜60进行刻蚀，剥离光阻，形成所需的像素bank图案60 ;
54、在完成上述步骤的TFT基板40上用印刷工艺依次沉积各色子像素各功能层，最后蒸镀金属电极、包封。
[0043]具体实施时，图5采用一种印刷型显示器件制作方法的较佳实施例的印刷了红、绿、蓝子像素的效果图，像素bankSO上依次为打印的红色子像素、绿色子像素，蓝色子像素。通过这种工艺处理，同样可以大幅提高印刷显示器的分辨率。
[0044]本发明还提供了一种印刷型显示器件制作方法的具体应用实施例二，如图4a、图4b、图4c、图4d所示，具体包括步骤:
Tl、在具有图案化底电极20的TFT基板40 (其上具有TFT阵列10、钝化平坦层30和图案化底电极20)上制备一层亲水材料、含氟疏水材料及光阻共混的共混薄膜51 ;
T2、通过曝光掩膜对共混薄膜51进行曝光显影，其中子像素发光区域进行全曝光、相同颜色子像素相连区域进行半曝光、不同颜色子像素相连区域不曝光，从而将光阻图案化；
T3、对曝光区域70进行显影，形成所需的像素bank图案80 ；
T4、在完成上述步骤的TFT基板40上用印刷工艺依次沉积各色子像素各功能层，最后蒸镀金属电极、包封。
[0045]在本实施例图案化的像素bank中，不同颜色子像素相连区域的较厚的bank呈疏水性，定义了墨水的沉积区域，厚度为1000nm-3000nm ;相同颜色子像素相连区域的较薄的bank由于薄膜上层疏水性膜层被去除而呈亲水性，定义了各子像素的发光区域，厚度为100nm-500nm。相同颜色子像素相连区域的bank由于厚度较小且呈亲水性，墨水沉积时可以形成良好的铺展，从而在整个墨水沉积区域形成均匀薄膜；而不同颜色子像素相连区域的bank由于厚度较大且呈疏水性，可以防止墨水溢出到不同颜色子像素沉积区域，避免引起串色和降低显示质量，图5采用一种印刷型显示器件制作方法的较佳实施例的印刷了红、绿、蓝子像素的效果图，像素bankSO上依次为打印的红色子像素、绿色子像素，蓝色子像素。通过这种工艺处理，同样可以大幅提高印刷显示器的分辨率。
[0046]由以上方法实施例可知，本发明提供了一种印刷型显示器件制作方法，在图案化bank的过程中，对bank上部光阻采用半曝光工艺，其中子像素发光区域全曝光，相同颜色子像素相邻区域进行半曝光；不同颜色子像素相连区域不曝光，随后通过显影刻蚀将bank图形化，其中相同颜色子像素相连区域bank较薄，呈亲水性，保证了墨水的良好铺展，定义子像素发光区域，不同颜色子像素相连区域bank较厚，呈疏水性，防止墨水溢出，定义印刷工艺中的墨水沉积区域，从而成倍的增大墨水的沉积区域，因此可以有效减小子像素尺寸，从而实现印刷型高分辨率显示器的制备。
[0047]基于上述方法，本发明还提供了一种包含采用所述的制作方法制成的印刷型显示器件。
[0048]综上所述，本发明提供了一种印刷型显示器件及其制作方法，所述方法包括:在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜；在bank薄膜上形成一层光阻；通过曝光掩膜对光阻进行曝光，利用显影技术将光阻图案化；通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀；通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，沉积电极，对器件进行封装。本发明中相同颜色子像素相连区域形成亲水性的较薄bank，保证了墨水的良好铺展；不同颜色子像素相连区域形成疏水性的较厚bank，防止墨水溢出，提高了印刷工艺的良品率，通过制作方法与像素结构的结合，简化了印刷型显示器的制作工艺。
[0049]应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种印刷型显示器件制作方法，其特征在于，方法包括: A、在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜； B、在像素bank薄膜上形成一层光阻； C、通过曝光掩膜对光阻进行曝光，利用显影技术将光阻图案化； D、通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀； E、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，沉积电极，对器件进行封装。2.根据权利要求1所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，所述步骤C具体包括: C1、通过曝光掩膜对像素发光区域进行全曝光； C2、对相同颜色子像素相连区域进行半曝光； C3、不同颜色子像素相连区域不曝光； C4、利用显影将光阻图案化。3.根据权利要求2所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，所述步骤D具体包括: D1、通过光阻掩膜对像素bank薄膜的全曝光区域进行全部刻蚀，露出像素电极； D2、对像素bank薄膜的半曝光区域进行部分刻蚀； D3、对像素bank薄膜的未曝光区域不刻蚀； D4、剥离光阻，形成厚度不一的像素bank图案。4.根据权利要求3所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，所述步骤A中的bank薄膜采用亲水材料与含氟疏水材料共混或是采用亲水材料与含氟疏水材料及光阻共混。5.根据权利要求4所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中，不同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为1000nm-3000nm。6.根据权利要求5所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中，相同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为100nm-500nm。7.根据权利要求6所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，含氟疏水材料采用聚四氟乙烯。8.根据权利要求7所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，像素bank中的像素分别由R、G、B子像素构成，子像素之间呈“品”字形或倒“品”字形排布。9.根据权利要求8所述的印刷型显示器件制作方法，其特征在于，相邻像素的同颜色子像素排布在一起。10.一种包含采用按照权利要求1至9任一项所述的制作方法制成的印刷型显示器件。
【专利摘要】本发明公开了一种印刷型显示器件及其制作方法，所述方法包括：在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜；在bank薄膜上形成一层光阻；通过曝光掩膜对光阻进行曝光，利用显影技术将光阻图案化；通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀；通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件，沉积电极，对器件进行封装。本发明中相同颜色子像素相连区域形成亲水性的较薄bank，保证了墨水的良好铺展；不同颜色子像素相连区域形成疏水性的较厚bank，防止墨水溢出，提高了印刷工艺的良品率，通过制作方法与像素结构的结合，简化了印刷型显示器的制作工艺。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/56, H01L21/77
【公开号】CN105428553
【申请号】CN201510764095
【发明人】陈亚文
【申请人】Tcl集团股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月11日